全文获取类型
收费全文 | 32944篇 |
免费 | 4628篇 |
国内免费 | 8117篇 |
专业分类
化学 | 19340篇 |
晶体学 | 1404篇 |
力学 | 3835篇 |
综合类 | 998篇 |
数学 | 7681篇 |
物理学 | 12431篇 |
出版年
2024年 | 141篇 |
2023年 | 714篇 |
2022年 | 763篇 |
2021年 | 824篇 |
2020年 | 707篇 |
2019年 | 912篇 |
2018年 | 578篇 |
2017年 | 996篇 |
2016年 | 1095篇 |
2015年 | 1192篇 |
2014年 | 2002篇 |
2013年 | 1806篇 |
2012年 | 2076篇 |
2011年 | 2064篇 |
2010年 | 1795篇 |
2009年 | 1900篇 |
2008年 | 2109篇 |
2007年 | 1839篇 |
2006年 | 1841篇 |
2005年 | 1833篇 |
2004年 | 1857篇 |
2003年 | 1911篇 |
2002年 | 1646篇 |
2001年 | 1544篇 |
2000年 | 1210篇 |
1999年 | 1029篇 |
1998年 | 976篇 |
1997年 | 1017篇 |
1996年 | 1077篇 |
1995年 | 1016篇 |
1994年 | 798篇 |
1993年 | 745篇 |
1992年 | 839篇 |
1991年 | 841篇 |
1990年 | 786篇 |
1989年 | 668篇 |
1988年 | 160篇 |
1987年 | 134篇 |
1986年 | 85篇 |
1985年 | 68篇 |
1984年 | 40篇 |
1983年 | 38篇 |
1982年 | 8篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 2篇 |
1959年 | 3篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
许进 《应用数学与计算数学学报》2015,(1):107-114
研究了一类具有边界层性质的二次奇摄动边值问题.在相对较弱的条件下,用合成展开法构造出该问题的形式近似式,并应用改进的Harten不动点定理和逆算子定理证明解的存在性及其渐近性质.最后,将所研究的问题和结论推广到更一般的高次情形. 相似文献
62.
64.
多组份纠缠是量子信息处理的重要资源,它的产生通常涉及到许多复杂的线性和非线性过程.本文从理论上提出了一种利用两个独立的四波混频过程和线性分束器产生真正的四组份纠缠的方案,其中,线性分束器的作用是将两个独立的四波混频过程联系起来.首先应用部分转置正定判据研究了强度增益对四组份纠缠的影响,结果表明,在整个增益区域内都存在真正的四组份纠缠,并且随着强度增益的增加,纠缠也在增强.然后研究了线性分束器的透射率对四组份纠缠的影响,发现只要线性分束器的透射率不为0或1,该系统也可以产生真正的四组份纠缠.最后,通过研究该系统可能存在的三组份纠缠和两组份纠缠来揭示该系统的纠缠结构.本文理论结果为实验上利用原子系综四波混频过程产生真正的四组份纠缠提供了可靠的方案. 相似文献
66.
67.
作为航天器电源系统的重要组成部分,太阳电池需要更高的转换效率和可靠性以及更长的使用寿命。通过在太阳电池表面覆盖抗辐照玻璃盖片,可以增强太阳电池对粒子辐射的防护,延长太阳电池的服役寿命,使航天器获得可靠的能源供应。硼硅酸盐玻璃就是一种理想的太阳电池玻璃盖片材料。采用蒙特卡罗方法,结合SRIM软件模拟研究质子辐照硼硅酸盐玻璃的损伤物理机理。基于粒子与物质相互作用的理论以及基本公式,通过分析不同入射能量的质子在硼硅酸盐玻璃中的阻止本领、电离能损、位移能损、空位的产生情况,对辐照损伤的物理机制进行研究。结果表明:能量为30~120 keV的质子辐照损伤主要发生在硼硅酸盐玻璃表面;质子沉积、空位分布等均为Bragg峰型分布;电离能损是能量损失的主要部分,随入射能量的增加而增大,导致电子的电离和激发;位移能损在玻璃内部随能量降低而增大,导致硼、氧和硅等空位缺陷的产生;电离效应和缺陷的产生是硼硅酸盐玻璃色心形成的重要原因。 相似文献
68.
69.
采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上沉积纳米结构Ti、Ga共掺ZnO薄膜(TGZO,Ga掺杂量为1.0;(原子分数,下同)),用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计(UV-Vis)、四探针测试仪、霍尔效应测试仪研究了Ti含量对TGZO薄膜的物相组成、表面形貌、电学和光学性能的影响.结果表明:所有TGZO薄膜均表现出六方纤锌矿的多晶结构,并具有(002)择优取向生长,在380~780 nm波长范围内具有良好的透射率(>86;);随着Ti含量的增加,TGZO薄膜的晶粒尺寸和可见光平均透射率均先增加后减小,而光学带隙和电阻率先减小后增加;Ti掺杂量为1.0;时,具有最高的可见光透射率92.82;,最窄的光学带隙3.249 eV,以及最低电阻率2.544×10-3Ω·cm. 相似文献
70.
本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好.紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV.此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm2,展示了优异性能. 相似文献