| 高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备 |
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| 引用本文： | 张晋,胡壮壮,穆文祥,田旭升,冯倩,贾志泰,张进成,陶绪堂,郝跃.高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备[J].人工晶体学报,2020,49(11):2194-2199. |
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| 作者姓名： | 张晋 胡壮壮 穆文祥 田旭升 冯倩 贾志泰 张进成 陶绪堂 郝跃 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071 |
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| 摘 要： | 本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好.紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV.此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm2,展示了优异性能.
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| 关 键 词： | 氧化镓单晶 导模法 n型掺杂 肖特基二极管 |
High Qualityβ-Ga2O3 Single Crystal and Fabrication of Schottky Diode |
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| ZHANG Jin,HU Zhuangzhuang,MU Wenxiang,TIAN Xusheng,FENG Qian,JIA Zhitai,ZHANG Jincheng,TAO Xutang,HAO Yue.High Qualityβ-Ga2O3 Single Crystal and Fabrication of Schottky Diode[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(11):2194-2199. |
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| Authors: | ZHANG Jin HU Zhuangzhuang MU Wenxiang TIAN Xusheng FENG Qian JIA Zhitai ZHANG Jincheng TAO Xutang HAO Yue |
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