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51.
52.
报道了半花菁染料LB膜铁电性与膜厚度的依赖性.根据所测得的电滞回线发现,矫顽电场(Ec)随薄膜厚度(以薄膜的层数N表示)的增加而减少,在薄膜厚度为30~200 nm的范围内,它们之间的关系可用幂指数公式表示为Ec∝N-4/3,这种关系与其它传统的无机铁电材料完全相同.通过样品介电和铁电性能的测量,以存贮元件的物理参量-优值(Ps/εrEc)作为参比标准,可得铁电半花菁染料LB膜的最佳厚度为60 nm,且其优值的数值与偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VdF-TrFE) (n :n=70:30)的优值数值处在同一数量级上. 相似文献
53.
Variable-temperature transmission/absorption spectra are measured on As-doped Hg1-xCdxTe grown by molecular beam epitaxy. The nonlinear temperature-dependent shift of the absorption edge is also observed, which is similar to our previous report on V_textrmHg (unintentionally)-doped HgCdTe. By referring to the empirical formulas of Eg(x, T), the x value of the epilayer is calculated and its inconsistency between the extreme temperatures (e.g. 10 and 300 K) is discussed. The results confirm the assumption of the effect of shallow levels on the shift of the absorption edge, and suggest that the x value (or Eg) in intrinsic/extrinsic-doped HgCdTe should be determined by referring to as low a temperature as possible (e.g. 10 K), and not the commonly used temperatures of 77 or 300 K, when the transmission spectrum should be employed. This can give brief guidelines for fabricating HgCdTe-related devices. 相似文献
54.
Variable-temperature transmission/absorption spectra are measured on As-doped Hg 1 x Cd x Te grown by molecular beam epitaxy.The nonlinear temperature-dependent shift of the absorption edge is also observed,which is similar to our previous report on V Hg (unintentionally)-doped HgCdTe.By referring to the empirical formulas of E g (x,T),the x value of the epilayer is calculated and its inconsistency between the extreme temperatures (e.g.10 and 300 K) is discussed.The results confirm the assumption of the effect of shallow levels on the shift of the absorption edge,and suggest that the x value (or E g) in intrinsic/extrinsic-doped HgCdTe should be determined by referring to as low a temperature as possible (e.g.10 K),and not the commonly used temperatures of 77 or 300 K,when the transmission spectrum should be employed.This can give brief guidelines for fabricating HgCdTe-related devices. 相似文献
55.
光吸收跃迁效应是半导体光电探测器的基本物理过程.文章主要介绍光吸收跃迁效应在窄禁带半导体红外探测器应用方面的研究进展.讨论窄禁带半导体带间光吸收跃迁的理论和实验.文章还介绍了本征光吸收系数的表达式及其在材料表征和确定器件截止波长方面的应用,以及它在解释近年来发现的HgCdTe光电二极管电致负荧光现象方面的应用. 相似文献
56.
通过改变温度和磁场方向对调制掺杂的n型Hg0.82Cd0.16Mn0.02Te/Hg0.3Cd0.7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡进行了深入的研究,发现不仅温度的变化能够引起磁阻拍频节点位置的变化. 而且改变磁场方向,可以分别调整塞曼分裂和朗道分裂. 从对拍频的分析中,可以将依赖于磁场垂直方向的朗道能级分裂和依赖于整个磁场大小的塞曼分裂区分开来.
关键词:
磁性二维电子气
自旋分裂
塞曼分裂
拍频 相似文献
57.
主要研究具有倒置能带结构的n-HgTe/HgCdTe第三类量子阱Shubnikov-de Haas(SdH)振荡中的拍频现象.发现在量子阱中电子存在强烈的Rashba自旋分裂,通过对SdH振荡进行三种不同方法的分析:SdH振荡对1/B关系的快速傅里叶变换、SdH振荡中拍频节点分析和对SdH振荡拍频数值拟合,得到了完全一致的电子Rashba自旋分裂能量(28—36 meV).
关键词:
n-HgTe/HgCdTe
Shubnikov-de Haas振荡
Rashba自旋分裂 相似文献
58.
采用化学溶液方法在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)和Bi3.25Nd0.75Ti3O12(BNT)薄膜.x射线衍射测试表明,两种薄膜都为单一的层状钙钛矿结构.扫描电子显微镜分析显示,BNT薄膜由大而均匀的棒状晶粒组成,BLT薄膜的组成晶粒则较小.采用紫外一近红外椭圆偏振光谱仪测试了200-100nm波长范围的椭圆偏振光谱,拟合得到薄膜的光学常数(折射率和消光系数)和厚度,确定BLT薄膜的禁带宽度分别为4.30和3.61eV,并采用单电子振子模型分析了薄膜在带间跃迁区的折射率色散关系. 相似文献
59.
60.