利用Raman散射光谱研究铜铟镓硒薄膜表面的掺杂调节作用

主要研究了采用溅射后硒化方法制备CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳电池的吸收体材料中的表面层掺杂调节问题。并利用Raman散射谱分析研究了样品表面层特征峰的移用,研究结果表明: CIGS薄膜表面层由富In表面层调节为富CuGa表面层后,Raman特征峰位向高波数移动,表明薄膜表面的Ga含量随之变化,并导致表面能带的相应改变,经计算证实了富CuGa表面层样品较之富In表面层样品具有更高的表面能带,从而改善了以此材料为吸收层的太阳电池器件性能, V_oc提高了74 mV,填充因子上升8％,最终使器件转换效率η相应提高了约2％。提高了V_oc与FF。同时表明Raman散射谱作为一种灵敏的表面表征手段,在研究太阳电池吸收层表面状态时十分有力。     

嵌入无限大弹性板中圆板的热屈曲分析

分析了嵌入无限大弹性板中的圆板在变温时的热屈曲问题。由于圆板的热膨胀系数与无限大弹性板的热膨胀系数不同,温度变化时圆板中会产生压应力。当压应力达到其临界值时,圆板会发生热屈曲。首先,基于弹性力学平面应力问题的基本理论,得到圆板和无限大弹性板的应力和位移;然后建立圆板热屈曲的控制微分方程,求得临界屈曲温度的解析解和数值解,着重讨论圆板和无限大弹性板的材料物性参数的关系对圆板临界屈曲温度的影响。     

利用高分辨X射线衍射研究磷酸二氢钾晶体晶格应变应力

采用高分辨X射线衍射技术对大尺寸磷酸二氢钾(KDP)晶体的晶格应变进行了测量,并定量分析了其晶格应力.探讨出KDP晶体容易沿着[001]方向发生开裂,与实际工作中的开裂现象相符合;进一步归纳总结了晶体生长过程中引入内应力而导致晶体开裂的主要因素.研究结果为提出相应的晶体防裂措施提供了重要的理论基础.     

大学物理实验培养大学生独立思考能力的探索与实践

对物理实验教学实行一系列改革,以培养学生独立思考能力为目标,转变教学、学习观念,改进物理实验教学模式,改变考核方式,在发挥学生的主观能动性,培养学生独立思考能力方面,收到了良好的效果。     

Cu（In,Ga）Se2 Thin Films on Flexible Polyimide Sheet： Structural and Electrical Properties versus Composition

The structural and electrical properties of Cu（In,Ga）Se2 （CIGS） films grown on polyimide （PI） sheet using the three-stage co-evaporation process are investigated by x-ray diffraction spectra （XRD）, scanning electron microscopy （SEM）, Raman spectra, and Hall effect measurements, respectively. The results show that the properties of CIGS films on PI sheet are strongly dependent on the compositional ratio of Cu/（In＋Oa） （Cu/Ⅲ）. In contrast to the non-stoichiometric CIGS films, stoichiometric CIGS films show better structural and electrical properties, such as a relatively larger grain size, lower resistivity and higher carrier concentration. The flexible CIGS solar cells on PI sheet with the conversion efficiencies of 9.7% and 6.6% are demonstrated for the CIGS absorber layer with Cu/Ⅲ of 0.96 and 0.76, respectively （active area, 0.20cm^2）. The cell efficiency for Cu-poor CIGS films is limited by a relatively lower open circuit voltage and fill factor.     

Improvement in efficiency of solar cell by removing Cu2－xSe from CIGS film surface

CIGS thin films are deposited by sputtering and selenization. The synthesis of semiconducting polycrystalline thin films and characteristics of devices based on the CIGS absorbing layers are investigated. Their microstructures are characterized by x-ray diffraction and Raman spectroscopy. The results reveal that there exist metallic Cu_2-xSe compounds in CIGS film surfaces and the compounds are thought to be responsible for the degradation of the open circuit voltage of solar cells. The optimization of selenization temperature profile and copper content in the precursor surfaces is studied, concluding that the conversion efficiency may be improved by removing metallic Cu_2-xSe compounds from the surfaces of CIGS thin films.     

基于物理中面FGM中厚板自由振动的有限元分析

基于物理中面和一阶剪切变形板理论,研究了不同边界条件下功能梯度材料(FGM)中厚板的自由振动问题．假设功能梯度板的材料性质沿厚度方向按幂函数规律连续变化．根据哈密顿原理建立了FGM板有限元形式的自由振动方程,利用MATLAB软件编写程序进行了计算．通过数值算例,讨论了不同边界条件下FGM中厚板的无量纲频率随材料梯度指数和厚宽比的变化情况,并与经典板理论下的频率进行了比较．     

中频对向靶磁控溅射制备超薄ZnO薄膜及其在太阳电池中的应用

中频溅射制备ZnO薄膜可改善射频磁控溅射方式中沉积速率过慢的缺点.对于多层薄膜的制备,对向靶的设计可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤.本文采用这项技术制备厚度约为50nm的ZnO薄膜,通过调整工作压强、溅射功率、氧氩比等工艺条件,制备出均匀致密,结晶质量高,电阻率在102～103Ω·cm之间,可见光区透过率达到90;的ZnO薄膜.将其应用到CIGS太阳电池中发现,具有50nm厚度的ZnO层的CIGS太阳电池的性能较无ZnO层的太阳电池都有了很大提高.     

RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究

采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究.改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的.根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的生长速率不断提高,微晶硅薄膜的晶化程度不断增大.