IEO方法在求解哈密顿量能谱中的应用

利用IEO方法,通过选取合适的不变本征算符,使之满足所谓的"本征算符方程",其本征值与体系的能隙对应;从而直接、方便地推导出体系的能谱.本文以有外场时双原子分子体系和光场非线性相互作用的两个哈密顿为例,介绍IEO方法在分子与原子物理中的应用.     

KDP晶体力学参数测试与分析

采用全自动、高精度RMT-150C力学试验系统开展了KDP晶体的力学参数测试,获得了KDP晶体[001]和[100]晶向的弹性模量、泊松比、抗压强度和抗拉强度.结果表明:[001]和[100]晶向的弹性模量分别为39.25 MPa和16.82 MPa,泊松比分别为0.24和0.16,KDP晶体为典型的弹脆性横观各向同性材料.KDP晶体在[001]晶向的抗压强度、抗拉强度均较[100]晶向的高,其在[100]晶向更容易发生脆性破坏.结合KDP晶体的生长受力状态,揭示了KDP生长过程中产生的破坏以拉破坏为主,为开展KDP晶体开裂的力学损伤分析、提出防止开裂的力学措施奠定了重要的基础.     

Coexistence of Polaronic States and Superconductivity in Iron-Pnictide Compound Ba_2Ti_2Fe_2As_4O

The electronic structure of iron-pnictide compound superconductor Ba_2Ti_2Fe_2As_4O, which has metallic intermediate Ti_2O layers, is studied using angle-resolved photoemission spectroscopy. The Ti-related bands show a‘peak-dip-hump' line shape with two branches of dispersion associated with the polaronic states at temperatures below around 120 K. This change in the spectra occurs along with the resistivity anomaly that was not clearly understood in a previous study. Moreover, an energy gap induced by the superconducting proximity effect opens in the polaronic bands at temperatures below T_c(~21 K). Our study provides the spectroscopic evidence that superconductivity coexists with polarons in the same bands near the Fermi level, which provides a suitable platform to study interactions between charge, lattice and spin freedoms in a correlated system.     

N,N,N′,N′-四(2-苯并咪唑亚甲基)-1,2-乙二胺的晶体和电子结构

合成了六齿配体N,N,N′,N′-四(2-苯并咪唑亚甲基)-1,2-乙二胺(EDTB).对该配体进行了元素分析、紫外和红外表征;采用X射线衍射方法测定了晶体结构,依据晶体结构数据使用G98程序对配体进行了量子化学计算.     

CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析

本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值ΔEC、ΔEV.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0～0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好.     

基于ICCD的快速荧光显微成像技术及在活细胞研究中的初步应用

利用像增强型CCD、氩离子激光器和氙灯等建立了一套快速荧光显微成像系统,并初步应用于活细胞研究。实时观测和拍摄了大鼠脑微血管内皮细胞增殖分裂过程中细胞内钙敏感荧光探针Fluo-3标记的钙离子浓度分布快速变化的图像,并选取动态图像中四个典型的点给出荧光强度灰度值的变化曲线。该系统可用于高灵敏实时记录活细胞内基于荧光显微成像的快速变化过程,为活细胞的研究提供了一种很好的观察和分析手段。     

镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响

采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制CIGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使CIGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的CIGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4;.     

Breit-Pauli哈密顿的正确张量表达式

采用不同的方法,对Breit-Pauli哈密顿中的自旋-其它轨道相互作用和轨道-轨道相互作用的球张量形式重新进行了推导,给出了自旋-其它轨道相互作用和轨道-轨道相互作用哈密顿的球张量形式的正确表达式,指出了文献中所列出的这类表达式的错误,提供了导出这些表达式的中间步骤.     

Ga和Cu/In衬底上电沉积金属Ga

在酸性水溶液中,分别在金属Ga和Cu/In衬底上进行了Ga电沉积的研究。用循环伏安法研究了导电盐、pH值对电沉积Ga的影响。系统研究了Ga的沉积过程,发现Ga会逐渐向薄膜内部扩散,在Cu/In界面上与CuIn合金反应生成CuGa₂合金。针对Cu/In薄膜和Ga薄膜是活泼金属的特点,在溶液中加入三乙醇胺有效地保护了Cu/In薄膜和Ga金属薄膜不被氧化,并且提高了Ga沉积的电流效率。在Cu/In薄膜上制备出了均匀光亮的金属Ga薄膜。对电沉积出Cu-In-Ga预置层进行了硒化处理,得到了质量较好的Cu(In_1-xGa_x)Se₂(CIGS)薄膜,并制备了太阳电池。电池效率达到了9.42%。     

硒化前后电沉积贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2薄膜成分及结构的比较

采用电沉积法获得了接近化学计量比的贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)预置层,研究比较了两种预置层及其硒化处理后的成分和结构特性.得到了明确的实验证据证明,硒化后富铜薄膜中的CuxSe相会聚集凝结成结晶颗粒分散在表面.研究表明:在固态源硒化处理后,薄膜成分基本不变;当预置层中原子比Cu/(In+Ga)<1.1时,硒化后薄膜表面存在大量的裂纹;而当Cu/(In+Ga) >1.2时,可以消除裂纹的产生,形成等轴状小晶粒;富铜预置层硒化时蒸发沉积少量In,Ga和Se后,电池效率已达到6.8%;而贫铜预置层硒化后直接制备的电池效率大于2%,值得进一步深入研究.