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铜(II)化合物作用下2-綦胺的氧化偶合反应 总被引:1,自引:0,他引:1
2-萘胺(1)在甲醇中与铜胺络合物[x(CuCl_2):x(苄胺或乙醇胺)=2:1]室温 下反应得到产率为74%的1,1'-联-2-萘胺(2)。在醋酸铜、硝酸铜或高氯酸铜的催 化下,1在甲醇中被氢气氧化为2-氨基-1,4-萘醌-4-2'-萘亚胺(3),产率86%。 用X-ray单晶衍射证实3的乙酰化产物结构为2-乙酰氨基-1,4-萘醌-E-4-2'-萘亚胺 (4)。循环伏安研究表明,铜(II)化合物的氧化反应选择性与其还原峰电位有 关。电喷雾质谱的分析表明1,2-萘醌-2-亚胺(6)是生成3的中间体。 相似文献
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以静态随机存储器为研究对象,对其在线和离线测试下的总剂量辐射损伤规律进行了研究,探寻了两种测试条件下总剂量损伤的差异并对造成差异的物理机制进行了分析和讨论,研究结果表明:由于静态随机存储器存在多种总剂量失效模式,相对于在线测试只能覆盖存储单元固定错误的一种失效模式,离线测试可覆盖多种功能失效模式;由于信号完整性对测试频率的限制,使得在线测试得到的动态功耗电流值要明显小于离线测试得到的动态功耗电流值;由于"印记效应"的存在,在线测试静态功耗电流小于离线测试中器件存储与辐照相反数据时的静态功耗电流值;在线无法测量的一些电参数,有可能先于在线可测参数而失效,这些研究结果对于静态随机存储器在星用辐射环境下的总剂量辐射损伤规律的研究和实验评估具有重要意义。 相似文献
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采用60Co-γ射线对某国产0.5 μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律.随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大.研究结果表明,0.5 μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷. 相似文献
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通过使用浓硫酸对2,2′-二羟基-1,1′-二萘的磺化与成环反应得到一种新配体,7-氧杂-二苯芴-3,11-二磺酸。通过水热方法得到了它的两个化合物,[CdL(bipy)2(H2O)][Cd(bipy)2(H2O)2]·L·H2O (1)和[CdL(phen)2(H2O)]·5H2O (2),并通过X-射线单晶衍射分析进行结构表征。化合物1以P1空间群结晶,晶胞参数为a=1.205 5(6),b=1.576 4(8),c=1.954 5(10) nm,α=75.755(9),β=88.093(10),γ=89.035(10)°。化合物2以P21/ c空间群结晶,晶胞参数为a=2.104 0(7),b=1.358 0(4),c=1.428 9(5) nm,β=94.543(6)°。在化合物1中,有两个独立的镉(Ⅱ)离子不对称单元,在其中镉(1)离子和两个联吡啶上的四个氮原子,磺酸配体上的一个氧原子及一个水分子配位;镉(2)离子和两个联吡啶上的四个氮原子和两个水分子配位。两种固体化合物在室温下均显示强的蓝色荧光。 相似文献
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在弱酸性介质中,有溴化十六烷基三甲铵(CTMAB)存在条件下,CN-与异烟酸-硫代巴比妥酸形成一蓝色化合物,其最大吸收波长(λmax)位于646 nm,表观摩尔吸光系数6ε46=4.67×104L.mol-1.cm-1,且其吸光度A与氰化物含量在一定的范围内呈良好的线性关系。据此,建立了测定生活饮用水中微量氰化物的CTMAB-异烟酸-硫代巴比妥酸显色光度法。本法氰化物含量在0~4.0μg/10.0 mL范围内符合比耳定律,用于生活饮用水中微量氰化物的测定,结果令人满意。 相似文献