浙江省油桐生产动态的分析

浙江省栽培油桐的历史悠久 , 在抗日战争以前的本世纪二三十年代 ,国际市场桐油价格十分昂 贵 ,浙江省由于紧靠上海 ,出口便利 ,油桐种植相当发达 ,桐油的年产量曾高达 1 . 5× 10 7 kg,约相当于近 10年来我国年平均出口量的 70% ;抗日战争期间 ,桐油的销路受阻 ,浙江省的种桐业逐渐衰落 ;抗战胜 利后 ,由于国际市场购买力不旺 ,种桐业再也没有恢复往日的辉煌. 从 50年代初到现在 ,浙江省的油桐 连年减产 ,并有继续一路下滑的趋势 ,其原因一方面是由于国内外市场对桐油的需求有限 ,另一方面则 是由于农村产业结构的调整导致了浙江等沿海省份的桐农向其它收益更高的行业转移 .     

2-取代芳基苯并[b]呋喃类化合物的合成

以4-取代苯乙炔化亚铜与3-甲氧基-4-羟基-5-溴肉桂酸甲酯为原料进行缩合反应得到2-取代芳基并[b]呋喃, 并将其衍生化, 得到14个2-芳基-5-烷基-7-甲氧基苯并[b]呋喃化合物, 并确证了其结构.     

C2型轴对称手性双噁唑啉的合成及其应用研究

本文综述了手性双恶唑啉的合成及其金属配合物作为手性催化剂在催化不对称反应中的应用研究进展。     

铜(II)化合物作用下2-萘胺的氧化偶合反应

2 萘胺 (1)在甲醇中与铜胺络合物 [x(CuCl2 )∶x(苄胺或乙醇胺 ) =2∶1]室温下反应得到产率为 74 %的 1,1′ 联 2 萘胺 (2 ) .在醋酸铜、硝酸铜或高氯酸铜的催化下 ,1在甲醇中被氧气氧化为 2 氨基 1,4 萘醌 4 2′ 萘亚胺 (3) ,产率86 % .用X ray单晶衍射证实 3的乙酰化产物结构为 2 乙酰氨基 1,4 萘醌 E 4 2′ 萘亚胺 (4) .循环伏安研究表明 ,铜 (II)化合物的氧化反应选择性与其还原峰电位有关 .电喷雾质谱的分析表明 1,2 萘醌 2 亚胺 (6 )是生成 3的中间体     

质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析

针对卫星轨道上的空间环境辐射引起电子元器件参数退化问题, 为了研究光电器件空间辐射效应、损伤机理以及参数退化规律, 对某国产埋沟科学级电荷耦合器件(charge-coupled devices, CCD)进行了10 MeV质子辐照试验、退火试验及辐射效应理论模型研究. 试验过程中重点考察了器件的暗信号和电荷转移效率特性的变化. 试验结果表明, 器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化, 在退火过程中这些参数均有不同程度的恢复. 通过对CCD敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析, 并根据半导体器件辐射效应理论, 推导了器件敏感参数随质子辐照注量变化的理论模型, 得到了暗信号及电荷转移效率随辐照注量退化的半经验公式. 上述工作可为深入开展CCD抗辐射性能预测、抗辐射工艺改进与结构优化提供重要参考.     

质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析

对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device, CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验, 应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD中的能量沉积, 分析了器件的辐射损伤机理. 仿真计算了N⁺埋层内沉积的位移损伤剂量, 辐照与退火试验过程中主要考察暗信号的变化规律. 研究结果显示, 质子与中子辐照均会引发暗信号退化, 其退化的规律与位移损伤剂量变化一致; 退火后, 质子辐照所致CCD暗信号大幅度恢复, 其体暗信号增加量占总暗信号增加量的比例最多为22%; 中子辐照引发的暗信号增长主要为体暗信号. 质子和中子在N⁺埋层产生相同位移损伤剂量的情况下, 两者导致的体暗信号增长量相同, 质子与中子辐照产生的体缺陷对体暗信号增长的贡献是同质的.     

CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应

为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化,对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输出电压等参数的变化规律。通过对CMOS图像传感器敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析,并根据半导体器件辐射效应理论,深入研究了器件参数退化机理。试验结果表明,暗信号和暗信号非均匀性随着中子辐照注量的增大而显著增大,饱和输出电压基本保持不变。暗信号的退化是因为位移效应在体硅内引入大量体缺陷增加了耗尽区内热载流子产生率,暗信号非均匀性的退化主要来自于器件受中子辐照后在像素与像素之间产生了大量非均匀性的体缺陷能级。另外,还在样品芯片上引出了独立的像素单元测试管脚,测试了不同积分时间下像素单元输出信号。     

水雷保险器水压膜贮存寿命预测

本文以水雷保险器水压膜贮存失效数据为研究对象,建立了水压膜贮存统计模型,采用周期测量数据失效时刻划分的方法,将不完全失效数据转换为区间数据;提出了基于对数正态分布族和基于极值分布族的水压膜贮存寿命预测方法,对水雷其它零部件的寿命预测具有一定的参考价值。     

8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理

针对卫星轨道上空间辐射环境引起的光学相机性能退化问题,采用8晶体管(8T)-全局曝光互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器进行重离子辐照实验。实验结果显示,不同功能模块寄存器发生单粒子翻转,导致输出图像出现不同的异常模式,主要表现为输出图像"卡零"、若干相邻列输出异常、整幅图像"花屏"等。结合器件的不同子电路功能、工艺结构和工作原理,分析重离子入射器件微观作用过程对宏观图像异常模式的影响,深入探讨器件不同功能模块单粒子翻转的敏感性和损伤机理。研究结果可为CMOS图像传感器加固设计、单粒子地面模拟实验方法及标准和评估技术的建立提供重要参考。     

基于核酸适配体修饰的纳米金双与门逻辑开关检测牛奶中的三聚氰胺和环丙氨嗪

通过使用适配体、十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）、三聚氰胺和环丙氨嗪控制金纳米粒子的聚集和分散,设计了简单的双与门逻辑开关用来检测牛奶中的三聚氰胺和环丙氨嗪。首先,基于适配体T31与三聚氰胺的强特异性,通过CTAB的加入控制纳米金的聚集,制作了一个与门逻辑开关（AND logic gate 1）检测是否存在三聚氰胺。此逻辑开关用肉眼可识别的三聚氰胺检出限为0.24 mg·L-1,借助分光光度计的检出限(LOD)为85 μg·L-1。根据适配体Tcy1与环丙氨嗪的强特异性,通过CTAB的加入控制纳米金的聚集,设计了与门逻辑开关（AND logic gate 2）。此逻辑开关用肉眼可识别的检出限为0.17 mg·L-1,借助分光光度计的检出限(LOD)为9.0 μg·L-1。因此,通过这一逻辑开关组可以实现牛奶中三聚氰胺和环丙氨嗪的快速检测。