城市隧道穿越复合地层的合理微差时间间隔

以莞惠城际项目的“上软下硬”复合地层条件为依托,结合现场测试数据,采用理论与数值分析相结合的手段,开展城市隧道穿越复合地层中合理微差时间间隔的研究。研究结果表明:复合地层中微差爆破效果较好,第1、2炮适宜的微差时间间隔为50~70 ms;围岩条件相同,振动波形和主震相的持续时间均随着爆心距的增加而变长;而围岩条件变差时,振动波形更易出现波形叠加现象;随着微差时间间隔增加,第1、2炮产生的主震相逐渐分离,在0~35ms间降震率波动明显且整体上小于稳定降震率;在复合地层中,两测点爆心距相同时,成洞区上方测点受空洞效应影响显著,振速明显偏大。     

化学电源技术指标分类的模型实证研究

分别采用因子分析模型和聚类模型对化学电源的技术指标:正极长度、负极长度、隔膜长度、电液量、容量、开路电压、自放电后电压、内阻和重量进行分析,得出正极长度与负极长度参数设计指标联系最紧密,开路电压与自放电后电压性能测试指标联系最紧密.这为化学电源技术指标的分类研究提供理论依据,为化学电源的设计质量控制、组合管理质量控制提供了参考价值,从而促进化学电源的技术进步与发展.     

江南水乡古镇的共性特征及其价值分析——以太湖流域六大古镇为例

江南水乡古镇凭借独具魅力的吴越文化和水乡风情,在近年来的旅游开发中显示出巨大的经济效益和社会效益．本文在全面剖析太湖流域古镇概况的基础上,以六大古镇为例,重点从自然地脉和历史文脉两个层面展开研究,得出古镇在形成类型、地域分布、空间结构、文化承载、人文生态等方面存在共性特征,并进一步分析了这些共性特征在历史文化研究、旅游开发和社会主义新农村建设方面的现实价值．     

质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析

针对卫星轨道上的空间环境辐射引起电子元器件参数退化问题, 为了研究光电器件空间辐射效应、损伤机理以及参数退化规律, 对某国产埋沟科学级电荷耦合器件(charge-coupled devices, CCD)进行了10 MeV质子辐照试验、退火试验及辐射效应理论模型研究. 试验过程中重点考察了器件的暗信号和电荷转移效率特性的变化. 试验结果表明, 器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化, 在退火过程中这些参数均有不同程度的恢复. 通过对CCD敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析, 并根据半导体器件辐射效应理论, 推导了器件敏感参数随质子辐照注量变化的理论模型, 得到了暗信号及电荷转移效率随辐照注量退化的半经验公式. 上述工作可为深入开展CCD抗辐射性能预测、抗辐射工艺改进与结构优化提供重要参考.     

质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析

对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device, CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验, 应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD中的能量沉积, 分析了器件的辐射损伤机理. 仿真计算了N⁺埋层内沉积的位移损伤剂量, 辐照与退火试验过程中主要考察暗信号的变化规律. 研究结果显示, 质子与中子辐照均会引发暗信号退化, 其退化的规律与位移损伤剂量变化一致; 退火后, 质子辐照所致CCD暗信号大幅度恢复, 其体暗信号增加量占总暗信号增加量的比例最多为22%; 中子辐照引发的暗信号增长主要为体暗信号. 质子和中子在N⁺埋层产生相同位移损伤剂量的情况下, 两者导致的体暗信号增长量相同, 质子与中子辐照产生的体缺陷对体暗信号增长的贡献是同质的.     

CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应

为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化,对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输出电压等参数的变化规律。通过对CMOS图像传感器敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析,并根据半导体器件辐射效应理论,深入研究了器件参数退化机理。试验结果表明,暗信号和暗信号非均匀性随着中子辐照注量的增大而显著增大,饱和输出电压基本保持不变。暗信号的退化是因为位移效应在体硅内引入大量体缺陷增加了耗尽区内热载流子产生率,暗信号非均匀性的退化主要来自于器件受中子辐照后在像素与像素之间产生了大量非均匀性的体缺陷能级。另外,还在样品芯片上引出了独立的像素单元测试管脚,测试了不同积分时间下像素单元输出信号。     

基于电压电流的IGBT关断机理与关断时间研究

基于半导体物理和IGBT基本结构, 深入论述了IGBT关断机理, 推导出IGBT关断时间随电压和电流的变化规律: 关断时间随电压的增大而增大, 随电流的增大而减小. 查明了变化规律的物理机理, 仿真和实验结果验证了理论推导与所得变化规律的正确性. 提出采用指数与双曲线复合规律描述IGBT关断时间的变化. 对深化IGBT关断机理和解决电力电子装置死区时间设置等工程问题具有一定的理论意义和应用价值. 关键词： 关断机理 耗尽层 载流子 关断时间     

离子色谱法测定纯净水中6种阴离子

建立离子色谱法测定纯净水中F–,Br O3–,Cl–,NO2–,Br–,NO3–等6种阴离子的方法。淋洗液为1.2mmol/L Na HCO3–1.0 mmol/L Na2CO3混合溶液,流量为1.5 m L/min,柱箱温度为35℃。在底液中加入与淋洗液同浓度的Na2CO3–Na HCO3碱化底液可有效消除水负峰。6种阴离子的检出限为1.0~21.0μg/L,加标回收率在90.0%~106.0%之间,相对标准偏差为1.43%~4.49%(n=5)。该方法测定结果准确、可靠,操作简便快速,适用于纯净水中F–,Br O3–,Cl–,NO2–,Br–,NO3–的测定。     

一个得到1,1'-联-2-萘胺的合成新方法

以2-萘胺为原料,在甲醇溶液中与1.5eq的CuCl2·2H2O反应,氧化偶合得到1,1'-联-2-萘胺(1)与CuCl2的络合物沉淀。沉淀依次经沸水和氨水处理,得到产率56%的1。     

续流二极管续流瞬态反向恢复电压尖峰机理研究

电力电子变流装置中的开关续流元件功率二极管由续流到截止转换的反向恢复过程中会在负载上产生电压尖峰,且短时续流下电压尖峰会很大,极易造成器件过压失效. 为了有效指导电力电子装置的可靠性设计,基于半导体物理和功率二极管基本结构,深入论述了PIN结构续流二极管开关瞬态工作机理,利用存储电荷的分析方法推导出二极管续流瞬态下的反向恢复电压尖峰机理及其随续流时间的变化规律:电压尖峰在短时续流下较大,随续流瞬态时间的增大而减小. 以绝缘栅双极型晶体管和续流二极管组成的两电平半桥逆变单元为例进行实验,结果表明:二极管续流瞬态发生反向恢复的电压尖峰随续流瞬态时间的增大近似呈指数规律减小,待续流电流稳定后,电压尖峰趋于常数,并最终随着续流过程的结束而进一步减小直至恒定,验证了理论分析的正确性. 对完善续流二极管反向恢复机理以及提高电能变换装置的可靠性具有一定的理论意义和应用价值. 关键词： 续流二极管 正向导通 反向恢复 电导率调制