FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2

快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400—450℃热处理后，空位_双氧复合体(VO₂)是其 主要 的缺陷.在300—500℃热处理快中子辐照的CZ_Si后，IR光谱中有919．6cm^-1和 1006cm^-1两个吸收峰伴随VO₂(889cm^-1)出现，这两个IR吸收 峰是VO₂的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的，此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个 间隙氧原子(O_i)相互作用所形成的.在300℃延长退火时间或升高退火温度，都 会使(O -V-O)转变为稳态VO₂.辐照剂量在10¹⁹数量级，经400—450℃热处 理所形成的缺陷主要为多空位型，而VO₂被抑制.     

FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2

快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后，空位-双氧复合体(VO2)是其主要的缺陷．在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后，IR光谱中有919．6cm^-1和1006cm^-1两个吸收峰伴随VO2(889cm^-1)出现，这两个IR吸收峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的，此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的．在300℃延长退火时间或升高退火温度，都会使(O-V-O)转变为稳态VO2．辐照剂量在10^19数量级，经400-450℃热处理所形成的缺陷主要为多空位型，而VO2被抑制．     

Universal Quantum Cloning Machines for Two Identical Mixed Qubits

We present a series of universal quantum cloning machines for two identical mixed qubits. Every machine is optimal in the sense that it achieves the optimal bound of the single copy shrinking factor. Unlike in the case of pure state cloning, the single copy shrinking factor does not uniquely determine the cloning map in the case of mixed state cloning.     

对比不同离子的掺杂对镍锌铁氧体电磁损耗性能的影响

应用水热法掺杂Co2+、Mn2+和Cu2+到纳米镍锌铁氧体粉末中.并利用XRD、TEM和VNA对其进行表征和分析,研究了掺杂不同金属离子对样品粒度、形貌、电磁损耗性能及吸收性能的影响.结果表明:镍锌钴铁氧体结晶更加完全,晶粒结构更加完整,出现团聚现象,晶粒排列相比其他更加致密.并且晶格常数由0.8352 nm增加到0.8404 nm,改变吸收峰的位置,增加吸收器的带宽,改善材料在低频率区间内的的吸波性能.Mn2+的掺杂相比镍锌钴铁氧体吸波性能下降,吸波效果减弱.Cu2+的掺杂没有影响纳米镍锌铁氧体电磁损耗的吸波频段.     

溅射硒化物靶与金属单质靶制备Cu2 ZnSnSe4薄膜及电池的比较研究

采用磁控溅射SnSe-ZnSe-Cu硒化物靶和Sn-Zn-Cu金属单质靶的方法制备两种Cu2 ZnSnSe4(CZTSe)预制层,并将两种预制层采用相同的硒化工艺制备出CZTSe薄膜吸收层.分别采用XRD、Raman、SEM、EDS等分析了薄膜的晶体结构、相的纯度、表面及截面形貌和元素组分,结果发现采用硒化物靶制备的CZTSe吸收层薄膜更为平整致密且无明显孔洞.同时采用Hall测试和J-V测试对太阳电池薄膜的电学性质进行了表征,结果表明硒化物靶制备的CZTSe太阳电池的电流密度以及光电转化效率要高于金属单质靶,金属单质靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为356 mV,短路电流密度为20.61 mA/cm2,光电转换效率为2.18;,而硒化物靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为354 mV,短路电流密度为28.41 mA/cm2,光电转换效率为3.33;.     

国内外投资对制造业技术进步影响的行业分化特征

本文首先采用1996年-2008年中国制造业分行业数据,选择随机前沿生产函数模型测度了制造业各行业的全要素生产率变化率,通过调整得到技术进步率,在此基础上,利用2001年-2007年国内外投资的数据基于面板数据模型,研究了制造业各行业国内外投资对技术进步影响的问题,旨在揭示改革开放以来尤其是经济发展较快的最近几年制造业技术进步的源泉,并进一步探讨技术进步来源不同的两类行业的行业分化特征。实证结果表明,制造业绝大多数行业的技术进步来源于国内投资或外商投资,个别行业甚至同时受国内外投资的双重影响,当行业特征表现为市场竞争程度高且外商投资对国内投资比重偏高时,技术进步更倾向来源于国内投资,反之则更倾向来源于外商投资。     

电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响

Si C半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)相对于常规VDMOSFET在相同导通电阻下具有更大击穿电压.在N型外延层上进行离子注入形成半超结结构中的P柱是制造Si C半超结VDMOSFET的关键工艺.本文通过二维数值仿真研究了离子注入导致的电荷失配对4H-Si C超结和半超结VDMOSFET击穿电压的影响,在电荷失配程度为30%时出现半超结VDMOSFET的最大击穿电压.在本文的器件参数下,P柱浓度偏差导致击穿电压降低15%时,半超结VDMOSFET柱区浓度偏差范围相对于超结VDMOSFET可提高69.5%,这意味着半超结VDMOSFET对柱区离子注入的控制要求更低,工艺制造难度更低.     

基于等离激元多重杂化效应的光吸收结构

近年来,以聚合物为代表的高分子材料由于具有比其他光吸收材料(如半导体材料、碳基材料以及贵金属纳米材料)更好的柔性和粘弹性而受到广泛关注.本文基于等离子体再聚合技术和磁控溅射工艺在聚合物材料层上制备了具有等离激元多重杂化效应的光吸收结构,该结构具有宽谱高吸收特性.该结构的制备工艺简单易行,对不同聚合物材料具有通用性,在光学器件领域具有广泛的应用前景.     

非制冷热像仪内部温升对测温精度的影响修正

随着非制冷型热像仪工作时间的增长,其内部器件、机械结构所积累的热量越来越多,其温升所导致的热辐射势必会对热像仪的测温精度产生严重影响。因此,要实现热像仪的准确测温,必须对其内部的各温升影响因素进行相应的修正。本文通过对影响测温精度的镜筒辐射温度、探测器靶面温度以及热像仪工作累积时间三个因素进行评估和建模,并对其相互关系进行评价,根据数据模型对热像仪辐射测温值进行修正。结果表明,在实验室条件下,经过修正,非制冷型红外热像仪测温精度可控制在±1℃以内,其稳定性可控制在±0.5℃以内。修正后的温度结果基本不受内部温升的影响,有效的提高了非制冷测温型热像仪的稳定性、可重复性以及测温精度。