葡萄糖、半乳糖和乙醇恒电流氧化过程电位振荡的EQCM研究

采用电化学石英晶体微天平(EQCM)研究了0.5 mol•L^-1 NaOH水溶液中铂电极上葡萄糖、半乳糖和乙醇恒电流氧化过程中伴随的电位振荡行为. 两个糖体系的电位振荡过程伴随EQCM频率的同步振荡响应, 而乙醇体系中相应的频率响应却非常小；三个体系振荡过程的同步动态电阻响应均很小, 表明振荡过程频率响应主要为质量效应. 虽然葡萄糖和半乳糖结构相似, 电位和频率振荡的幅度相当, 但频率波数和周期明显不同, 表明电位振荡行为对两者呈现良好的分子识别能力. 本文也讨论了相关振荡机理和NaOH浓度效应及碱性介质中铂电极电化学过程, 提出了所形成的铂氧化物主要是PtO₂-3H₂O_ad以及两糖体系振荡过程中糖酸根阴离子伴随着高/低电位在铂电极上吸/脱附的新观点.     

电化学表面等离子体共振技术

电化学表面等离子体共振(electrochemical surface plasmon resonance, ESPR)技术是近年发展起来的、将表面等离子体共振技术与电化学方法联用的一种新方法.本文在阐明ESPR基本原理及其主要联用方法的基础上,对ESPR技术在金属离子定性/定量分析、纳米薄膜原位动力学研究、电化学聚合反应过程研究、ESPR生物传感等方面的应用进行了详细评述,并提出了提高ESPR检测灵敏度、ESPR与其他技术的联用以及测量装置的微型化、自动化是今后ESPR技术的发展方向.     

镀金和碳纳米管修饰金电极上吸附态葡萄糖氧化酶比活性的EQCM研究

采用石英晶体微天平(EQCM)技术监测了裸金电极、镀金和碳纳米管修饰金电极上葡萄糖氧化酶(GOD)的吸附过程. 通过EQCM测量吸附固定的GOD质量, 并实时检测酶反应产物H2O2的氧化电量, 求算了各表面上吸附态GOD的比活性(ESAi). 结果表明, 各表面上均可吸附一定的GOD, 且吸附态GOD均有一定的酶活性; 修饰CNTs可增大酶吸附量和酶电极对葡萄糖的响应电流, 但ESAi随CNTs修饰量的增大而降低; Au电极上电镀金后, 酶吸附量和酶电极对葡萄糖的响应电流亦增大, 但ESAi与裸金电极上的基本一致.     

交联聚丙烯酰胺吸水凝胶的强度

高吸水材料是一类新型的功能高分子材料,已有广泛开发和应用。本文讨论了含大量无机填料膨润土的阴离子型交联聚丙烯酰胺(JSWAM)吸水凝胶的强度及其形态结构。 吸水材料JSWAM的制备:将填料搅拌分散于丙烯酰胺水溶液中,同时加入规定量的甲叉基双丙烯酰胺、过硫酸铵、碱,而后聚合并水解。将聚合物胶块造粒、烘干、粉碎。凝胶强度     

碳包覆LiFe0.5Co0.5PO4固溶体正极材料的制备及其电化学性能

分别以四水磷酸铁（FePO₄·4H₂O）和二水草酸亚铁（FeC₂O₄·2H₂O）为铁源,采用简单便捷的流变相法制备了碳包覆LiFe_0.5Co_0.5PO₄固溶体材料（LiFe_0.5Co_0.5PO₄/C,简称为LFCP/C）。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、恒流充放电等测试手段对复合材料的物相、形貌结构和电化学性能进行了表征和测试。结果表明,2种铁源得到的材料均为橄榄石晶型结构且结晶度良好,二者在颗粒尺寸分布、碳包覆效果和电化学性能方面具有显著的差别。用作锂离子电池正极材料时,以FeC₂O₄·2H₂O为原料得到的LFCP/C具有更优异的电性能：在2.5~5.0 V电压范围内,0.1C倍率下（1C=150 mA·g^-1）,放电比容量为137.5 mAh·g^-1,在10C仍具有57.6 mAh·g^-1的放电比容量;0.5C循环100次后容量仍保持78.1%。该样品更佳的电化学性能主要得益于其更小的平均颗粒尺寸,更高的比表面积和理想的碳包覆效果。     

壳聚糖-Cu^2＋复合物膜固定葡萄糖氧化酶用于葡萄糖传感

利用壳聚糖(CS)对Cu2 的配位吸附作用,制得壳聚糖-Cu2 复合膜修饰电极,进一步通过Cu2 与蛋白质的配位作用,再将葡萄糖氧化酶(GOD)固定在金电极上制得GOD-Cu2 -CS/Au电极.该酶电极检测葡萄糖的线性范围为0.03～2.5 mmol·L-1,线性相关系数为0.997,检出限(S/N=3)为1 μmol·L-1.以电化学石英晶体微天平(EQCM)技术监测了各修饰过程.     

非晶Nb-Ni合金晶化过程中紫外光电子能谱研究

本文利用紫外光电子能谱和X射线衍射测量研究了非晶Nb_100-xNi_x(x=65,59.8,56.4)合金晶化过程中价带谱的变化。对NbNi₃价带谱中出现的双峰进行了讨论。 关键词：     

Characterizations of Tb:Zn2SiO4 films on silicon wafer prepared by sol-gel dip-coating and solid-phase reaction

Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV－Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms.     

水下多路水声测量信号光纤传输系统

以一个水声被动测量系统的工程项目为平台，介绍与其配套的水下多路水声测量系统的构成、主要电路环节和工作原理。     

p型导电掺In的SnO2薄膜的制备及表征

采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明，掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试结果表明，掺In的SnO2禁带宽度为3.8eV.霍尔测量结果表明，空穴浓度与热处理温度有很大的关系，525℃为最佳热处 理的温度.铟锡原子比在0.05—0.20范围内，空穴的浓度与In的含量有直接的关系，并随In含量的增加而增加. 关键词： SnO2 溶胶-凝胶法 p型导电