长寿命的氩离子激光器

氩离子激光器是目前在可见光谱区可得到的输出功率最大的连续气体激光器,而且它的输出波长极其丰富,具有波长选择的灵活性.如果采用适当的腔内色散元件,就可以方便地选择出所需的工作波长(见表1).因为氩离子激光器具有一些独特的优点,所以它的应用也就日益广泛起来.随着科学研究和应用技术的发展,对于氩离子激光器的输出功率、工作寿命和输出稳定性方面,都提出了更高的要求.因此,制 作一个具有输出功率大、工作寿命长和稳定性高的氩离子激光器,已是一件急待解决的任务.本文介绍了一个长寿命的氩离子激光器,较详细地论述了影响放电管寿命的因…     

V(001)表面上(4×1)-O,(2×2)-S两超结构的角分辨光电子谱

用角分辨紫外光电子谱详细研究了V(001)表面上,S和O偏析引起的(4×1)-O,(2×2)-S两超结构,确定了S,O各自引起的吸附态的峰位和对称性;得到了O占据V(001)表面上空位的实验证据。所得实验结果与理论计算相等。 关键词：     

统计学入门(V)

九、总体、样本及统计量　　9-1名词解释 前几讲我们介绍了概率论的若干基础知识,从这一讲起我们介绍有关统计的基本概念和常用的统计方法。 在引言中我们讲过统计学的核心内容是统计推断,即通过反映事物局部信息的一组数据对所研究的对象的性质进行推断。为了将问题阐述得更为清楚和精确,有必要引进一些基本概念,解释几个以后经常使用的名词术语。 每个问题都有我们所关心的进行研究的对象。研究对象的全体称为总体。这里所说的对象可以是一个个具体的物体(例如某工厂生产的某种型号的电子管),也可以是物体的某个或某些特性(例如电子管的寿…     

发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移. 关键词：     

硅元素对土壤中有效营养元素的影响

本文研究了硅元素对土壤中有效营养元素的影响。研究结果表明，该元素提高土壤对有效氮，钾的供给能力，调节铁锰比例和钙，锌，锰的供给。施硅量适当时，可使甘蔗增加产量和含糖分。     

微机自控高温超导体Tc测试的实验研究

本文描述了四端引线法测试高温超导体 T_c 的基本系统.该系统使用配置了 IEEE-488GBIB 的 HH-AT-1000或 HANDWELL PC/XT 微机。使用计算机进行数据采集及数据处理,对本系统进行了系统的 T_c 测试实验研究,证明本系统所得结果准确、可靠.     

辐照损伤模拟中的Zr 原子势函数

以金属Zr 的一种嵌入原子形式(EAM) 的势函数为基础,通过引入一个调制函数的办法,在不同范围内修改了EAM 势函数的对势部分和原子电子密度分布部分,然后采用分子动力学方法计算点缺陷(间隙原子(SIA) 和空位) 形成能和初级离位原子(PKA) 的阈值能,从而探讨这些物理量对势函数的不同部分的敏感程度。计算结果表明:势函数的对势部分长程范围内的形式对缺陷的形成影响较小,其短程范围的形式对SIA 的形成比对空位的形成影响程度更大;对于PKA 的阈值能,其敏感区域来自于势函数的对势部分和原子电子密度分布的短程范围部分,但在不同晶向上的PKA 的阈值能对势函数的敏感程度有所不同。这些研究结果对于在研究Zr 金属的辐照损伤中势函数的选择或构建有指导意义。For the purpose of detecting the sensitive parts of an embedded atom method(EAM) potential which is considered to be used in molecular dynamics simulation of radiation effects of Zirconium, we introduce a modulation function to modify the pairwise potential and the atomic electron-density distribution of the EAM potential. Based on the modified potential function, the formation energies of the self-interstitial atom (SIA) and the vacancy atom are calculated as well as the displacement threshold energy of primary knock-on atom (PKA). The results indicate that the short range part of the pairwise potential has more greater influence on the SIAs formation than the vacancy formation. The defect formation energies are also very sensitive to the behavior of the atomic electron-density function in the range which is close to the cutoff distance. The displacement threshold is sensitive to the short range behaviors of both the airwise potential and the atomic electron-density function, however, the sensitivity is strongly dependent on the crystal-direction.     

下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响

本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜, 获得了W/ZnO/BEs存储器结构. 研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响. 研究结果表明, 以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性. 在低阻态时, ZnO薄膜的导电机理为欧姆传导, 而高阻态时薄膜的导电机理为空间电荷限制电流. 不同下电极与ZnO薄膜之间的肖特基势垒高度对电阻开关过程中的操作电压有较大的影响, 并基于导电细丝模型对不同下电极上ZnO薄膜的低阻态阻值及reset电流的变化进行了解释. 关键词： ZnO薄膜 电阻开关 下电极     

扫描电化学显微镜技术近期进展

本文较详细地介绍了扫描电化学显微镜技术的近期进展,引用参考文献77篇。