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41.
Significant beam loss caused by the charge exchange processes and ion impact-induced outgassing may restrict the maximum number of accelerated heavy ions during the high intensity operation of an accelerator. In order to control beam loss due to charge exchange processes and confine the generated desorption gas, tracking of the beam loss distribution and installation of absorber blocks with low-desorption rate material at appropriate locations in the main Cooler Storage Ring (CSRm) at the Institute of Modern Physics, Lanzhou, will be performed. The loss simulation of uranium ions with electron-loss is presented in this report and the conclusion is that most charge changed particles are lost in the second dipole of the super-period structure. The calculation of the collimation efficiency of the CSRm ring will be continued in the future. 相似文献
42.
利用密度泛函理论研究了Li原子修饰的C24团簇的储氢性能. Li原子在C24团簇表面的最佳结合位是五元环. Li原子与C24团簇之间的作用强于Li原子之间的相互作用, 能阻止它们在团簇表面发生聚集. 当Li原子结合到C24表面时, 它们向C原子转移电子后带正电荷. 当氢分子接近这些Li原子时, 在电场作用下发生极化, 通过静电相互作用吸附在Li原子周围. 在Li修饰的C24复合物中, 每个Li原子能吸附两到三个氢分子, 平均吸附能处于0.08到0.13 eV/H2范围内. C24Li6能吸附12个氢分子, 储氢密度达到6.8 wt%. 相似文献
43.
在水热条件下合成了两种配合物[Zn(bpdc)(pyip)2].3H2O(1)和[Zn(pip)2(Hpip)].3H2O(2)(H2bpdc=2,2′-联吡啶-3,3′-二羧酸,pyip=2-(3-吡啶基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]邻菲咯啉,Hpip=2-苯基-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]邻菲咯啉),并利用红外和X射线单晶衍射对其结构进行了表征。配合物1属单斜晶系,P21/c空间群,晶胞参数a=1.656 9(5)nm,b=1.3614(4)nm,c=1.863 7(6)nm,β=93.128(6)°,V=4.198(2)nm3,Z=4,ZnC48H34N12O7,Mr=955.99,Dc=1.513 g.cm-3,μ(Mo Kα)=0.657 mm-1,F(000)=1 968,GOOF=1.008,R=0.057 7,wR=0.107 5,其中4 622个可观测衍生点(I>2σ(I))。配合物2属单斜晶系,P21/c空间群,晶胞参数a=1.797 7(4)nm,b=1.527 0(3)nm,c=1.767 6(4)nm,β=102.84(3)°,V=4.730 9(19)nm3,Z=4,ZnC57H40N12O3,Mr=1 006.36,Dc=1.410 g.cm-3,μ(Mo Kα)=0.581mm-1,F(000)=2 072,GOOF=1.134,R=0.089 5,wR=0.208 4,其中6 558个可观测衍射点(I>2σ(I))。结构分析表明配合物1和2均为零维结构,氢键和π-π相互作用在加固配合物的结构中起到重要作用。此外,对化合物的热稳定性和荧光性质也进行了研究。 相似文献
44.
钼在钨酸钙荧光体中的能量传递研究 总被引:1,自引:0,他引:1
合成一系列掺杂钼的乌酸钙荧光体,通过测定系列荧光体的发射光谱系统地研究了其发光特性,探讨了钼在钨酸钙荧光体中的能量传递机理。 相似文献
45.
46.
47.
采用激光分子束外延技术,在玻璃衬底上制备了La067Sr033MnO3 (LSMO) 薄膜,X射线衍射测量结果表明在玻璃衬底上生长的LSMO薄膜沿c轴择优取向生长.在外磁场3 T和88, 220, 300 K条件下,LSMO薄膜的磁电阻变化率分别达到-378%, -268%和-607%.实验结果表明,在廉价的玻璃衬底上制备大面积和具有应用价值的锰氧化物薄膜是可行的.
关键词:
锰氧化物薄膜
玻璃衬底
外延生长 相似文献
48.
磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用射频磁控溅射技术在硅基底上分别制备了无掺杂和掺杂Cu的氧化钒薄膜. X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)观察表明, 无掺杂的薄膜为多晶V2O5, 掺杂Cu的薄膜为非晶态. X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明, 掺杂Cu的薄膜为铜钒氧化物膜, 其中Cu离子表现为+2价, V离子为+4与+5价的混合价态. 随着Cu掺杂量的增大, +4价V的含量增加. 电化学测试结果表明, V2O5薄膜在掺杂Cu以后其放电容量有显著的提高, 其中Cu2.1VO4.4薄膜在100次循环后容量还保持为83.4 μA·h·cm-2·μm-1, 表现出较高的放电容量和较好的循环性能. 相似文献
49.
50.