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离子源辅助电子枪蒸发制备Ge1-xCx薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比(G),制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪(XRD)测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测量了2~22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试(XPS)计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜(AFM)测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明:制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14~3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度. 相似文献
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在对系列La 掺杂的Bi2Sr2 - xLaxCuO6 + δ单晶的研究中,我们发现在极度La 掺杂( 空穴极度欠掺杂) 的样品中有高达36K 的超导相出现.X 射线衍射图(XRD) 和电镜照片都表明这种极度空穴欠掺的样品有很好的单相性,从而排除了样品化学不纯的可能.另外,对这种样品进行脱氧处理后,此超导电性相应消失,说明了这种高Tc 的超导电性是由活动性空穴掺杂引起的.虽然对相应样品在正常态的磁测量没有测出反铁磁峰(Neel 峰) ,但对系列样品的拉曼散射研究发现样品随着La 含量的增多,其反铁磁交换作用明显加强.所以,我们认为这种高Tc 超导电性的出现是在Bi2201 体系中存在宏观相分离的明显迹象 相似文献
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采用硫酸显色法对两家药厂生产的阿奇霉素片及胶囊剂进行了溶出度考察。结果表明,阿奇霉素在10-100μg/mL范围内线性关系良好,平均 回收率为99.83%(n=6)。阿奇霉素片及胶囊剂在45min时的溶出量均不低于标示量的80%。而两厂产品体外溶出度结果均达到要求。 相似文献
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以PEG为间隔基固定赖氨酸制备血液相容的聚氨酯材料 总被引:3,自引:0,他引:3
通过多步表面改性方法制备了血液相容性好的聚氨酯材料. 以PEG为间隔基将ε-赖氨酸通过Schiff碱反应和进一步的还原反应连接于聚氨酯表面. 该表面的水接触角和XPS结果表明, PEG和ε-赖氨酸成功接枝. 用蛋白质吸附和血栓溶解实验对材料的血液相容性进行了研究. 蛋白质吸附结果表明, 相对于改性前的聚氨酯, ε-赖氨酸改性后的表面能减少纤维蛋白原的吸附量近80%. 血栓溶解测试结果显示, ε-赖氨酸改性后的表面能够在13 min内使初生的血栓溶解. 这些结果证实, 改性后的表面不仅能抑制非特异性蛋白质的吸附, 而且在测试条件下能溶解初生的血栓. 相似文献
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Based on the template of protonated BPDO(B PDO = 4,4'-bipyridine N,N'-dioxide), a new iodobismuthate hybrid with formula of(H_2 DPDO)2(Bi_4 I_(16))(1) was synthesized under solvothermal conditions. The Bi_4 I_(16)~(4-) tetramer is built from four edge-sharing BiI_6 octahedra. I···I interactions stabilize the structure and contribute to the structural extending from 0-D cluster to 1-D chain. The broader absorption band and lower energy gap of 1.76 eV are led by strong I···I interactions, so the small and rigid template can result in strong halogen···halogen interaction, which will be beneficial for its charge transfer. The photocurrent response property of this complex was discussed, and its mechanism has also been proposed. 相似文献
40.
以水热法制备了由纳米棒组成的二氧化钛阵列。通过控制反应时间,对组成阵列的二氧化钛纳米棒的尺寸进行调节。利用扫描电镜和X射线衍射光谱分析了样品的形貌和晶体结构,发现将反应时间由4 h延长至8 h,二氧化钛纳米棒的直径由100 nm增大到200 nm。利用紫外-可见吸收光谱测量了样品的光吸收特性,发现了尺寸效应引起的吸收边和带隙变化,反应时间由4 h延长至8 h,样品带隙由3.09 eV变化至2.97 eV。利用荧光光谱研究样品的光致发光性能,发现了样品的近带边发光(382 nm左右)、自陷激子发光(420 nm左右)、束缚激子发光(456 nm左右)和缺陷能级发光(492 nm左右)。 相似文献