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41.
合成了一个三维超分子化合物(C20O2H14)(C12N2H8)(命名为BP1),通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和X射线单晶衍射对其结构进行了表征,结果表明分子之间通过氢键和π-π堆积弱的相互作用形成超分子化合物。对所有合成的超分子化合物进行了紫外光谱和荧光光谱的测试。在室温DMSO溶液中,当激发波长为342 nm时,化合物在373 nm处有一强发射峰,呈现紫色荧光,这可以归属于分子内的π*→π跃迁。X射线单晶衍射分析结果表明,该超分子化合物属于三斜晶系,P1空间群,晶胞参数a=1.087 8(2)nm,b=1.125 2(2)nm,c=1.168 0(2)nm,α=97.89(3)°,β=110.91(3)°,γ=109.62(3)°,V=1.203 2(4)nm3,Z=2,R1=0.053 1,wR2=0.163 4,GOF值为1.034。 相似文献
42.
43.
离子源辅助电子枪蒸发制备Ge1-xCx薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比(G),制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪(XRD)测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测量了2~22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试(XPS)计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜(AFM)测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明:制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14~3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度. 相似文献
44.
45.
聚苯撑的合成、性能及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
对直链型、树枝形聚苯撑的合成、性能及其应用作了介绍,并着重描述了聚苯撑的应用。 相似文献
46.
反胶束模板制备聚甲基丙烯酸甲酯/无机纳米粒子/石墨纳米复合材料及其表征 总被引:6,自引:0,他引:6
以甲基丙烯酸甲酯(MMA)和三氯甲烷(CHCl3)为油相制备反胶束微乳液, 依靠表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)自组装形成的“微反应器”作为模板成功地制备了PMMA/Eu(OH)3/EG和PMMA/Ni(OH)2/EG纳米复合材料. 并用红外光谱(IR)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和差热-热重(TG-DTA)对该复合材料进行了表征和分析. 研究结果表明, 反胶束法可以有效地应用于有机-无机纳米复合材料的制备. 相似文献
47.
48.
在对系列La 掺杂的Bi2Sr2 - xLaxCuO6 + δ单晶的研究中,我们发现在极度La 掺杂( 空穴极度欠掺杂) 的样品中有高达36K 的超导相出现.X 射线衍射图(XRD) 和电镜照片都表明这种极度空穴欠掺的样品有很好的单相性,从而排除了样品化学不纯的可能.另外,对这种样品进行脱氧处理后,此超导电性相应消失,说明了这种高Tc 的超导电性是由活动性空穴掺杂引起的.虽然对相应样品在正常态的磁测量没有测出反铁磁峰(Neel 峰) ,但对系列样品的拉曼散射研究发现样品随着La 含量的增多,其反铁磁交换作用明显加强.所以,我们认为这种高Tc 超导电性的出现是在Bi2201 体系中存在宏观相分离的明显迹象 相似文献
49.
50.
采用硫酸显色法对两家药厂生产的阿奇霉素片及胶囊剂进行了溶出度考察。结果表明,阿奇霉素在10-100μg/mL范围内线性关系良好,平均 回收率为99.83%(n=6)。阿奇霉素片及胶囊剂在45min时的溶出量均不低于标示量的80%。而两厂产品体外溶出度结果均达到要求。 相似文献