压力对NH4IO3及其固溶体相变的影响

在流体静压力到10kbar范围内,采用DTA技术研究了压力对NH₄IO₃及其固溶体K_x(NH₄)_1-xIO₃的相变温度(T_c)的影响。实验结果表明,虽然固溶体的相变温度T_c随K⁺组分的增加而减小,但是dT_c/dP值却同K⁺组分无关。这意味着在压力下IO₃^-离子的伸长对T_c随压力增加起主要作用。 关键词：     

YBa_2(Cu_(1-x)Fe_x)_3O_(7-δ)超导体结构相变及其超导电性的研究

我们对YBa_2(Cu_(1-x)Fe_x)_3O_(7-δ)(0≤x≤0.07)超导体的结构相变与超导电性进行了系统研究。x射线衍射分析表明样品在x≈0.04时存在一个从正交晶到四方晶的结构相变过程,原胞体积随铁的组分增加而变大。R-T曲线测量得到零电阻温度随铁组分的增加迅速下降到液氮温度以下,零电阻温度T_c(O)随x增大而减小且在结构相变点没有突变。微结构分析表明从正交晶到四方晶的相变过程伴随着孪晶现象的消失。     

YBa_2(Cu_(1-x)Fe_x)_3O_(7-δ)超导体结构相变及其超导电性的研究

我们对YBa_2(Cu_(1-x)Fe_x)_3O_(7-δ)(0≤x≤0.07)超导体的结构相变与超导电性进行了系统研究。x射线衍射分析表明样品在x≈0.04时存在一个从正交晶到四方晶的结构相变过程,原胞体积随铁的组分增加而变大。R-T曲线测量得到零电阻温度随铁组分的增加迅速下降到液氮温度以下,零电阻温度T_c(O)随x增大而减小且在结构相变点没有突变。微结构分析表明从正交晶到四方晶的相变过程伴随着孪晶现象的消失。     

一种新型的固溶体——Mg_(x/2)Li_(1-x)IO_3晶体结构随成分的变化

本文用室温、高温X射线衍射和差热分析等方法,研究了Mg_(x/2)Li_(1-x)IO_3晶体结构及其随成份和温度的变化。 Mg(IO_3)_2·LiIO_3二元系形成一种新型的连续固溶体。 在室温对于富LiIO_3的固溶体,晶体点阵沿x-y,平面产生畸变,其畸变开始随Mg(IO_3)_2含量的增加而加大,晶体的空间群从P6_3转变为P112.当成份为3Mg(IO_3)_2·7LiIO_3时,畸变度达最大,γ=120°22′。随着Mg(IO_3)_2含量的继续增加,畸变度又逐渐减小,当成份为Mg(IO_3)_2·LiIO_3时,晶体点阵的畸变消失,其空间群又转变为P6_3。 对于富Mg(IO_3)_2的固溶休,晶休点阵沿z轴发生畸变,晶体由具有不同c值的单胞所组成。当LiIO_3量为20—30mol％时,这一现象最为明显。随温度升高,晶体逐渐转变为单一c值的单胞。 我们认为:Mg(IO_3)_2·LiIO_3二元系固溶体,晶格发生畸变是与点阵中存在着空位密切相关的。由于空位富集,使得点阵常数c不均匀。也由于空位改变晶格场,引起IO_3~-的移动或转动,使得晶格沿x-y平面发生畸变。     

钽(Ta)的添加对V_2(HfZr)三元C15化合物超导转变温度的影响的研究

本文研究了四元C15结构化合物V_2(ZrHfTa)超导转变温度的变化规律.发现Ta对V_2(HfZr)超导转变温度T_c的影响与组分有关.在富Hf区和富Zr区,Ta的添加都使T_c升高.而在三元系T_c峰值组分的V_2(Hf_0.5Zr_0.5)附近,T_c随Ta含量增加而下降,这与V_2Hf、V_2Zr加Ta后T_c随Ta含量增加而上升的趋势正相反,测量了样品的低温电阻、低温比热,未发现该四元系存在标志相变的温度反常区. 运用由角动量分波表象的能带论方法分析电子-声子作用得出的杂化能带理论分析本实验结果,认为V_2Hf与V_2(Zr_0.5Hf_0.5)的本质差异和加Ta后T_c完全相反的变化可能与Hf、Ta原子封闭的4f壳层电子与Zr原子的4d导带的相互作用有关.在某些化合物中4d与5d元素的相互作用有利于导带中的d-f杂化,因而对提高T_C可能是有利的.     

Mg(IO_3)_2-H_2O体系的一个新物相Mg(IO_3)_2·2H_2O和溶解度-温度相图

在Mg(IO_3)2-H_2O体系中发现了一个新的物相二水碘酸镁Mg(IO_3)2·2H_2O.用称重法测定了Mg(IO_3)2,Mg(IO_3)2·2H_2O和Mg(IO_2)2·4H_2O的溶解度随温度变化的曲线。     

Li_2K(IO_3)_3与Li_2NH_4(IO_3)_3的晶体结构

本文用X射线粉末法测定了Li_2K(IO_3)_3与Li_2NH_4(IO_3)_3的晶体结构和原子参数。发现Li_3K(IO_3)_3,Li_2NH_4(IO_3)_3与Li_2Rb(IO_3)_3同晶型,属单斜晶系,空间群为P2_1/α,每个单胞含有四个化合式量。室温的点阵常数分别为α=11.198A,b=11.046A,c=8.254A,β=111.53°,及α=11.327A,b=11.078A,c=8.341A,β=111.87°。讨论了二元化合物的形成与离子半径的关系。     

Li_3VO_4-Li_4TO_4(T=Ge,Si)固溶体离子导体~7Li的NMR研究

在150—573K温度范围内,研究了固溶体Li_3VO_4-Li_4TO_4(T=Ge,Si)系统不同成分的~7Li的NMR谱。发现γ_(II)相固溶体室温~7Li的NMR线宽和自旋晶格弛豫时间T_1的值都比Li_4GeO_4,Li_4SiO_4和Li_3VO_4小约一个数量级。这表明在γ_(II)相固溶体离子导体中,Li~+离子运动有可能比固溶前有数量级增长。同时还发现~7Li的电四极分裂伴线数随成分和温度而异,以及伴线强度百分比依赖于温度。这反映γ_(II)相的不同成分中,间隙Li~+离子占有的不等价位置个数不同,而Li~+离子在每个不等价位置上的占有率又随温度而变化。     

三元非晶态Zr_(76)Cu_(14)Ni_(10)低温高压下的超导性

用液相高速淬火技术制备了三元Zr_(76)Cu_(14)Ni_(10)非晶态合金.进行了不同压力下电阻与温度之间关系试验;进行了在卸除高压(10kbar)后样品电阻与温度之间关系的试验.结果表明:常压下非晶态超导转变温度T_c为3.32K.转变宽度△T_c为0.05K.随着压力从1ba→7.3kbar→10kbar递增,T_c相应从3.32K→3.39K→3.42K递增,而△T_c基本不变.超导前的剩余电阻却随压力增加而逐渐下降.168小时后卸除高压(10kbar),此时观察到样品的T_c是可逆的,而剩余电阻是不可逆的.     

Bi2Sr2CaCu2Ox单晶的磁性质研究

测量了单晶 Bi_2Sr_2CaCu_2O_x 的磁化强度随磁场和温度的关系.发现样品除在 TT_c 还有较弱的抗磁性:|X_n|～10~(-7)cm~3/g.|X_n|随温降低或外场增加而增加,在外场平行于 b 和 c 轴时 X_n 也是不同的:测量前用纯 N_z 气处理过的样品或在纯He 气中长时间测量过的样品 T_c 较高,转变较剧烈,且后一种情况下 T_c 是随测量时间增加而增高的.所以认为 Bi 系高温超导体的 T_c 与样品的氧含量有关.初步讨论了上述性质的机制.     

非晶态超导体转变温度T_c的经验公式

本文提出一个非晶态非过渡金属超导体的T_c经验公式,T_c=Aλ<ω>~(1/2)/(<ω>/ω_0+(1+λ)/20),式中A=(1/5)~(K~(1/2))。计算值和实验值,以及和Garland理论值的比较表明,T_c经验公式能很好地描述非晶态超导体的T_c值。     

CaZrO_3改性(Na,K)NbO_3基无铅陶瓷电学性能的温度稳定性

压电陶瓷广泛用于驱动器、传感器等电子领域,但是目前主要使用的压电陶瓷是铅基陶瓷.基于保护环境和社会可持续发展的需要,无铅压电陶瓷的研发变得迫切.无铅压电陶瓷(K,Na)NbO_3(KNN)因具有较高压电常数和居里温度,而受到广泛关注.然而较差的温度稳定性限制了其应用.本文通过二步合成法制备了电学性能温度稳定的(1-x)(Na_(0.52)K_(0.48))_(0.95)Li_(0.05)NbO_3-xCaZrO_3(NKLN-xCZ)陶瓷,研究了CaZrO_3对KNN基陶瓷微结构及电学性能的作用.研究结果表明:适量CaZrO_3改善了样品烧结性能,得到了致密陶瓷.随CaZr O_3增加,NKLN-CZ陶瓷的三方相(R)-四方相(T)共存出现在组分为0.05 ≤x ≤0.06.x=0.05时,陶瓷样品不但具有高居里温度(T_c=373 ℃),而且表现出良好电学性能(d_(33)=198 pC/N,k_p=39%,ε_r=1140,tanδ=0.034,P_r=21μC/cm~2,E_c=18.2 kV/cm).此外,该陶瓷由于存在弥散R-T相变,导致其相变温度区间拓宽,因此,该陶瓷具有较好的电学性能温度稳定:在温度范围为-50—150 ℃,NKLN-0.05CZ陶瓷的k_p保持在34%—39% (k_p变化量≤13%).     

Mn2+激活六角铝酸盐CeMgAl11O19-SrAl12O19固溶体的光谱学性质

本文研究(1-x)CeMgAl11O19-xSrAl12O19:Mn2+固溶体光谱学性质。Mn3+在固溶体中的荧光光潜由516nm绿色发射带和630-685nm红色发射带组成。前者归于占据4f格位的四面体Mn2+(g)离子,后者归于位于20格位的八面体Mn2+(r)中心。Mn2+(r)红色发射带随SrAl12O19含量增加而短移,x=0时,为685nm,x=0.8时,短移为630nm。固溶体中Ce3+-Mn2+(g和r)和Mn2+(g)-Mn2+(r)存在能量传递。荧光衰减分析表明,Mn2+(g)-Mn2+(r)能量传递是一种电偶极-电偶极相互作用的直接能量传递。随着固溶体中SrAl12O19含量的增加,Mn2+(g)-Mn2+(r)能量传递几率降低,临界距离R0减小。当x=0.8时,Mn2+(g)-Mn2+(r)传递消失。与之相反,Ce3+-Mn2+(g)能量传递则随SrAl12O19量的增高而加大。当x=0.8时,固溶体0.2CeMgAl11O19-0.8SrAl12O19:Mn2+中Ce2+-Mn2+(g)传递几率仅略低于商用荧光粉CeMgAl11O19中Ce3+-Tb3+传递几率。这类固溶体是有效的绿色发射荧光体。Mn2+格位(4f和2a)的晶场强度10Dq和Racah参数比C/B随SrAl12O19增加而呈减小趋势。本文表明,固溶体结构的镜面层对晶体光谱性质有大的影响。     

赝二元固溶体TbGa1-xGex(0≤x≤0.4)的结构与磁性

采用电弧熔炼法在高纯氩气保护下合成了一系列TbGa1-xGex(0≤x≤0.4)样品.X射线粉末衍射数据表明,样品均为正交晶系的CrB型结构,空间群为Cmcm.TbGa1-xGex化合物的晶格常数随Ge含量的增加而线性减小,TbGa和TbGe赝二元系在0≤x≤0.4范围内形成固溶体.化合物的顺磁居里温度以及有效磁矩由热磁测量结果确定.相变温度由交流磁化率的测量获得.随Ge含量的增加,化合物的相变温度单调下降.变温X射线粉末衍射实验表明,x=0.2和0.3的样品在110-273 K范围内无结构相变.     

Li3VO4-Li4TO4(T=Ge,Si)固溶体离子导体7Li的NMR研究

在150—573K温度范围内,研究了固溶体Li₃VO₄-Li₄TO₄(T=Ge,Si)系统不同成分的⁷Li的NMR谱。发现γ_II相固溶体室温⁷Li的NMR线宽和自旋晶格弛豫时间T₁的值都比Li₄GeO₄,Li₄SiO₄和Li₃VO₄小约一个数量级。这表明在γ_II相固溶体离子导体中,Li⁺离子运动有可能比固溶前有数量级增长。同时还发现⁷Li的电四极分裂伴线数随成分和温度而异,以及伴线强度百分比依赖于温度。这反映γ_II相的不同成分中,间隙Li⁺离子占有的不等价位置个数不同,而Li⁺离子在每个不等价位置上的占有率又随温度而变化。 关键词：     

Sr-Y-Cu-O体系的超导电性

制备了名义组分为Sr_xY_(1-x)CuO_3(0.050相似文献   

(Bi,Pb)_2Sr_2Ca_2Cu_3O_y单相样品的超导电性与载流子浓度

对(Bi,Pb)_2Sr_2Ca_2Cu_3O_y单相样品进行不同条件下的热处理,通过X射线衍射、电阻-温度关系、交流磁化率,以及Hall系数等测量,发现样品均具有较好的单相性,随着热处理条件的变化,其超导转变中点温度(T_c)有规律地分布在100—110K之间,T_c随载流子浓度(n_H)的增加而升高。实验结果表明,热处理条件对样品的相结构、超导转变温度和载流子浓度均有很大影响。作者认为,Bi系2223相的T_c,n_H与热处理所导致的氧含量变化以及局域组成和结构完整性之间存在着重要的关联。     

GdBa_2Cu_(3-x)CO_xO_y、NdBa_2Cu_(3-x)CO_xO_y 的超导电性

采用固相反应法制备了单相元素替代超导氧化物系列 GdBa_2Cu_(3-x)Co_xO_y,NdBa_2Cu_(3-x)Co_xO_y对这些样品的晶格常数和电阻-温度关系进行了测量,发现随掺杂量 x 的增加,①两系列样品均呈现出金属-半导体转变;②NdBa_2Cu_(3-x)Co_xO_y 出现一从正交到四方的结构相变,并且在发生该相变之前,超导电性已消失;③GdBa_2Cu_(3-x)Co_xO_y 的 T_c(x)随 x 变化近似成线性关系.取适当的 x_(cr),与 AG 曲线比较,发现在高含量区出现偏差.将本实验结果与 YBa_2Cu_(3-x)Co_xO_(7-δ)、YBa_2Cu_(3-x)Fe_xO_(7-δ),YBa_2Cu_(3-x)Ni_xO_(7-δ),GdBa_2Cu_(3-x)Fe_xO_(7-δ)等系列相应的结果作比较,认为磁性稀土元素与固有磁矩较大的过渡元素间很可能存在某种磁相互作用.同时还讨论了其它可能的拆对机制.     

一种新的恶二唑衍生物在金刚石对顶砧中的电阻率随压力和温度的变化关系

利用金刚石对顶砧测量了恶二唑衍生物微晶, 1,4-bis[(4-methyloxyphenyl)-1,3,4-oxadiazolyl]- 2,5-bisheptyloxyphenylene (OXD-2), 电阻随压力和温度的变化关系，并利用有限元分析方法计算了样品的电阻率。实验中，测量压力和温度达到了16 GPa和150℃。样品的电阻率随着温度的升高而降低，说明样品表现出半导体传导特性。在90-100 ℃之间，样品的电阻率有一明显的下降，说明这时发生了温度诱导的相变。随着压力的增加，样品的电阻率在6GPa左右达到最大值，此后随着压力的增加而下降。结合原位x光数据，在6GPa左右的电阻突变应该是由于样品在压力的诱导下发生了无序化的相变。     

等静压下0.75Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0.25PbTiO3陶瓷的介电性能研究

研究了等静压对0.75Pb（Mg_1/3Nb_2/3）O₃-0.25PbTiO₃（PMN-25PT）陶瓷介电温谱的影响,PMN-25PT剩余极化随等静压变化和等静压压致相变.结果表明,随着压力增加,PMN-25PT的介电峰值温度T_m降低,/+{dT_m}/-{dP}≈-4℃/kbar,极化弛豫增强;剩余极化随压力增加连续减小;介电常数对压力的依赖关系与对温度场的依赖相似,压力诱导PMN-25PT发生弛豫铁电—顺电相变,相变为宽化的渐变过程,频率色散和极化弛豫更加强烈和普遍. 关键词： 铌镁酸铅-钛酸铅 等静压 介电弛豫 压致相变