有机模板硼酸盐[C6N2H18]0.5[B5O6(OH)4]的合成、晶体结构及变温荧光性质

以硼酸和有机胺为原料在水溶液体系中合成了一种有机模板硼酸盐[C6N2H18]0.5[B5O6(OH)4](1a),通过X射线单晶衍射仪对其晶体结构进行了检测.此外,对其进行了元素分析、X射线粉末衍射、红外光谱、热重差热分析及固态荧光光谱等表征.结果表明,该化合物属单斜晶系,空间群为P21/n,晶胞参数为a=0.8593(2) nm,b=1.4015(4) nm,c=1.0293(3) nm,β=104.723(3)°,V=1.1989(6) nm3,Z=4.阴离子基团[B506 (OH)4]-通过强的氢键连接形成具有三种不同形状孔道的新颖三维超分子骨架结构.该化合物在波长为248 nm的激发光下,发射出最大发射波长为375 nm的紫外光.对化合物进行不同温度的热处理后,其荧光性质发生了明显的变化.     

芳羧酸功能化聚苯乙烯的制备及其与Tb(Ⅲ)离子配合物荧光发射特性初探

通过氯甲基苯甲酸(CMBA)的Friedel-Crafts 烷基化反应,对聚苯乙烯(PS)进行了功能化改性,将苯甲酸(BA)键合在聚苯乙烯侧链,制得了改性聚苯乙烯(BAPS),采用红外光谱、核磁共振氢谱及紫外吸收光谱等测试技术对其进行了结构表征,考察了影响CMBA与PS之间Friedel-Crafts烷基化反应的主要因素。 结果表明,适宜的反应条件为:70 ℃,以N,N-二甲基乙酰胺为溶剂,SnCl4为催化剂。 使BAPS与Tb(Ⅲ)离子配位,制得高分子-稀土配合物BAPS-Tb(Ⅲ),该配合物不仅发射出Tb3+离子的特征荧光,而且大分子配基BAPS对Tb3+离子的荧光发射显示出很强的敏化作用。     

Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation

The hardening of the buried oxide (BOX) layer of separation by implanted oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers against total-dose irradiation was investigated by implanting ions into the BOX layers. The tolerance to total-dose irradiation of the BOX layers was characterized by the comparison of the transfer characteristics of SOI NMOS transistors before and after irradiation to a total dose of 2.7 Mrad(SiO₂. The experimental results show that the implantation of silicon ions into the BOX layer can improve the tolerance of the BOX layers to total-dose irradiation. The investigation of the mechanism of the improvement suggests that the deep electron traps introduced by silicon implantation play an important role in the remarkable improvement in radiation hardness of SIMOX SOI wafers.     

Application of three-mode Einstein-Podolsky-Rosen entangled state with continuous variables to teleportation

We consider how to teleport two- and three-mode Einstein--Podolsky--Rosen entangled states (|\eta> and | p_t,\chi₂,\chi₃>) via a | p_t,\chi₂,\chi₃> quantum channel for continuous variables. Using the complete and orthogonal representation of the entangled states, we can not only find the a complete basis set for the joint measurement but also propose the specific scheme of teleportation. Our calculation can be greatly simplified by using their Schmidt decompositions.     

例说两种教学论下的物理概念教学设计

以科学取向教学论为主线, 通过具体案例设计, 对比研究了在概念教学下的哲学取向教学论和科学取 向教学论, 并提出了教学设计的新观点     

电力系统暂态稳定性的数学表述

电力系统的方程相当于一个随时间分段变化的微分代数方程（DAE）。暂态稳定性关心的是对于一个稳定的平衡态是否存在一种控制或方案。使得关于这分时间段定义的DAE系统在故障切除一段时间后仍趋于稳定（平衡点）。因此，故障切除时间是一个重要的参数。如果在很长的时间以后才采取控制措施，则系统会崩溃而无法恢复；而如果在临界故障切除时间以前就控制住，则系统就能保持稳定。对于一般的系统，常会出现孤立稳定域的现象。故障切除时间的判断方法一般有暂态能量函数法和扩展等面积法则（EEAC）。本文通过数学例子说明这些方法在可以用来判断一般的分时间段DAE稳定点的吸引域。     

An类自入射代数的不可分解模由其Loewy因子唯一确定

本文对An类有限表示型自入射代数证明了每个不可分解模由其Locwy因子唯一确定,并且每个不可分解模都是多重自由的。作为对群表示论的一个应用,亏数群为循环群的块的每个不可分解表示由其Loewy因子唯一确定,并且是多重自由的。     

用电子自旋共振波谱研究ZnS:Mn结构相变的对数直线法

本文提出用电子自旋共振(ESR)波谱的对数直线法确定ZnS:Mn的结构相变温度,在研究微量掺杂离子影响ZnS微晶结构相变温度的实验分析中取得满意的结果,克服了X射线衍射对Mn²⁺浓度在10^-3—10^-6g/g范围内ZnS相变温度不能区分的困难。     

α-AlPO_4晶体弹性温度特性的研究

研究了用缓慢升温法生长的α-AlPO_4晶体的弹性温度特性。测量采用传输法,测温范围为-30—150℃;用最小二乘法拟合弹性-温度曲线;用电子计算机处理数据。给出了弹性常数c_(ij)和s_(ij)(i,j=1,2,…,6)的温度特性方程以及T_0=25℃时的一级、二级和三级温度系数。