集成光谱学和显微学技术的多域高分辨表征平台

本文研究了最近建立的集成光谱学和显微学技术的多域(能量、空间、时间)高分辨表征平台. 它提供了一种前所未有的方式来分析材料的光谱(能量)在时间域和空间域方面的演变. 展示了在此多域分辨平台上所采集的几种实验结果，其中包括原位拉曼成像(高分辨率拉曼、偏振拉曼、低波数拉曼)、时间分辨光致发光成像和光电性能成像等等. 新建立的多域高分辨表征平台将在材料科学的光化学领域发挥重要的作用.     

用X－5树脂柱浓集生物体液中六种除虫菊酯类杀虫剂

 采用Ｘ－５树脂柱浓集生物体液中六种除虫菊酯类杀虫剂，用气相色谱－质谱（ＧＣ－ＭＳ）分析检定，用ＧＣ做人尿的定量测定，并用大鼠体内ＬＤ＿（５０）毒性实验，证明体内有原形化合物存在，方法简便、快速，灵敏度高，最低检出限达到１０～５０ｎｇ，ＧＣ定量回收率在７６～９６％之间。     

照亮世界的“新”光

2014年诺贝尔物理学奖授予为开发Ga N基高亮度蓝光发光二极管(LED)而做出先驱性工作的三位科学家。作者在阐释了这三位科学家的获奖理由以及蓝光LED对人类社会的重要意义后,简要回顾了获奖人在上世纪80年代至90年代针对蓝光LED这一技术难题,从技术路线的选择,到关键技术瓶颈的突破,再到最后取得成功所做的艰苦卓绝的工作。最后,作者还讨论了蓝光LED在带动产业发展和学科发展上的重要意义。     

分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究

报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响,提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法.     

Study on the saturation characteristics of high-speed uni-traveling-carrier photodiodes based on field screening analysis

A back-illuminated mesa-structure InGaAs/InP charge-compensated uni-traveling-carrier(UTC) photodiode(PD) is fabricated,and its saturation characteristics are investigated.The responsivity of the 40-μmdiameter PD is as high as 0.83 A/W,and the direct current(DC) saturation current is up to 275 mA.The 1-dB compression point at the 3-dB cutoff frequency of 9 GHz is measured to be 100 mA,corresponding to an output radio frequency(RF) power of up to 20.1 dBm.According to the calculated electric field distributions in the depleted region under both DC and alternating current(AC) conditions,the saturation of the UTC-PD is caused by complete field screening at high optical injection levels.     

单一晶相氧化锰纳米颗粒的交换偏置效应

本文利用高温油相法制备出尺寸、形状均一的 MnO纳米颗粒, X射线衍射图 (XRD) 和透射电子显微镜 (TEM) 照片清晰表明MnO纳米颗粒为单一的面心立方岩盐晶体结构, 尺寸为15nm, 粒径分布很窄. 通过零场冷却 (ZFC) 和带场冷却 (FC)的磁滞回线发现MnO纳米颗粒具有明显的交换偏置效应, 而且磁滞回线同时表现出横向和纵向偏移. 横向偏移说明纳米颗粒中两相复合的存在, 纵向偏移说明了存在自旋玻璃相或者超顺磁相. 进而通过不同频率下随温度变化的交流磁化率的测定, 根据Mydosh的经验数值确认 MnO纳米颗粒表面层为自旋玻璃相, 并得到 MnO纳米颗粒表面自旋玻璃相的转变温度为T_SG=32K. 关键词： 纳米颗粒 氧化锰 交换偏置 自旋玻璃     

一种新型的基于非成像光学的LED均匀照明系统

为解决发光二极管(LED)作为朗伯光源难以直接应用的问题,运用非成像光学设计方法,实现了一种新型的基于LED的均匀照明系统,它能够在一个特定位置的屏幕上形成一个具有特定尺寸的均匀圆形光斑。使用基于蒙特卡罗法的光线追迹软件对该光学系统进行模拟仿真,结果显示屏幕上光斑的均匀度优于85%,系统效率高于82%。     

Studies on the nucleation of MBE grown III-nitride nanowires on Si

GaN and AlN nanowires (NWs) have attracted great interests for the fabrication of novel nano-sized devices. In this paper, the nucleation processes of GaN and AlN NWs grown on Si substrates by molecular beam epitaxy (MBE) are investigated. It is found that GaN NWs nucleated on in-situ formed Si₃N₄ fully release the stress upon the interface between GaN NW and amorphous Si₃N₄ layer, while AlN NWs nucleated by aluminization process gradually release the stress during growth. Depending on the strain status as well as the migration ability of III group adatoms, the different growth kinetics of GaN and AlN NWs result in different NW morphologies, i.e., GaN NWs with uniform radii and AlN NWs with tapered bases.     

非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N2比例关系研究

利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气中N2比例为50%时,GaN薄膜方块电阻达1.1×108Ω/□,且GaN表面平整,均方根粗糙度为0.233 nm.二次离子质谱分析发现,载气中N2比例不同的样品中碳、氧杂质含量无明显差别.随着载气中N2比例的增加,GaN材料中螺型位错相关缺陷密度无明显变化,而刃型位错相关缺陷密度明显增加.结果表明,刃型位错的受主补偿作用是导致GaN薄膜方块电阻变化的主要原因.     

基于Mie散射理论的白光发光二极管荧光粉散射特性研究

基于Mie散射理论,对大功率发光二极管封装中荧光粉的光激发、吸收、散射等作用进行数值模拟,仿真计算在不同白光色温时前后向散射光的强度比例,研究了荧光粉的颗粒大小对白光发光二极管最大光通量的影响.对保型荧光粉涂覆结构中不同直径荧光粉颗粒和不同色温时的光效进行了分析,还分析了同样色温下不同荧光粉颗粒直径、涂层的厚度对白光发光二极管出光的空间色温分布均匀性的影响.研究中所采用的器件激发光谱和发射光谱都为材料的实测光谱,而并非假设的单一光谱.研究表明:在采用保型荧光粉涂覆结构的前提下,当荧光粉颖粒直径为0.5μm时能使发光二极管光通量达到最大;荧光粉颗粒越小,发光二极管空间色温分布均匀性越好;对给定的封装结构,荧光粉涂层厚度为0.8 mm时空间色温分布均匀性最佳.