| 非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N2比例关系研究 |
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| 引用本文： | 席光义,郝智彪,汪莱,李洪涛,江洋,赵维,任凡,韩彦军,孙长征,罗毅.非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N2比例关系研究[J].物理学报,2008,57(11). |
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| 作者姓名： | 席光义 郝智彪 汪莱 李洪涛 江洋 赵维 任凡 韩彦军 孙长征 罗毅 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973)项目，国家高技术研究发展计划(863)，北京市科委重大计划( |
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| 摘 要： | 利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气中N2比例为50%时,GaN薄膜方块电阻达1.1×108Ω/□,且GaN表面平整,均方根粗糙度为0.233 nm.二次离子质谱分析发现,载气中N2比例不同的样品中碳、氧杂质含量无明显差别.随着载气中N2比例的增加,GaN材料中螺型位错相关缺陷密度无明显变化,而刃型位错相关缺陷密度明显增加.结果表明,刃型位错的受主补偿作用是导致GaN薄膜方块电阻变化的主要原因.
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| 关 键 词： | 半绝缘GaN薄膜 载气 金属有机气相外延 位错 |
Dependence of GaN film sheet resistance on the N2 carrier gas percentage |
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| Xi Guang-Yi,Hao Zhi-Biao,Wang Lai,Li Hong-Tao,Jiang Yang,Zhao Wei,Ren Fan,Han Yan-Jun,Sun Chang-Zheng,Luo Yi.Dependence of GaN film sheet resistance on the N2 carrier gas percentage[J].Acta Physica Sinica,2008,57(11). |
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| Authors: | Xi Guang-Yi Hao Zhi-Biao Wang Lai Li Hong-Tao Jiang Yang Zhao Wei Ren Fan Han Yan-Jun Sun Chang-Zheng Luo Yi |
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