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102.
103.
系统研究了采用金属有机物化学气相外延方法在740℃和900℃条件下生长的n型GaN的电学特性. 电化学电容-电压测试表明,在低温条件下采用三乙基镓作为Ga源生长有利于降低非故意掺杂n型GaN的背景杂质浓度. 另外,对重掺Si的n型GaN的霍耳效应测试表明,随着Si掺杂浓度增大,电子浓度相应线性增大,表现出杂质带导电特性,而迁移率则相应减小. 同时,原子力显微镜测试和X射线衍射测试均表明生长温度和掺杂浓度对外延材料的表面形貌和晶体质量有影响,特别是在高掺杂浓度的情况下,样品的表面形貌恶化更严重. 在所研究的
关键词:
n型GaN
电子浓度
迁移率 相似文献
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105.
106.
We introduce a full interaction Hamiltonian method to the generalized quantum chemical approach and apply it to investigate the electron tunneling properties of 1,3-benzenedithiol molecular device. The weak gate effect we calculate is consistent with the experiment. The asymmetric current character mainly comes from the asymmetry of the molecule and the nonlinear responding to the gate electric field. 相似文献
107.
Improvement of A1N Film Quality by Controlling the Coalescence of Nucleation Islands in Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 下载免费PDF全文
The influence of nucleation coalescence on the crystalline quality of A1N films grown on sapphire by plasma- assisted molecular beam epitaxy is investigated. The coalescence speed is controlled by the V/Ⅲ ratio chosen for the growth after nucleation. A slightly Al-rich condition, corresponding to slow coalescence, can significantly reduce the density of edge threading dislocation (TD), which is found to be dominant in AIN epilayers. The cross-sectional TEM image of the AIN epilayer grown under this condition clearly reveals an automatically formed boundary where an abrupt decrease of edge TD density occurs. 相似文献
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109.
研究了在分子束外延制备的AIN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AIN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表明,当AIN的表面粗糙度较小时,尽管AIN模板的位错密度较高((102)面XRD ω扫描半高全宽900-1500 arcsec),但生长得到的GaN依然具有和在蓝宝石衬底上采用"二步法"生长的GaN可比拟的晶体质量((002)面XRD ω扫描半高伞宽200-300 arcsec,(102)面400-500 arcsec)和表面粗糙度(0.1-0.2 nm).TEM照片表明GaN中位错密度降低的原因是AIN中的一部分位错在AIN和GaN的界面处被终止而未能延伸至GaN中.这可能是因为Ga原子尺寸较大,具有修复晶格缺陷的作用.而当AIN的表面粗糙度较大时,Ga原子在MOVPE生长过程中的迁移受到影响.得到的GaN晶体质量非常差.此外,采用范德堡法测量的GaN电阻率为105-106Ω·cm,比蓝宝石衬底上生长的GaN高大约6个数量级,这被认为是采用AIN代替GaN低温缓冲层所致. 相似文献
110.