ULTIMATE BOUNDEDNESS FOR A DIFFERENTIAL DELAY MODEL

This paper considers the scalar differential delay equation x(t) = -μx(t)-f(x(t-Τ(t)), t). By using the mapping method we obtain that the solutionswill be ultimately in some interval.     

A15Nb_3Ge超导薄膜的电子显微镜观察

在透射电子显微镜(TEM)下观察了五个溅射的NbGe超导薄膜样品.结果表明,在高温(1000℃)时薄膜沉积.其显微结构是大的同轴向的A15晶粒,在晶粒边界上有一些“片状”结构。T_c很高(≥22K)薄膜其显微结构是形状不规则的,带有缺陷的A15晶粒以及有严格花样的“杆状”晶粒.虽然我们不能从电子衍射中辨别(T)Nb_5Ge_3相,但却发现了(六角)Nb_5Ge_3.由此得到,高T_cA15亚稳相是与(T)以及(六角)Nb_5Ge相共存的.     

高T_cNb-Ge超导膜的制备及分析

用直流吸气溅射法获得了Tc1)起始等于23K的Nb-Ge膜.对样品进行了分析,初步总结了高Tc-A15Nb3Ge的成相规律,对与Tc密切相关的因素进行了讨论. 引 言 很多A15型化合物具有超导电性且其超导转变温度Tc很高.1973年,Gavaler首次用直流低电压,高Ar气压力溅射法获得Tc起始温度为 22K的     

用微机辅助"旋转磁场"的教学

用Ｃ语言开发的教学软件，将“旋转磁场”的形成与旋转过程以动态，静态和分解的形式演示出来，能清楚地揭示了磁场的来源与旋转的成因，显示微机辅助教学的优势。     

伏安法测电阻中电表内阻的修正

在大学普通物理实验中，通常采用伏安法测量电阻，电路图如图1（a）、（b）所示．图1（a）为电流表外接法，图1（b）为电流表内接法．由图1（a）知即测量值R等于被测电阻尼和电压表内阻Rv的并联值．由图1（b）知即测量值R等于被测电阻Rx和电流表内阻RA的串联值．由式（1）和式（3）可见，由于电表内阻的存在，给测量结果带来了一定的系统误差．同时，由式（2）和式（4）可以看出，如果知道了电表的内阻RV或RA，便可对测量结果进行修正．但是，在电表内阻未知的情况下，用上述方法修正测量结果时，就显得比较繁琐．另外，采用电流表的内…     

Y稳定的ZrO_2基体上YBa_2Cu_3O_7／SrTiO_3／YBa_2Cu_3O_7异质外延三层膜的制备、超导性能和显微结构

采用磁控溅射方法在（１００）ＹＳＺ基底上沉积了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＳｒＴｉＯ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７异质外延三层膜，利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能，利用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征．研究结果表明，膜层的结晶质量较好，临界转变温度Ｔｃ在８３．Ｋ和８６．７Ｋ之间．ＹＢＣＯ膜层中的绝大多数甚至全部）晶粒为Ｃ取向，在有些膜中只存在少量的ａ或ｂ取向的ＹＢＣＯ晶粒．三层膜中层界面比较清晰但不十分平整．在膜／基界面处有８－１０ｎｍ厚的过渡层，它由多晶的ＢａＺｒＯ３组成．膜层和（１０）ＹＳＺ基底之间具有如下的外延生长关系ＹＳＺ［００１］／／ＹＢＣＯ［１１０］／／ＳｒＴｊＯ３［１１０］；ＹＳＺ（１００）／／ＹＢＣＯ（００１）／／ＳｒＴｉＯ３（００１）．     

High temperature superconducting thin films for microwave filters

YBa₂Cu₃O_7-δ and Tl₂Ba₂CaCu₂O₈ thin films for microwave filters were synthesized by pulsed laser deposition and the two-step thalliation process. Substrate quality requirements and the relation of thin film morphology, microstructure with microwave surface resistance were discussed.     

吸气溅射Mo_(1-x)Si_x薄膜的超导性能

对于四个Mo_(1-x)Si_x薄膜样品进行了超导转变温度、临界温度附近的临界磁场以及在4.2K下的临界电流的测试,并且测量了室温(300K)及低温(8K)下的电阻率,结果显示四个样品具有非晶的特征,其中Mo_(78)Si_(22)薄膜样品有较好的非晶特性。     

吸气溅射Mo1-xSix薄膜的超导性能

对于四个Mo_1-xSi_x薄膜样品进行了超导转变温度、临界温度附近的临界磁场以及在4.2K下的临界电流的测试,并且测量了室温(300K)及低温(8K)下的电阻率,结果显示四个样品具有非晶的特征,其中Mo₇₈Si₂₂薄膜样品有较好的非晶特性。 关键词：     

吸气溅射装置

我们研制了一台吸气溅射装置,使用普通真空系统.文中介绍了吸气溅射原理及装置的结构.并用溅射Nb_3Ge的条件,制备了Nb膜,超导转变温度为8.95K.