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11.
Gd2Zr2O7中Gd具有很大的中子吸收截面, 其烧绿石结构-缺陷萤石结构的转变能较低, 使其成为理想的核废料固化基材. 使用硝酸盐为原料, 添加少量NaF作助熔剂, 在较低温度下(和传统高温固相反应相比), 合成了烧绿石型Gd2Zr2O7. 以Ce4+模拟Pu4+, 研究了Gd2Zr2O7对锕系核素的固化, 并合成了系列模拟固化体(Gd1-xCex)2Zr2O7+x (0≤x≤0.6). 采用粉末X射线衍射(XRD)对系列样品进行了表征. 结果表明: 随着x值的增大,样品从烧绿石结构向缺陷萤石结构转变, 且晶胞大小基本保持恒定, 但当x=0.6时, 衍射峰明显宽化, 晶格畸变比较严重, 晶格稳定性降低. 当x=1时, 即用Ce4+完全取代Gd3+进行合成, 不能得到Ce2Zr2O8, 产物发生了相分离, 为四方结构的(Zr0.88Ce0.12)O2和萤石结构的(Ce0.75Zr0.25)O2的混合物. 模拟固化体的浸出率测试表明: 当x≤0.2时, 各元素浸出率均很低, 但当x≥0.4时, 各元素的浸出率明显升高, 说明以Gd2Zr2O7作为固化Pu4+的基材, Pu4+掺入量不宜高于40%. 相似文献
12.
利用不变本征算符法, 计算低温下自旋为1/2的XY模型一维亚铁磁棱型链系统的元激发谱, 讨论在此系统中不同的特殊情形下的元激发能量, 从而给出体系的三个临界磁场强度的解析解HC1, HC2, Hpeak. 分析不同外磁场下 体系的磁化强度随温度的变化规律, 发现三个临界磁场强度的解析解HC1, HC2, Hpeak是正确的, 并从三个元激发对磁化强度的贡献进行了说明. 低温下磁化强度随外磁场的变化呈现1/3磁化平台. 体系的磁化率随温度或者外磁场的变化都出现了双峰现象. 这说明双峰源于二聚体分子内电子自旋平行排列的铁磁交换作 用能和二聚体与单基体分子间电子自旋反平行排列的反铁磁交换作用能, 热无序能, 外磁场强度相关的自旋磁矩势能之间的竞争. 相似文献
13.
Markowitz首先采用方差度量风险,并应用于投资组合优化中,大多数的均值方差模型仅对随机投资组合优化或模糊投资组合优化进行研究,然而,实际投资组合优化问题既包含随机信息也包含模糊信息。本文首先定义随机模糊变量的方差,并用其度量风险,提出了具有交易成本、借贷约束和阀值约束的均值-方差随机模糊投资组合优化模型。基于随机模糊理论,将上述模型转化为具有线性等式和线性不等式约束的凸二次规划问题,并得到其KKT条件。本文还提出改进的旋转算法求解上述模型,该算法消掉KKT条件中部分变量,减少计算量。最后,采用中国证券市场的实际数据进行样本内分析和样本外分析,验证了上述模型和算法的有效性。 相似文献
14.
我们发现高超导转变温度Tc(23K)的溅射Nb-Ge膜,都含有一定量的Nb5Ge3相,且Nb/Ge<3。对一般样品,用感应法所测的Tc都低于电阻法所测结果约1—2K,Tc≥22K的量在样品中所占的比例相对来说都比较小。对于只含A15相的薄膜,更显示出具有几个台阶宽的转变曲线,高Tc相含量很少;而对于含有A15相和一定量Nb5Ge3相的薄膜,感应法测量结果是一个较陡且光滑的转变曲线。电子显微镜观察呈现出Nb5Ge3和A15相的有趣的分布。这些结果对于我们以前提出的Nb5Ge3相对高TcA15相有稳定作用的观点是一个进一步的证明。 相似文献
15.
16.
随着集成电路特征尺寸的不断缩小, 互连线在芯片内部占的比重越来越大, 但是互连线仅用于数据传输, 芯片计算能力仍然需要依靠晶体管开关实现. 如何在有限的硬件资源内进一步提高芯片的计算能力, 已经成为当前集成电路设计的核心问题. 本文通过研究金属互连线间电容耦合效应, 采用互连线串扰现象完成逻辑运算的思想, 提出一种基于线计算的全加器设计方案. 该方案首先建立线计算模型, 通过调整反相器阈值和不同干扰线与受扰线之间电容耦合强度匹配技术, 采用相同线计算电路结构实现不同功能的逻辑门电路; 然后, 在逻辑门的基础上实现基于线计算的全加器; 最后, 在TSMC 65nm CMOS工艺下仿真验证. 结果表明, 所设计的线计算电路具有正确逻辑功能, 与传统设计方法相比, 线计算逻辑门具有更低开销, 且线计算电路具有抗逆向工程能力. 相似文献
17.
利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱PL谱较好,增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下,生长速率对量子阱质量的影响,利用模型解释了高In气相比时,随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。 相似文献
18.
19.
20.
钾芒硝是一种成因复杂的复盐[1~ 3 ] ,并且由于钾芒硝K3 Na(SO4 ) 2 与硫酸钾石 [K3 Na(SO4 ) 2 或Na2 SO4 ·3K2 SO4 ]的化学组成相同 ,未能确定二者是否属于同一种复盐[4 ,5] 。我们合成了复盐K3 Na(SO4 )2[3 ] ,用溶解量热法测定了K3 Na(SO4 )2 和反应物 [Na2 SO4 (s) +K2 SO4 (s) ]的溶解焓 ,通过设计热化学循环计算出复盐的标准生成焓 ,为我们了解钾芒硝和硫酸钾石是否为同一复盐 ,并为进一步研究其成因和组成提供参考。1 实验部分1 1 试剂与仪器K2 SO4 (s)和Na2 SO4 (s)为A .R .… 相似文献