Polarization readout analysis for multilevel phase change recording by crystallization degree modulation

Four different states of Si15Sb85 and Ge2Sb2Te5 phase change memory thin films are obtained by crystallization degree modulation through laser initialization at different powers or annealing at different temperatures. The polarization characteristics of these two four-level phase change recording media are analyzed systematically. A simple and effective readout scheme is then proposed, and the readout signal is numerically simulated. The results show that a high-contrast polarization readout can be obtained in an extensive wavelength range for the four-level phase change recording media using common phase change materials. This study will help in-depth understanding of the physical mechanisms and provide technical approaches to multilevel phase change recording.     

近红外波段锑基铋掺杂薄膜厚度对光学常数与光学带隙的影响

采用磁控溅射法制备了不同厚度的锑基铋掺杂薄膜,用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)研究了薄膜结构随厚度的变化。利用椭圆偏振法测定了样品薄膜在近红外波段的光学常数与光学带隙,研究了膜厚对样品薄膜光学常数和光学带隙的影响。结果表明,膜厚从7 nm增加至100 nm时,其结构由非晶态转变为晶态。在950～2200 nm波段,不同厚度薄膜样品的折射率在4.6～8.9范围,消光系数在0.6～5.8范围,光学带隙在0.32～0.16 eV范围。随着膜厚的增加,薄膜的折射率和光学带隙减小,而消光系数升高;光学常数在膜厚50 nm时存在临界值,其原因是临界值前后薄膜微观结构变化不同。     

溴代酞菁铜衍生物薄膜的折射率和吸收特性

通过旋涂法在单晶硅片上制备了一系列含有不同数目溴取代基的酞菁铜衍生物：一溴代－四烷氧基酞菁铜（MBTAPcCu），二溴代－四烷氧基酞菁铜（DBTAPcCu），四溴代－四烷氧基酞菁岣（TBTAPcCu）和无溴代－四烷氧基酞菁铜（NBTAPcCu）薄膜，利用同步旋转起偏－检偏器（RAP）型的宽谱扫描全自动椭圆偏振光谱仪测定了上述薄膜的椭偏光谱，获得了该系列薄膜的复折射率、复介电常数和吸收系数，研究了溴取代基对酞菁铜衍生物薄膜光学性质的影响。     

磺化2,3-萘酞菁锌(Ⅱ)、钴(Ⅱ)的电子吸收光谱和荧光光谱的研究

研究了磺化2，3-萘酞菁锌(Ⅱ)、钴(Ⅱ)在DMF(N，N-二甲基甲酰胺)、DMSO(二甲基亚砜)、乙醇、水等溶剂中的电子吸收光谱和荧光光谱．萘酞菁配合物的Q带与相应的酞菁配合物Q带相比，电子吸收光谱红移80～90nm，荧光光谱红移约100nm，荧光强度也显增加．在金属萘酞菁中引入磺酸基，配合物的电子吸收光谱Q带发生红移，但是影响不大、对于相同中心金属的配合物，改变溶剂的种类对配合物的电子吸收光谱的Q带影响较大．在金属萘酞菁环上引入一个磺酸基时，在相同溶剂中与无取代萘酞菁相比发生荧光光谱Q带红移，荧光强度增大．但在萘酞菁环上继续引入磺酸基时，荧光强度反而减少．磺化萘酞菁钴比磺化萘酞菁锌有较大的荧光强度．不同浓度下的电子吸收光谱和荧光光谱说明金属萘酞菁有集聚倾向、能形成基激缔合物．     

几种萘酞菁硅配合物的光动力效应的研究

研究了7种轴向配位的萘酞菁硅配合物的激发态性质、产生单重态氧的能力及对几种氨基酸的光敏氧化能力.研究表明,对于相同浓度的不同配合物来说,随着轴向配位基团推电子能力的逐渐增强,激发三重态寿命降低,产生单重态氧的能力逐渐下降,而产生单重态氧的能力是光敏氧化氨基酸反应速率的决定因素,因此,其光敏氧化氨基酸的一级反应速率常数逐渐减小.     

两种三光子吸收染料光限幅性能的实验研究

研究了两种新型D-π-D结构的芴类衍生物4-{7-[4-（二甲基胺）苯基]-9,9-二（2-乙基己基）-9H-芴-2-}-N,N-二甲基苯胺[缩写为B（DMAP）F]和4-{2-[7-（4-氨基苯乙烯基）-9,9-二（2-乙基己基）-9H-芴-2-]乙烯基}苯胺（缩写为BASF）在四氢呋喃（THF）和N,N-二甲基甲酰胺（DMF）中的线性吸收和单光子荧光行为,用脉冲宽度为38ps,重复频率为10Hz的1064nmNd;YAG脉冲激光研究了两种化合物的三光子吸收性质,结果表明：受溶剂效应的影响,两种化合物在极性较大的四氢呋喃溶剂中的最大线性吸收峰和荧光发射峰都有所红移;在极性较大溶剂中三光子吸收截面的数值较大,最高达到10^ -76cm^6S^2数量级。两种新材料还表现出明显的三光子吸收光限幅效应,当入射光强为8GW／cm^2时,B（DMAP）F和BASF的非线性透过率分别达到35％和39％。     

Optical Switch Formation in Antimony Super-Resolution Mask Layers Induced by Picosecond Laser Pulses

Sb is a classic material of a super-resolution near field structure （super-RENS） mask layer in which the optical switch formation is often realized by nanosecond laser pulse stimulation. We achieve fast and repeatable optical switching driven by picosecond laser pulses in a proper fluence range on Sb thin films. The optical properties of Sb thin films before and after switching are studied by surface-sensitive micro-area ellipsometry. The change of optical constants after switching is less than 2% in the whole visible range. The Sb mask layer is shown to be very promising for ultrafast super-resolution optical storage applications.     

萘酞菁类配合物的气敏特性

在阐述了萘酞菁配合物的结构特点和气敏机理的基础上,讨论了影响萘酞菁配合物气敏性的主要因素,介绍了近年来萘酞菁配合物气敏物特性研究的最新进展,并对萘酞菁配合物作为气敏材料的发展趋势进行了展望。     

TCNQ脂类衍生物及其铜复合物的合成与红外光谱研究

首次合成了7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷的脂类衍生物: TCNQ(C₂H₄COOR)₂(R=CH₃, C₂H₅, C₃H₇)及其铜电子转移复合物。通过元素分析确定这些化合物的组成, 对这些化合成物在4 000～400 cm-1范围内的主要红外光谱吸收峰进行了归属,并讨论了取代基对TCNQ类衍生物红外光谱的影响及其规律。     

单异硫氰基3∶1不对称酞菁锌的光谱性质研究

测定了三种含异硫氰基3∶1不对称酞菁锌配合物(RO)₆(NCS)PcZn(Ⅱ)(R=n-C₄H₉; n-C₅H₁₁; n-C₁₀H₂₁)在五种有机溶剂中的电子吸收光谱,研究了取代基和溶剂对吸收光谱的影响和规律。同时测定它们在有机溶剂中的荧光发射光谱,研究了外部取代基、溶剂和浓度对最大发射波长及荧光强度的影响规律,发现此类配合物具有特定的荧光效应,有望成为光动力诊断和治疗的有效光敏剂。