MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。     

共线型CS_2微微秒光学快门

用钕玻璃超短脉冲作为开关脉冲,以CS_2作为光克尔介质,在共线型光路中实现了透过特性曲线宽度为15ps的超高时间分辨光学快门,并测量了超短脉冲的宽度。     

超临界CO_2萃取/气相色谱-质谱联用测定纺织品中邻苯二甲酸酯

采用超临界CO_2萃取技术(SFE-CO_2)从纺织品中萃取了邻苯二甲酸酯类增塑剂。探讨了不同萃取条件(萃取压力、萃取温度、萃取时间、共溶剂种类、收集溶剂种类)对邻苯二甲酸酯萃取率的影响,建立了超临界CO_2流体萃取/气相色谱-质谱联用(SFE-CO_2/GC-MS)法测定纺织品中13种邻苯二甲酸酯的检测方法。研究表明:采用正己烷为共溶剂和接收剂,萃取温度60℃、压力35 MPa,萃取时间60 min的条件最佳,萃取物经GC-MS测定,邻苯二甲酸二异癸酯在10～1000μg/mL范围内线性关系良好,其余12种邻苯二甲酸酯在1～500μg/mL范围内线性关系良好,相关系数为0.9917～0.9994,加标回收率在80.0%～117.2%之间,RSD在1.1%～7.2%之间。     

分散固相萃取/气相色谱-三重四极杆串联质谱测定蔬菜和水果中67种农药残留

建立了分散固相萃取/气相色谱-三重四极杆串联质谱法(Qu ECh ERS/GC-MS/MS)同时测定蔬菜和水果中67种常规检测农药的分析方法。番茄样品用1%乙酸乙腈匀浆提取,经分散固相萃取剂净化后,采用气相色谱-三重串联四极杆串联质谱在多反应离子监测(MRM)模式下进行检测,外标法定量。结果表明,67种农药在0.005~0.24μg/m L范围内呈良好的线性关系,相关系数(r2)均大于0.99;番茄、葱、通菜和橙子基质在0.02,0.06,0.12 mg/kg 3个加标水平下,67种农药的平均回收率为60.3%~119.8%,相对标准偏差(RSD)为0.5%~14.7%;方法的检出限(LOD)为0.000 1~0.003 mg/kg,定量下限(LOQ)为0.000 2~0.009 mg/kg。将该法应用于蔬菜、水果中农药残留检测,并与GC,GCP/GC-MS,LC-MS/MS方法进行对比,结果较为满意。该方法简便快捷、灵敏度高、选择性好,具有良好的重现性和稳定性,适用于日常蔬菜水果中农药多残留的快速筛查和确证检测。     

阵列波导光栅波分复用/解复用器光谱响应效率的理论模型

基于单模光波导的本征模场分布，瑞利－索末菲衍射积分公式和天线原理的互易定理，给出耦合器中两个非接触平面光波导耦合特性的描述.基此，根据等光程差不等振幅多光束干涉的光场叠加原理，推导出新颖的阵列波导光栅波分复用/解复用器的光谱响应效率的解析函数表达式，这些表达式可为快速精确分析阵列波导光栅波分复用/解复用器的特性提供理论基础.同时,介绍了一个计算阵列波导光栅波分复用/解复用器特性的例子，给出其光谱响应度和信号通道串扰.     

广西龙胜珠心算选手的足迹

在广西龙胜少数民族自治县有一所龙胜小学,现在是中国珠算心算协会、中央教育科学研究所“珠心算教育具有开发儿童智力潜能作用研究”课题的实验学校。这所学校,从上个世纪九十年代初开始,就在推广三算结合教学的基础上,用珠心算的方法培养出一批又一批广西的优秀珠心算选手,为广西的珠心算发展作出了积极的贡献。这些选手的成绩,摆到全国并不算突出,但在广西她(他)们则都是佼佼者。现在,这些选手有的已经进入社会,有的正在大学里读书,她(他)们从少数民族一个山区县里走出来,有的到了北京,有的到了上海,有的到了南宁,有的到了桂林。有人问:她(他)们这一路走过来,走得还好吗?就笔者的了解,龙胜县的那批选手,现在在北京的有4人,在上海有1人,在南宁有2人,在桂林有2人。在北京的是:石庆师,她九十年代初开始学习珠心算,曾在广西小学生珠心算比赛中获得过三连冠,中央电视台“第二起跑线”在广西录制节目时,被邀请到录制现场作珠心算表演,博得一阵又一阵的热烈掌声和喝彩声,1995年随广西珠算代表团出访日本,进行珠心算表演和交流,得到日本珠算专家的赞赏,2001年以高分考入中央财经大学,就读注册会计师专业,毕业时各科成绩优秀,入选可自动留京就业的范围,...     

60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响

 利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜，利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入（辐照）薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响，结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降，而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H⁺离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。     

InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究

采用常压金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术、光透射谱、光致发光光谱对InxGa1-xN／GaN／AI2O3样品进行了测试。研究了InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动。结果表明，采用光透射谱、光致发光光谱得到的InxGa1-xN薄膜的禁带宽度一致，InxGa1-xN薄膜并不存在斯托克斯移动。InxGa1-xN薄膜的In组分分别为0．04，0．06，0．24，0．26时，其弯曲因子分别为3．40,2．36，1．82，3．70。随In组分变化。InxGa1-xN薄膜的弯曲因子的变化并没有一定的规律，表明InxGa1-xN薄膜的禁带宽度随In组分的变化关系复杂。     

利用普通玻璃堆片作减光板拍全息图

利用普通玻璃堆片作减光板拍全息图莫秀珍，陈劲民，郑碧华（湛江水产学院５２４０２５）近年来，由于全息照相的效果不够理想，有些工科院校把它从物理实验课中取消了．现介绍我实验室利用普通玻璃堆片简单改进的全息照相技术的实验，改进后学生容易掌握，拍摄出的全息图...