生成对抗网络在图像隐写中的应用

针对传统图像隐写方法面临的安全威胁日益严重的问题,按照基于载体修改、载体选择和载体合成的3类方法介绍生成对抗网络(generative adversarial network,GAN)在图像隐写领域的研究进展,根据不同类型隐写方法的特点,分析当前基于GAN的图像隐写方法的基本思路,阐明GAN的作用、模型实现以及特点。最后总结了将GAN应用于图像隐写中的优势及发展趋势,为图像隐写方法的发展提供可借鉴的思路。     

Z箍缩Al等离子体X辐射谱线的分离及电子温度的提取

以"强光一号"Z箍缩装置10174发次光谱诊断实验结果为例,描述了一种对Z箍缩等离子体X辐射光谱分离提纯、诊断的方法.对连续辐射谱和特征辐射线谱进行分离,并从连续辐射谱和特征辐射线谱中提取了等离子体电子温度信息.结果显示:等离子体连续谱主要由等离子体中心的高温区(Te=290.7 eV±1.2 eV)和温度较低的壳层区域(Te=95.3 eV±8.3 eV)两部分叠加而成;特征辐射线谱主要反映了等离子体中心的高温区信息,根据非局域热动平衡模型计算提取的电子温度约为299—313 eV,与连续谱诊断结果基本符合.     

采用EPR谱和TEM对YSZ单晶辐照损伤的研究

 利用电子顺磁共振(EPR)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了YSZ单晶的辐照效应。200 keV的Xe和400 keV的Cs离子注入［111］取向的YSZ单晶中，注量均为5×10¹⁶ cm^-2。EPR结果表明辐照产生了共振吸收位置g‖=1.989 和 g⊥=1.869、对称轴为［111］的六配位Zr³⁺顺磁缺陷。Cs辐照产生了比Xe 离子辐照多约150倍的六配位Zr³⁺顺磁缺陷。两种样品的剖面电子显微分析表明没有发现非晶化转变，但是Cs离子辐照的样品在损伤集中区域产生了密度较高的缺陷。因此，EPR谱和电子显微观察均说明在相同离位损伤(约160 dpa)的情况下，Cs离子辐照比Xe 离子辐照产生了更多的缺陷。造成这一现象的原因是Cs离子是化学活性的而Xe 离子却是惰性的。     

60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响

 利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜，利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入（辐照）薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响，结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降，而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H⁺离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。     

不同速度混合的阵列信号速度分析*

为了考察正交偶极子测井中同向分量的速度变化规律,该文采用不同速度传播的两个相同频率的正弦波以不同幅度比进行混合来模拟同向阵列在不同方位接收到的波形,并用波形匹配方法提取混合后的波列速度。数值结果表明,同向分量的视速度一般介于两个混合的正弦波的速度之间,且与由拟合得到的双曲正切函数比较吻合。但在特殊条件下,也会出现阵列复合波形的速度会在正弦波速度范围之外,表现出一定的异常。异常出现的条件和大小与源距、频率以及速度差有关,并可用一个简单的数学关系式表达。该文的结果还可以为实际处理不同源距的混合波测速问题提供参考。     

溴化壳聚糖抗菌敷料的电化学制备及性能

采用电化学两步法快速制备了一种含溴胺结构的自支持壳聚糖抗菌敷料(Chit-Br)。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、衰减全反射红外光谱(FTIR-ATR)、碘量滴定、抗菌实验对溴化壳聚糖膜的结构、溴胺(N—Br)含量及抗菌性能进行了表征。结果表明:壳聚糖可通过电极反应原位生成溴化试剂而被溴化,溴化过程同时伴随着对糖单元的氧化。当阳极电量为4.0~20.5C时,所制备的Chit-Br膜中的N—Br含量无显著差异。溴化壳聚糖膜对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌均具有优异的抗菌性能,通过破坏细菌表面结构导致细菌死亡。     

电磁波在有缺陷介质中的传播特性

本文以麦克斯韦方程组为基础研究了电磁波在具有缺陷的材料中的传播特性.采用时域有限差分法数值计算了电磁波在具有表面和亚表面缺陷的材料内部传递时电场强度的空间分布.计算结果表明,材料表面、亚表面缺陷扰乱了瞬态电场的均匀分布,导致材料内部某些位置的电场强度成倍增大,从而成为材料热学、力学性质变化的"诱点".文中利用光学知识讨论了缺陷对电磁波调制作用的物理本质.     

RbCl熔解的分子动力学模拟研究

采用等压分子动力学模拟方法，研究了从晶相到液相不同温度下ＲｂＣｌ体系的结构和性质，等压模拟咄等容怀致的平衡性质和结构特征，键序参数计算，不计及导热过程情形下，体系在振荡驰豫时间量级内完成熔化过程，由于不需要密度数据，等压模拟有望发展成为材料设计中的一种手段。     

熔融ZnCl2结构的分子动力学模拟研究

熔融ZnCl2作为一种离子性共价性参半的典型熔盐, 其近邻结构在实验测量和分子动力学模拟方面均作过一些研究。本文依据新近EXAFS实验结果, 比较了不同的有效势下模拟得到的径向分布函数,表明KDR势可作为一种实用势。并进一步在KDR势模拟产生的瞬态构型基础上, 使用键序参数方法研究了晶态和熔融态ZnCl2中的近邻结构。结果表明, 和晶态ZnCl2一样, 在熔融ZnCl2中存在稳定的Zn/Cl正四面体结构, 但熔态和晶态Zn/Cl近邻结构热波方差σ不同。计算表明300K晶态σ=5.0℃, 613K熔融态σ=12.2℃。也对熔融ZnCl2的网络状结构和宏观输运性质进行了讨论。     

光学材料亚表面缺陷处强激光电磁场分布的3维模拟

 利用时域有限差分法求解麦克斯韦旋度方程，研究了光学材料表面缺陷对入射激光场的调制作用，建立了亚表面缺陷的3维模型。以长方体表面缺陷为例，对缺陷附近的光场分布进行了3维数值计算，给出了电场强度3维分布图和缺陷不同尺寸时的最大电场强度。研究表明，相对于2维简化情况，3维表面缺陷对强激光电磁场的调制作用更加明显。