调压大功率恒流源介绍

用于直线感应电子加速器,为励磁线圈提供恒定大电流,用以产生所需要的轴向磁场,以约束电子束的扩散,保持电子束沿轴向传输、箍缩、聚焦。采用调压式、线性串联调整方案,调整管采用中等功率多只并联,冷却系统仅用散热器和风冷。当电网、电流和负载在较大范围变化时,通过调压模块自动调控恒流源直流供电电压而使调整管工作在较低电压(5～10V)。工作方式有手动和程控2种。手动方式可预置电流、实测电流,预置恒流源的工作电压,测量调整管的管压降和负载电压,指示三相电网的相电压或线电压;程控方式采用工控机,对多台恒流源点"名"排队发指令,可…     

AuQ+碰撞氦原子单电离的全微分截面

利用三体扭曲波计算了3.6 MeV/amu的Au^Q+ (Q=24,53)碰撞氦原子单电离的全微分截面,其结果与实验数据和其它理论进行了比较,表明全微分截面受到高电荷入射粒子的强烈影响,敲出的电子被“拖拽”沿着向前的方向. 但是,所有的理论结果都不能呈现实验上全微分截面的独特的向前峰.     

电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析

应用蒙特卡洛方法计算了质子在科学级电荷耦合器件(charge-coupled device, CCD) 结构中的能量沉积, 并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验数据, 分析了器件的辐射损伤机理. 仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量, 辐照与退火试验过程中主要考察暗信号、电荷转移效率两个参数的变化规律. 研究结果显示, 暗信号和电荷转移效率的变化规律与位移、电离损伤剂量一致; 退火后暗信号大幅度降低, 辐照导致的表面暗信号增加占总暗信号增加的比例至少为80%; 退火后电荷转移效率恢复较小, 电荷转移效率降低的原因主要为体缺陷. 通过总结试验规律, 推导出了电荷转移效率退化程度的预估公式及其损伤因子k_damage.     

基于1/f噪声的NPN晶体管辐照感生电荷的定量分离

本文针对NPN双极性晶体管, 在研究辐照感生的氧化层电荷及界面态对晶体管基极电流和1/f噪声的影响的基础上, 建立辐照感生氧化层电荷及界面态与基极电流和1/f噪声的定量物理模型. 根据所建立的模型, 提出一种新的分离方法, 利用1/f噪声和表面电流求出氧化层电荷密度, 利用所求得氧化层电荷密度和表面电流求出界面态密度. 利用本方法初步实现了辐照感生氧化层电荷及界面态的定量计算.     

电子束放射照相的特性与参数优化

短脉冲强激光产生的电子束具有源尺寸小、脉宽窄、准单能谱等特点, 在放射照相诊断中具有独特作用. 本文通过分析电子在材料中散射并采用蒙特卡罗方法数值模拟, 研究了100 keV到几百MeV能量电子束对有厚度起伏或存在界面的靶的透视, 并与质子、X射线束透视结果比较, 给出了电子束放射照相的特性与参数优化: 基于电子在材料中非弹性散射或能量损失, 选用能量使其射程与靶厚度接近的电子束来诊断靶厚度不均匀性; 基于电子在材料中的弹性散射, 选用射程超过靶厚度的电子束来诊断靶界面.     

带电粒子在四电荷系统内的运动模型及其应用

: 以对称分布的四电荷系统为例, 研究任意带电粒子在对称的电场分布内的运动性质, 借助椭圆函数和 积分的方法分别推导出粒子的运动学方程, 探讨了该类运动模型在求解物理问题时的应用.     

演示磁悬浮实验装置的制作

: 通过本装置可以对磁场性能、 非磁性金属环的受力及非磁性金属环中的感应电流等因素关系进行演示 和探究. 在课堂教学、 课程设计等场合,直观显示交流感应磁悬浮各种技术现象和应用, 有着良好的教学效果. 本实 验装置学生可自己动手制作.     

使用曲面微通道板和感应电荷位置灵敏阳极的软X射线-极紫外光子计数成像探测器研究

本项目对我国空间探测的极紫外(EUV)波段大视场相机所需求的球面光子计数成像探测器的关键技术进行了研究。首先,建立了光阴极材料次级电子产出模型,利用该模型计算了软X射线-EUV波段常用的光电阴极材料—碱卤化物的次级电子产出,分析了微通道板(MCP)的次级电子产出。建立了测量MCP量子探测效率的装置,并推导出MCP量子探测效率的计算公式,测量了MCP在软X射线-EUV波段的量子效率以及MCP量子效率随掠入射角的变化。其次,建立了球面实芯微通道板的制备装置,利用高温热成型方法制备出曲率半径为150 mm球面MCP,利用光刻技术制备出有效直径为48 mm的楔条形感应电荷位置灵敏阳极,在此基础上集成了一套使用球面MCP和感应电荷位置灵敏阳极的两维光子计数成像探测器。再次,研制出包括快速前端模拟电路与后续数字电路的成像读出电路,编制了能矫正图像畸变的图像实时采集和处理软件。最后,建立了MCP探测器空间分辨率、图像线性的检测装置,对研制出的探测器性能进行了检测,检测结果表明:探测器的各项技术指标完全满足要求。     

感应耦合等离子刻蚀技术研究

依据感应耦合等离子体的刻蚀机理，对影响刻蚀的两个重要参数及先进的硅刻蚀技术进行了较深入的研究，并对影响刻蚀效果的参数进行了实验研究，刻蚀出了20μm深，2μm宽的谐振器结构，得到了最佳的工艺参数。     

LIA监控系统：回顾与展望

介绍了１０ＭｅＶ直线感应加速器使用的ＢＩＴＢＵＳ局域网与ＳＴＤ总线工业控制微机组成的分布式分级监控系统。简要回顾了该系统建成以来的工作情况，总结了系统设计的优点和成功之处，也指出了有待进一步改进提高的地方。同时，分析了该系统扩展、提高之后，应用于更大规模的ＬＩＡ监控的可行性，并给出一个同时监控两台ＬＩＡ系统的设计方案。