| 感应耦合等离子刻蚀技术研究 |
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| 引用本文： | 樊红安,蒋军彪,冯培德,王小斌.感应耦合等离子刻蚀技术研究[J].中国惯性技术学报,2002,10(4):62-66. |
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| 作者姓名： | 樊红安 蒋军彪 冯培德 王小斌 |
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| 作者单位： | 飞行自动控制研究所,西安,710068 |
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| 摘 要： | 依据感应耦合等离子体的刻蚀机理，对影响刻蚀的两个重要参数及先进的硅刻蚀技术进行了较深入的研究，并对影响刻蚀效果的参数进行了实验研究，刻蚀出了20μm深，2μm宽的谐振器结构，得到了最佳的工艺参数。
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| 关 键 词： | 感应耦合 等离子体 干涉刻蚀 谐振器 硅刻蚀 |
| 文章编号： | 1005-6734(2002)04-0062-05 |
| 修稿时间： | 2002年5月11日 |
Etching Technique of Inductive Couple Plasmas |
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| FAN Hong-an,JIANG Jun-biao,FENG Pei-de,WANG Xiao-bin.Etching Technique of Inductive Couple Plasmas[J].Journal of Chinese Inertial Technology,2002,10(4):62-66. |
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| Authors: | FAN Hong-an JIANG Jun-biao FENG Pei-de WANG Xiao-bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | plasma dry etch resonator |
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