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介绍了硅基片上具有微米厚度的SiO2膜在斜入射情况下的红外反射透过谱测量结果,发现在900~1250cm-1波段内的结果有别于一般的透射谱,出现了峰位基本不变的1100cm-1反射峰。随厚度增大,1100cm-1峰和1200cm-1凹谷的降低逐渐变为迟缓。当厚度达到2μm以上后,1075~1250cm-1谱线的变化已不再明显。通过分析表明,结果中包含了SiO2膜的表面反射谱和SiO2膜层的吸收谱。当膜厚达到微米量级而引起较大吸收时,表面反射谱的贡献相当明显。此时,对该段谱线的分析不能仅考虑膜层的吸收。 相似文献
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射频辉光放电等离子体的电探针诊断 总被引:8,自引:2,他引:6
本文简要叙述了探针诊断技术的作用,比较了单、双探针测量技术的异同,分析了当前所碰到的主要问题和各种可能的解决办法。着重报导了我们提出和制作的加热调谐单探针装置,不仅抑制了射频干扰,还克服了中毒效应对探针测量的影响。首次成功地测量了射频辉光放电硅烷等离子体的电子能量分布函数、电子平均能量和密度。并对测量结果进行了简要的分析。 相似文献
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以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响. 实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%. 而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3nm/s 增加至0.8nm/s.
关键词:
纳米晶硅薄膜
氢稀释
晶化率
硅烷 相似文献
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Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段.报道了在氩气射顿(13.56MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断,对探针I-V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理,而后求二次微商.在相同的放电条件下,使用自行设计的微分电路,对探针特性二次微商进行在线测量.这两种方法得到的二次微商结果能够较好地符合.
关键词:
Langmuir探针
二次微商
数值滤波
微分电路 相似文献
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以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在250℃的低温下,研究氢稀释度对多晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明,对于以SiCl4和H2组成的反应源气体,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢稀释度的减小而增加,在一定的氢稀释度下薄膜晶化度达到最大值85%;随着氢稀释度的继续减小,薄膜晶化度迅速下降,并逐渐向非晶态结构转变.随氢稀释度的减小,薄膜的光学带隙由 1.5eV减小至约1.2eV,而后增大至1.8eV.沉积速率则随氢稀释度的减小先增加后减小,在无氢条件下,无薄膜形成.在最佳氢稀释度条件下,Cl基是促进晶化度提高,晶粒长大的一个主要因素.
关键词:
多晶硅薄膜
微结构
氢稀释
4')" href="#">SiCl4 相似文献
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用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的成分增大 .另一方面 ,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大 .因此可以认为 ,在多晶硅薄膜生长的最初阶段 ,空间反应过程对低温晶化起重要作用 . 相似文献