60Co γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

采用⁶⁰Co γ射线辐射源对非钝化保护的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了1 Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现辐射累积剂量越大,器件尺寸越小,器件饱和漏电流和跨导下降越明显,同时辐射后器件栅泄漏电流明显增大,而阈值电压变化很小. 对辐射前后器件的沟道串联电阻和阈值电压变化的分析表明,辐射感生表面态负电荷的产生是造成AlGaN/GaN HEMT器件电特性退化的主要原因之一. 关键词： AlGaN/GaN HEMT器件 γ射线辐射 表面态     

60Co γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

采用60 Co γ射线辐射源对非钝化保护的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了1 Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现辐射累积剂量越大,器件尺寸越小,器件饱和漏电流和跨导下降越明显,同时辐射后器件栅泄漏电流明显增大,而阈值电压变化很小. 对辐射前后器件的沟道串联电阻和阈值电压变化的分析表明,辐射感生表面态负电荷的产生是造成AlGaN/GaN HEMT器件电特性退化的主要原因之一.     

基于时间序列的长沙市PM2.5的统计分析

通过对长沙市2015年AQI检测指标数值PM2.5与SO_2,NO_2,PM10,CO,O_3间相关性进行分析,得到PM2.5与SO_2,NO_2,PM10,CO间存在正相关关系,与O_3间为负相关关系.后建立自回归移动平均模型(ARMA)对长沙市2015年的PM2.5进行短期预测,得到最优模型为ARMA(3,2).最后对长沙治理PM2.5提出相关建议.     

基于透射谱的GaN薄膜厚度测量

通过对蓝宝石衬底异质外延GaN薄膜光学透射谱的分析，结合晶体薄膜的干涉效应原理并考虑折射率随光子波长变化的影响，从理论上推导出了实用的薄膜厚度计算方法. 实际应用表明，该方法是一种快速准确的GaN薄膜厚度测量方法. 关键词： GaN 透射谱 厚度测量     

磁性多层膜磁特性的表面效应

利用Monte-Carlo方法和转移矩阵法研究了具有不同表面交换耦合J_s和薄膜厚度 磁性多层 膜的表面和尺寸对磁相变的影响.模拟结果表明，系统的相变温度随薄膜层数的变化取决于J_s/J(J为体内交换耦合)，当J_s/J大于某一临界值时，由于表面磁 有序先于体内磁有序 ，系统的相变温度随薄膜层数的增多而降低，反之，表面磁无序可与体内磁有序共存，系统 的相变温度随薄膜层数的增多而升高；当J_s/J较小时，随J_s增大 ，系统的居里温度缓慢 升高，趋近于体内相变温度，而当J_s/J较大时，随J_s增大，系统的 居里温度 呈线性升高.模拟结果与用转移矩阵法推导出的结果相当符合，且很好地解释了实验事实. 关键词： 磁星多层膜 交换耦合 Monte-Carlo模拟 转移矩阵法     

AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究

采用O₂等离子体及HF溶液对AlGaN/GaN异质结材料进行表面处理后，Ni/Au肖特基接触特性比未处理有了明显改善，反向泄漏电流减小3个数量级.对制备的肖特基接触进行200—600℃ 5min的N₂气氛退火，发现退火冷却后肖特基反向泄漏电流随退火温度增大进一步减小.N₂气中600℃退火后肖特基二极管C-V特性曲线在不同频率下一致性变好，这表明退火中Ni向材料表面扩散减小了表面陷阱密度；C-V特性曲线随退火温度增大向右移动，从二维电子气耗尽电压绝对值减小反映了肖特基势垒的提高. 关键词： AlGaN/GaN 肖特基接触 表面处理 退火     

混合磁性薄膜矫顽力及阶梯效应的微磁学及Monte Carlo研究

采用能量极小原理的微磁学及Monte Carlo方法对铁磁/反铁磁混合磁性薄膜的磁特性进行了模拟计算，研究了基态下系统的磁滞回线、自旋组态及铁磁交换作用常数JAA、单轴各向异性常数K、偶极相互作用常数D和铁磁性原子掺杂量X对矫顽力Hc的影响. 同时还模拟计算了矫顽力Hc的温度特性.模拟结果表明，在混合磁性薄膜中磁滞回线存在明显的阶梯效应，利用简单的Ising模型揭示这种阶梯效应主要起源于包含不同反铁磁原 子的掺杂量的不同尺寸的原子团对外加磁场所产生不同响应；在基态下当0.5≤X≤1.0时矫顽力Hc随K，J 关键词： 蒙特卡罗 微磁学 阶梯效应 混合磁系统 矫顽力     

磁性薄膜自旋重取向行为的Monte Carlo模拟

利用Monte Carlo方法模拟了二维简单立方结构磁性薄膜的自旋重取向行为，重点研究了各向异性和偶极相互作用对系统自旋取向的影响．通过计算，获得了系统的相图以及系统组态、磁分量、比热等随偶极相互作用和温度的变化规律．模拟结果表明，在一定的参数范围内，随着温度的升高，系统的自旋取向将由垂直向平行方向转变。     

一维亚铁磁混合自旋链的磁特性的Monte Carlo模拟

基于一维自旋链模型，采用Monte Carlo方法对具有反铁磁相互作用的自旋一I和自旋-3／2交替混合的亚铁磁系统进行模拟计算，研究单离子各向异性对系统磁特性的影响．模拟结果发现：基态时系统的磁化强度在外加磁场作用下呈现出阶梯状，并获得了自旋-1和自旋-3／2交替混合的亚铁磁系统相图．最后，通过对系统能量和自旋组态的研究，解释了该系统中出现的阶梯效应和相图．     

Reliability analysis of GaN-based light emitting diodes for solid state illumination

In this paper, we have discussed the effect of electrical stress on GaN light emitting diode （LED）. With the lapse of time, the LED with an applied large current stress can reduce its current more than without such a stress under a large forward-voltage drop. Its scanning electron microscopy （SEM） image shows that there exist several pits on the surface of the p-metal. With an electrical stress applied, the number of pits greatly increases. We also find that the degradation of GaN LED is related to the oxidized Ni/Au ohmic contact to p-GaN. The electrical activation of H-passivated Mg acceptors is described in detail. Annealing is performed in ambient air for 10 min and the differential resistances at a forward-voltage drop of 5 V are taken to evaluate the activation of the Mg acceptors. These results suggest some mechanisms of degradation responsible for these phenomena, which are described in the paper.