| 60Co γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件的影响 |
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| 引用本文： | 谷文萍,张进城,王冲,冯倩,马晓华,郝跃.60Co γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件的影响[J].物理学报,2009,58(2). |
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| 作者姓名： | 谷文萍 张进城 王冲 冯倩 马晓华 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目，预先研究项目 |
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| 摘 要： | 采用60 Co γ射线辐射源对非钝化保护的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了1 Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现辐射累积剂量越大,器件尺寸越小,器件饱和漏电流和跨导下降越明显,同时辐射后器件栅泄漏电流明显增大,而阈值电压变化很小. 对辐射前后器件的沟道串联电阻和阈值电压变化的分析表明,辐射感生表面态负电荷的产生是造成AlGaN/GaN HEMT器件电特性退化的主要原因之一.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaNHEMT器件 γ射线辐射 表面态 |
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