TiN/SiC纳米多层膜的生长结构与力学性能

研究了TiN/SiC纳米多层膜中立方SiC（B1cubic SiC）的形成及其对TiN/SiC多层膜力学性能的影响.结果表明：在TiN/SiC多层膜中，非晶态的SiC层在厚度小于0.6nm时形成立方结构并与TiN形成共格外延生长的超晶格柱状晶，使多层膜产生硬度和弹性模量显著升高的超硬效应，最高硬度超过60GPa.SiC随着层厚的增加转变为非晶相，从而阻止了多层膜的共格外延生长，使薄膜呈现TiN纳米晶和SiC非晶组成的层状结构特征，同时多层膜的硬度和弹性模量下降.TiN/SiC纳米多层膜产生的超硬效应与立方 关键词： 立方碳化硅 TiN/SiC纳米多层膜 外延生长 超硬效应     

混流式水轮机准三元流动分析及性能予估基础上的水电站过渡过程仿真

本文根据电站参数用计算机予设计转轮后进行其性能予估，并在此基础上进行过渡过程仿真，其结果与用实验得到的综合特性曲线进行仿真的计算结果比较，在较高效率区结果符合很好，低效率区有一定缺陷，但不失为一种在没有合适转轮及其综合特性曲线情况下进行电站过渡过程预测计算的方法。     

锑化铟单晶的小平面生长及孪晶

采用切克劳斯基技术,观察了按不同晶向从熔态生长InSb单晶时固液界面的形貌。实验表明,结晶面上{111}小平面的发展和性质与单晶体的外形及孪晶的形成有着密切的关系,采用一个闪锌矿结构的{1ll}面八面协及双八面体模型能成功地解释各种实验现象。 关键词：     

球面高速精磨模的修正

<正> 球面高速精磨模加工面的径向跳动量除依靠机床的跳动控制在0.01mm外,还要依靠基体模的径向定位基面保证主轴螺纹与基体模之间的同轴性。当机床的主轴径向跳动量达不到0.01mm,或机械加工的基体模球面径向跳动达不到适合高速精磨的精度时,可修正基体模球面和高速精磨模加工面,达到所要求的精度。修正的方法是先将基体模装到高速精磨机床主轴上,用百分表测量出要修正最大值方向,在钢球模与基体模用金刚砂对磨时,在最大值方向用手加压(凸凹基体模置钢模之上),加压之后再对     

N2分压对ZrN/WN纳米多层膜缺陷性质与力学性能的影响

利用射频磁控溅射系统在不同N₂分压的条件下，制备了一系列ZrN/WN纳米多层膜.借助慢正电子湮没技术分析了样品的缺陷性质，采用纳米压痕仪研究了多层膜的力学性能.结果发现：N₂分压为0.4Pa的多层膜具有最小的空位型缺陷浓度，其中心层和膜基结合层的平均S参数分别为0.4402和0.4641，而较低或较高的N₂分压都可能导致空位型缺陷浓度的增加.随着空位型缺陷浓度的减小，多层膜的硬度和临界载荷增大.对于空位型缺陷浓度最小的多层膜，其硬度和临界载荷达到最大值，分别为34.8GPa和100mN，说明较低的缺陷浓度有利于提高多层膜的力学性能. 关键词： ZrN/WN纳米多层膜 缺陷性质 力学性能 慢正电子湮没     

聚二甲基硅氧烷/白炭黑体系的分子模拟

用COMPASS分子力场的方法对聚二甲基硅氧烷(PDMS)分子链以及它们同白炭黑(SiO2)、改性SiO2粒子表面相互作用的分子体系进行了计算机模拟,得到了体系能量变化与PDMS分子链中Si原子移动距离的关系曲线,分析了产生和影响体系力学性能的化学过程本质,预测了宏观PDMS/SiO2体系的拉伸行为.     

氧分压对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及光学特性的影响

采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射及紫外-可见吸收和透射光谱研究了氧分压变化对ZnO薄膜的微观结构及光吸收特性的影响。结果表明,当工作气压恒定时,用射频反应磁控溅射制备的ZnO薄膜的生长行为主要取决于成膜空间中氧的密度,合适的氧分压能够提高ZnO薄膜的结晶质量;薄膜在可见光区的平均透过率达到90%以上,且随着氧分压的增大,薄膜的光学带隙发生了一定程度的变化。采用量子限域模型对薄膜的光学带隙作了相应的理论计算,计算结果与对样品吸收谱所作的拟合结果符合较好,二者的变化趋势完全一致,表明ZnO纳米晶粒较小时,薄膜光学带隙的变化与量子限域效应有很大关系。     

Simultaneous Magneto-Optical Trapping of Fermionic ^40K and Bosonic ^87Rb Atoms

We report on simultaneous magneto-optical trapping of fermionic ^40K and bosonic 87Rb atoms. This trap is the first step towards quantum degenerate fermi gas ^40K. Laser lights for the two-species magneto-optical trap （MOT） are generated from diode lasers and tapered amplifier. The enriched ^40K dispenser is utilized in the experimental setup. We obtain up to 10^7 -10^8 ^40K and 10^8 -10^9 ^87Rb atoms respectively in the steady-state single-species MOT.