计算二次特征值问题单特征三元组二阶偏导数的单模态法

本文提出了计算二次特征值问题单特征三元组的二阶偏导数的单模态法.该方法只需要用到待求二阶偏导数的特征三元组的信息;在计算特征向量二阶偏导数时只需求解一个线性方程组,该线性方程组的系数矩阵的阶数为n-1(n为二次特征值问题的规模),且系数矩阵的条件数恰好为其最大与最小非零奇异值的比值.本文给出三个例子进行了数值试验,并与...     

中低合金钢中五害元素（Pb,Sn,As,Sb,Bi）的光电光谱分析…

应用日本岛津ＰＤＡ－５０１７真空发射光谱仪，测定了中低低合金钢中的五害元素，对分析条件进行了选择和确定，并讨论了分析结果和影响因素。本方法具有操作简便，分析速度快，准确度高，成本低等优点，在炉前快速分析与石油管材 取得较好的效果。     

Tb2AlFe16-xMnx化合物的结构、磁性及正电子湮没谱研究

通过X射线衍射、磁测量及正电子湮没谱等手段研究了Tb₂AlFe_16-xMn_x（x=1—8）化合物的结构和磁性.X射线衍射研究结果表明Tb₂AlFe_16-xMn_x化合物具有六角相的Th₂Ni₁₇型结构.室温下的正电子湮没实验研究表明,Mn对Fe的替代导致化合物中的铁磁相互作用减弱,并且化合物中存在着较强烈的磁弹耦合效应.磁测量研究结果表明,Mn的替代导致Tb₂AlFe_16-xMn_x化合物的居里温度及自发磁化强度急剧下降. 关键词： 2AlFe_16-xMn_x化合物')" href="#">Tb₂AlFe_16-xMn_x化合物 磁弹耦合效应 居里温度     

N2分压对ZrN/WN纳米多层膜缺陷性质与力学性能的影响

利用射频磁控溅射系统在不同N₂分压的条件下，制备了一系列ZrN/WN纳米多层膜.借助慢正电子湮没技术分析了样品的缺陷性质，采用纳米压痕仪研究了多层膜的力学性能.结果发现：N₂分压为0.4Pa的多层膜具有最小的空位型缺陷浓度，其中心层和膜基结合层的平均S参数分别为0.4402和0.4641，而较低或较高的N₂分压都可能导致空位型缺陷浓度的增加.随着空位型缺陷浓度的减小，多层膜的硬度和临界载荷增大.对于空位型缺陷浓度最小的多层膜，其硬度和临界载荷达到最大值，分别为34.8GPa和100mN，说明较低的缺陷浓度有利于提高多层膜的力学性能. 关键词： ZrN/WN纳米多层膜 缺陷性质 力学性能 慢正电子湮没     

N2分压对ZrN/WN纳米多层膜缺陷性质与力学性能的影响

利用射频磁控溅射系统在不同N2分压的条件下,制备了一系列ZrN/WN纳米多层膜.借助慢正电子湮没技术分析了样品的缺陷性质,采用纳米压痕仪研究了多层膜的力学性能.结果发现:N2分压为0.4 Pa的多层膜具有最小的空位型缺陷浓度,其中心层和膜基结合层的平均S参数分别为0.4402和0.4641,而较低或较高的N2分压都可能导致空位型缺陷浓度的增加.随着空位型缺陷浓度的减小,多层膜的硬度和临界载荷增大.对于空位型缺陷浓度最小的多层膜,其硬度和临界载荷达到最大值,分别为34.8 GPa和100 mN,说明较低的缺陷浓度有利于提高多层膜的力学件能.     

旋翼定常流场的欧拉方程计算

描述了数值计算有升力旋翼的跨声速流场过程，采用有限体积法在桨叶固接坐标系直接求解三维欧拉方程。没有附加任何尾迹模型，给出了粗细网格所对应的浆叶表面压力系数和沿展向升力系数，计算结果与实验数据吻合较好。     

水中化学需氧量检测方法研究进展

对近5年来水中化学需氧量(COD)检测方法特点及其研究进展进行回顾和总结,概述了COD检测现有标准方法的优缺点及其改进方面的研究状况,并对分光光度法、吸收光谱法、电化学分析法、流动注射法以及在线检测技术等文献报道方法进行综述,分析了各检测方法的特点,展望了COD检测方法未来的发展趋势。     

中药制剂山豆根总碱注射剂的薄层色谱及高效液相色谱分析

中药制剂成分复杂,且多数成分未知,因而定性、定量分析困难。事实上,多数情况下,不可能搞清中成药中每味药材的所有成分(也无此必要)。但生产及应用迫切需要内在质量标准。有些名牌中成药因无内在质量标准而影响出口。基于此因,我们系统研究了中成药的分析方法。本文介绍山豆根总碱注射剂的鉴别及定量方法。传统中成药(丸、散、膏、丹等)的分析方法将陆续发表。     

光子晶体多组元缺陷态问题研究

缺陷态光子晶体可以用于制作良好的谐振器、偏振器、滤光器等光学器件,具有重要的应用价值。本文发展了光子晶体缺陷态问题的PG有限元界面问题计算方法,有效地处理了各种不同组元体系、几何结构、界面形状、材料属性以及模态的光子晶体缺陷态问题。数值结果表明,二组元结构单点缺陷对带隙的影响较小,只是使局部范围内的波继续传播而产生一条缺陷带,多点缺陷使一些特定范围内的波可以传播而产生多条缺陷带,线缺陷产生的影响较大,可以使整个禁带消失。结合线缺陷与点缺陷,波导结构中的侧点缺陷可以有效地应用于光子晶体阻带内诱导窄通带或在波导的通带内诱导非常窄的阻带。三组元结构引入了不均匀介质、复杂介质形状以及不同几何结构的缺陷态。通过计算与分析发现Ω₃区域的介质形状对结果影响比较有限,表面层越不光滑禁带越窄,n型缺陷态在TM模中的高频区域更容易产生禁带。对于TE模来说,n型与v型的缺陷态更容易产生禁带。     

PLZT纳米薄膜的制备及其特性研究

经溶胶-凝胶法制备出PLZT纳米多层膜,采用热重-差热、X射线衍射、拉曼光谱、SEM等对目标产物进行性能和微结构分析.结果表明:在 700℃下保温30min,得到粒径约为50～70nm钙钛矿结构的PLZT纳米薄膜,随Zr含量增大粒径变小,且由三方相向四方相转变.