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101.
应用多光子非线性Compton散射和实验探测的方法,对超强激光瞬态等离子体的频率响应特性进行了研究,提出了将入射超强激光和Compton散射光作为形成等离子体碰撞频率的新机制,给出了电子碰撞频率的时空演化方程和实验结果 .结果表明:与散射前相比,4.17 k Hz以下的功率谱线较平滑,不同时刻抖动幅度不大,且抖动的频率降低了1.63 k Hz.当频率达到6.12 k Hz时,功率谱线出现了35 m W幅度抖动,且大幅抖动的频率降低了0.88 k Hz,幅度增大了5 m W.当频率达到9.7 k Hz时,功率谱线的峰值近似于全谱峰值,且该谱线峰值的频率降低了1.3 k Hz.由4.17~9.7 k Hz低频谱产生的功率谱线缩小了0.21k Hz.超过9.1 k Hz后,功率谱线抖动对功率谱线峰值的贡献是次要的.这主要是由于散射使等离子体的高频非线性成分增大,低频成分缩小,且4.17~9.7 k Hz中亦包含有散射贡献的缘故. 相似文献
102.
利用脉冲激光入射技术研究100级0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应, 分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响. 实验结果表明, 单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关, 当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps; 当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps. 激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄; 靠近输入则得到的瞬态波形较宽, 单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽. 入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响. 通过理论分析得到, 部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因. 而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲, 是输出节点电容充放电的结果. 相似文献
103.
104.
近些年发展起来的近场动力学方法对于模拟复杂的断裂破坏问题具有显著优势.然而,计算精度不高一直是影响该方法进一步发展的瓶颈问题之一.区域积分不精确和键缺失导致的边界效应是降低该方法计算精度的两个主要原因.针对一维键型近场动力学模型,本文通过修正微模量提高区域积分的精度,通过理性构建固定边界和力边界虚拟键改善边界效应,建立了高精度近场动力学方法.数值结果表明,与经典的近场动力学方法相比,本文方法显著提高了计算精度,准静态常应变问题甚至能够达到机器精度. 相似文献
105.
106.
利用计算机辅助设计技术数值仿真工具, 研究22 nm工艺技术节点下超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应, 系统地分析了掺杂地平面技术、重离子入射位置、栅功函数和衬底偏置电压对于单粒子瞬态效应的影响. 模拟结果表明, 掺杂地平面和量子效应对于单粒子瞬态效应影响很小, 重离子入射产生大量电荷, 屏蔽了初始电荷分布的差异性. 单粒子瞬态效应以及收集电荷和重离子入射位置强相关, 超薄体全耗尽绝缘体上硅最敏感的区域靠近漏端. 当栅功函数从4.3 eV变化到4.65 eV时, 单粒子瞬态电流峰值从564 μA减小到509 μA, 收集电荷从4.57 fC减小到3.97 fC. 超薄体全耗尽绝缘体上硅器件单粒子瞬态电流峰值被衬底偏置电压强烈调制, 但是收集电荷却与衬底偏置电压弱相关.
关键词:
超薄体全耗尽绝缘体上硅
单粒子瞬态效应
电荷收集
数值仿真 相似文献
107.
以双向环形耦合Duffing振子系统为对象, 研究脉冲信号激励下耦合振子间动力学行为变化特征时, 发现其与单向环形耦合Duffing振子系统类似, 在一定的参数条件下, 脉冲信号能引起其中一个振子与其他振子运动轨迹间出现短暂失同步的现象即瞬态同步突变现象. 基于这种现象, 提出了一种微弱脉冲信号检测的新方法, 用于检测强噪声背景中的局部放电脉冲信号. 实验测试表明, 利用本文方法对不同放电电极的局部放电脉冲信号进行检测时, 在低信噪比条件下可取得良好的检测效果, 进而扩展了现有的Duffing振子对非周期信号的检测范围及应用领域.
关键词:
耦合Duffing 振子
微弱信号检测
瞬态同步突变
局部放电脉冲信号 相似文献
108.
109.
本文建立了有限几何尺寸板条激光介质的三维温度分布模型.在普遍情况下,推导出温度分布的解析式.由此便于分析板条温度分布和泵浦参数、激光介质等的依赖关系.借助计算机进行的数值计算,证实了理论结果. 相似文献
110.