生长温度对In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点尺寸的影响

采用分子束外延(MBE)技术制备In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜(STM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostwald熟化机制影响,其尺寸增大所需的能量来自应变能和温度提供的能量,高温条件下表面原子的解吸附作用会限制量子点的生长.     

地面小型无人侦察平台发展及关键技术探讨

地面小型无人侦察平台具有良好的便携性、隐蔽性、灵活性,在军民领域有着广泛的应用前景。尤其是在室内或受损建筑物等受限制空间和环境下,可执行地图构建、人员探测、武器攻击等任务,是一种多功能的无人作战平台。讨论了国内外地面小型无人平台的研究现状及应用情况,对比了该领域国内外的技术水平,分析了国内相比国外的差距。最后通过分析无人平台的应用需求、功能特点和发展趋势,探讨了目前无人平台面临的关键技术难题和重点研究领域,给出了地面小型无人平台的发展方向。     

基于纳米铜/石墨烯包覆光子晶体光纤的 硫化氢气体传感性能研究

提出一种基于纳米铜/石墨烯包覆光子晶体光纤的硫化氢传感方法.将两根单模光纤分别与实心光子晶体光纤进行粗锥熔接,形成马赫-曾德干涉结构.先在光子晶体光纤表面包覆石墨烯薄膜,再在石墨烯薄膜的表面沉积纳米铜形成复合敏感薄.当复合敏感薄膜吸附硫化氢气体时,其自身折射率发生改变,导致光子晶体光纤中纤芯与包层的光程差发生变化,干涉波谷发生偏移.建立气体浓度与波长偏移关系,实现硫化氢的低浓度检测.研究表明:该传感器的灵敏度为8.5pm/ppm,检测限为3.85ppm,在硫化氢浓度为0～80ppm范围内呈现良好的线性和选择性,其输出光谱呈现蓝移,响应时间和恢复时间分别约为92s和119s.该传感器成本低、结构简单、制作容易,有望应用于硫化氢气体的探测.     

线性回归模型中变量选择方法综述

变量选择是统计分析与推断中的重要内容,也是当今研究的热点课题。本文系统介绍了线性回归模型中变量选择的研究概况和最新进展,并指出了有待进一步研究的问题。     

SETMOS在蔡氏电路中的特性研究

利用拟合法简化了单电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件SETMOS的负微分电阻特性方程,提出了由SETMOS设计多涡卷混沌电路的方法.理论上定性和定量地分析了负微分电阻特性对于多涡卷蔡氏电路平衡点的影响.经研究发现,多涡卷蔡氏电路混沌在非线性函数的各负斜率区中形成径向收缩、轴向拉伸的单向运动,而在各正斜率区中形成径向拉伸、轴向收缩的涡卷运动.这为进一步实现多涡卷电路及研究其复杂动力学行为提供了理论基础.     

ICF激光装置的任务可用性模型和分析方法

梳理任务可用度的基本模型,构建装置执行任务的过程类型和时间模型图,体现任务时限和修复时限的要求,以此给出装置单次任务可用性评价模型 ;选用曲线拟合和拟合优度检验方法,考虑修复对任务影响程度差异及其发生概率,建立装置多次任务可用性评价模型、评价方法及分析步骤,为系统地开展惯性约束聚变激光装置可用性评价提供一般模型和方法。通过对神光-Ⅲ原型装置使用可靠性数据处理和分析,验证提出的模型和分析方法的正确性和经济性。研究成果将直接应用于神光-Ⅲ主机装置的可靠性工程建设中。     

基于概率模型的量子元胞自动机加法器容错性能研究

采用概率转移矩阵方法和电路分割理论建立了两种结构的量子元胞自动机 (QCA)加法器的容错性模型, 深入分析了各组成元件对加法器的整体容错性能的影响. 指出元件在较低的正确概率时, 传输线对整体正确概率影响较小, 而当元件正确概率较高时, 传输线的正确概率对整体正确概率的影响急剧增大, 并且在整个参数变化范围内反相器始终是影响整体正确概率的主要元件. 采用Frobenius范数对两种同一功能不同结构的QCA加法器的整体容错性能进行了比较, 发现由5输入择多逻辑门构成的QCA加法器的整体容错性能优良. 这对于目前QCA加法器的容错性设计以及今后大规模QCA电路的容错性设计具有重要意义.     

单电子晶体管与金属氧化物半导体混合电路构造的一维离散混沌系统研究

基于单电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构构造出一种一维离散混沌系统. 研究了单电子晶体管与金属氧化物半导体串联混合结构的电压传输特性,并建立了相应的N型分段线性函数模型. 基于该模型实现了一维离散映射系统,分析了它的一维映射过程、分岔图和Lyapunov指数谱等动力学特性. 最后利用单电子晶体管与金属氧化物半导体混合电路设计出该离散混沌系统的电路结构,仿真验证与理论分析一致. 研究结果表明,利用单电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构设计的离散混沌电路不仅结构非常简单,功耗很低, 而且有利于混沌系统的集成和应用.     

Surface plasmon enhanced photoluminescence in amorphous silicon carbide films by adjusting Ag island film sizes

Ag island films with different sizes are deposited on hydrogenated amorphous silicon carbide (α-SiC:H) films, and the influences of Ag island films on the optical properties of the α-SiC:H films are investigated. Atomic force microscope images show that Ag nanoislands are formed after Ag coating, and the size of the Ag islands increases with increasing Ag deposition time. The extinction spectra indicate that two resonance absorption peaks which correspond to out-of-plane and in-plane surface plasmon modes of the Ag island films are obtained, and the resonance peak shifts toward longer wavelength with increasing Ag island size. The photoluminescence (PL) enhancement or quenching depends on the size of Ag islands, and PL enhancement by 1.6 times on the main PL band is obtained when the sputtering time is 10 min. Analyses show that the influence of surface plasmons on the PL of α-SiC:H is determined by the competition between the scattering and absorption of Ag islands, and PL enhancement is obtained when scattering is the main interaction between the Ag islands and incident light.     

复测度双指标鞅的若干不等式

本文研究了关于复测度双指标鞅的某些性质.利用复测度双指标鞅的收敛定理,证明了极大算子f * 的弱(p,p)型和强(p,p)型不等式以及均方算子的有界性.