脉冲CO2激光器峰值功率的增益饱和现象

从理论和实验的角度分析了在腔损耗调制状态下,当调制速度与ＣＯ２激光转动能级间的驰豫速度相当时,激光器输出脉冲峰值功率与增益系数间存在的非线性特性：峰值功率随增益系数的增加,存在饱和现象。这种特性是ＣＯ２Ｂ类激光器的特点,实验和理论模拟结果一致。     

基于灰度形态学和邻域熵值的弱小目标检测

 提出了一种弱小目标检测的新方法。从实际应用出发，考虑到复杂的背景和大量的干扰噪声，对传统熵值检测算法进行了改进，采用邻域熵值变化为检测标准。为了提高此方法的有效性，结合了灰度形态学滤波来对图像进行预处理。该检测算法的全过程为:首先对图像进行形态运算;然后对形态波后的图像进行邻域熵的计算;接着以计算所得的邻域熵的最大值和最小值为依据对图像进行分割,得到目标或目标边缘所处位置;最后用实地拍摄的空中弱小目标真实图像进行了实验验证。结果发现：该新方法可对弱小目标、大目标、多目标进行检测，且检测速度快，抗噪声干扰能力强。     

Ln(BO_3,PO_4)[Ln=La,Y]基质中Ce~(3+)、Tb~(3+)、Gd~(3+)的光谱

研究了硼磷酸镧和硼磷酸钇基质中Ce3 +、Tb3+、Gd3+的发射光谱和激发光谱。结果表明 :La(BO3,PO4 ) :Ce ,Tb体系中加入钆后 ,Ce3+的发射降低 ,Tb3+的发射增强 ;Y(BO3,PO4 ) :Ce ,Tb体系中加入钆后 ,Ce3+和Tb3 +的发射均增强 ,且前者增加的幅度高于后者。因此在La(BO3,PO4 ) :Ce ,Tb ,Gd体系中Gd3+离子起着能量传递中间体和敏化剂的作用 ;在Y(BO3,PO4 ) :Ce,Tb ,Gd体系中Gd3 +离子只起敏化剂作用 ,并且阻碍Ce3+→Tb3+的能量传递。与Y(BO3,PO4 ) :Ce,Tb ,Gd相比 ,La(BO3,PO4 ) :Ce,Tb ,Gd对紫外吸收强 ,2 5 4nm激发下发出的光绿色纯度高 ,强度大 ,更适合做荧光灯中的绿粉     

损耗调制CO_2激光脉冲的噪声特性

由于自发辐射噪声的涨落,ＣＯ２激光器的脉冲峰值强度与时间延迟密切相关。理论和实验研究发现,对于典型的Ｂ类ＣＯ２激光器,在损耗调制情况下,当脉冲峰值出现在最低腔损耗ｔ０之前时,初始自发辐射噪声越大,相对于阈值点的第一个渡跃时间ｔＦＰ越小,对应的峰值强度越小;当脉冲峰值出现在最低腔损耗ｔ０之后时,初始自发辐射噪声越大,相对于阈值点的第一个渡跃时间ｔＦＰ越小,对应的峰值强度则越大。     

不同压力下碳氢体系低压金刚石的非平衡定态系列相图

系统压力是低压金刚石薄膜生长实验中重要的实验参数，如果采用合理的计算方法定量化地预测出压力对金刚石薄膜生长条件的影响，则可以直接用于指导其实验研究。本文报道根据非平衡热力学耦合理论模型绘制了C-H体系金刚石生长投影相图，经与大量实验结果比较相一致，并系统地计算了压力变化的碳氢体系金刚石生长非平衡定态截面相图，得到了金刚石生长区随压力变化的规律。计算得到的相图与经典平衡相图有本质不同，均有金刚石生长区，因而可以合理解决金刚石低压下连续生长而石墨被腐蚀与经典平衡热力学之间的矛盾。本文的计算结果可以为金刚石生长实验提供定量化的压力条件的选择和优化实验条件。     

5,7-二羟基-4''''-甲氧基二氢黄酮与牛血清白蛋白的相互作用研究

应用荧光光谱、紫外吸收光谱和核磁共振波谱研究了5,7-二羟基-4'-甲氧基二氢黄酮(ISO)与牛血清白蛋白(BSA)分子间的相互作用.研究表明:ISO对BSA内源性荧光的猝灭机制属于ISO和BSA形成化合物所引起的静态猝灭;二者的结合常数为7.41×1011L/mol,结合位点数为1.98.ISO与BSA作用的活性部位为其分子内的7-OH和5-OH,且7-OH活性强于5-OH,并且随着ISO浓度增大,BSA的构象发生了变化.     

探讨价层电子对互斥理论的电子对数计算简易方法与应用

针对价层电子对互斥理论中关于卤素、氧族等p区非金属元素作为配位原子提供电子数为1、0等未做明确说明的问题,通过数学公式推导解释了数字背后的意义,完善了将中心原子和配位原子按不同计算规则、更简便地计算价层电子对数的方法。应用推导出的简便价层电子对计算规则探讨了一种判断链状结构有机小分子的杂化类型的新方法,并讨论了长周期p区非金属元素的最外层s电子的钻穿作用对价层电子总数的影响以及利用电负性差异比较共价型分子键角大小时需要考虑多重键的影响等,对VSEPR法的应用做了有益补充。     

High-performance amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistor nonvolatile memory with a novel p-SnO/n-SnO2 heterojunction charge trapping stack

Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistor (TFT) memories with novel p-SnO/n-SnO₂ heterojunction charge trapping stacks (CTSs) are investigated comparatively under a maximum fabrication temperature of 280 ℃. Compared to a single p-SnO or n-SnO₂ charge trapping layer (CTL), the heterojunction CTSs can achieve electrically programmable and erasable characteristics as well as good data retention. Of the two CTSs, the tunneling layer/p-SnO/n-SnO₂/blocking layer architecture demonstrates much higher program efficiency, more robust data retention, and comparably superior erase characteristics. The resulting memory window is as large as 6.66 V after programming at 13 V/1 ms and erasing at -8 V/1 ms, and the ten-year memory window is extrapolated to be 4.41 V. This is attributed to shallow traps in p-SnO and deep traps in n-SnO₂, and the formation of a built-in electric field in the heterojunction.     

酸性环境下析氧反应Ir、Ru贵金属电催化剂的研究进展

水电解法是利用可再生能源生产氢气的最有效、最环保的方法之一。质子交换膜（PEM）水电解槽对可再生能源的储存和转化具有重要意义,与碱性电解水相比,具有设计紧凑、电压效率高和气体纯度高等优点。然而,阳极电催化剂的低效率、不稳定性和高成本阻碍了PEM水电解。许多析氧反应（OER）电催化剂在恶劣的酸性环境下,在OER电位作用下容易发生溶解或表面结构转变,最终导致催化性能急剧下降,因此酸性OER是阻碍PEM水电解槽实际应用的主要因素之一。高效、经济和耐用的电催化剂可降低OER的高动力学势垒,加速其反应动力学。迄今为止,Ir和Ru基纳米材料仍然代表着最先进的催化剂,已经设计和合成了多种先进的贵金属电催化剂,以增强酸性OER性能。本文综述了近5年性能优异的酸性OER新型电催化剂的研究进展。首先,讨论了对酸性OER的基本认识,包括其反应机理。在此基础上,对贵金属Ir、Ru单原子、合金和氧化物等方面综述了贵金属酸性OER电催化剂的设计和合成进展。最后,从反应机理研究和更高效的电催化剂设计等方面对酸性OER的未来发展提出了展望。     

Robust Low Voltage Program-Erasable Cobalt-Nanocrystal Memory Capacitors with Multistacked Al2O3/HfO2/Al2O3 Tunnel Barrier

A n atomic-layer-deposited Al2O3/HfO2/Al2O3 （A/H/A） tunnel barrier is in vestigated for Co nanocrystal memory capacitors. Compared to a single Al2O3 tunnel barrier, the A/H/A barrier can significantly increase the hysteresis window, i.e., an increase by 9 V for ±12 V sweep range. This is attributed to a marked decrease in the energy barriers of charge injections for the A/H/A tunnel barrier. Further, the Co-nanocrystal memory capacitor with the A/H/A tunnel barrier exhibits a memory window as large as 4.1 V for 100 μs program/erase at a low voltage of ±7 V, which is due to fast charge injection rates, i.e., about 2.4× 10^16 cm^-2 s^-1 for electrons and 1.9× 1016 cm^-2 s^-1 for holes.