耗散的广义对称正则长波方程周期初值问题的整体吸引子

该文考虑了带有耗散项的广义对称正则长波方程解的长时间性态.证明了周期初值问题整体吸引子的存在性,用关于时间的一致先验估计获得整体吸引子的Hausdorff和分形维数的上界估计.     

PMP柱前衍生化法测定N-乙酰-D-甘露糖胺和N-乙酰-D-葡萄糖胺

1 引言 N-乙酰-D-甘露糖胺(ManNAc)是酶法催化生产N-乙酰神经氨酸(Neu5Ac)的重要原料,后者再经三步合成反应即可得到抗流感药物扎那米韦.ManNAc是由价格便宜的N-乙酰-D-葡萄糖胺(GlcNAc)经过2-异构酶催化而来.ManNAc和GlcNAc为同分异构体,常规方法难以分开,而专门用于分离同分异构体的分离柱价格昂贵.本研究建立了1-苯基-3-甲基-5-吡唑啉酮(PMP)柱前衍生化分离与定量分析ManNAc 和GlcNAc的方法.     

基于应力比值法的V形切口应力强度因子分析

本文基于有限元分析技术建立了一种应力比值方法,用于计算V形切口的应力强度因子。该方法不需要在V形切口尖端采用反映应力奇异性的奇异单元。求解时,首先给定参考问题的广义应力强度因子,然后利用待求问题的应力值与参考问题的应力值之间的比值来求解待求问题的广义应力强度因子。算例采用切口尖端应力方法分析了平板的V形切口问题。计算结果表明,该方法计算精度较高,能够方便地用于求解相关的工程问题。     

自旋极化电子原子散射的(e,eγ)符合实验研究

本文介绍了自旋极化电子原子散射的(e,eγ)符合实验的理论基础、实验装置和参数测量方法,描述了符合实验研究主要结果,说明了符合实验研究的物理意义。     

测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率

报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与InAs的生长速率之和,得到了In源温度在845～880℃时InAs的生长速率曲线.     

PSD位置响应特性与光源照射方式的关系研究

推导出在四边形二维PSD光源静止照射和连续扫描照射下的位置响应特性理论解,比较两种光源照射方式下引起相对位置变化,讨论了光源扫描速度对探测光入射位置信息的影响,得出结论:在两种光源照射方式下,二维PSD探测光入射位置存在严重的非线性,但是响应时间比一维PSD短。光源扫描速度越小,2DPSD探测到的位置误差越小,并且光生电势分布的最大值越小。     

Stereoselective Synthesis and Crystal Structure Analysis of N-Naphthyl-2-deoxy-α-D-ribopyranosylamine

A new compound N-naphthyl-2-deoxy-α-D-ribopyranosylamine was synthesized and structurally determined. It crystallizes in the orthorhombic system, space group P212121 with a = 8.361（2）, b = 12.432（3）, c = 12.791（4） A^°, Z= 4, V= 1329.6（6） A^°^3, Dc= 1.295 g/cm^3, F（000） = 552, Cl5H17NO3 and Mr= 259.30. All the active hydrogen atoms are involved in the formation of hydrogen bonds in the molecule.     

新型大黄酸烟酸偶联物的合成及抗血小板聚集活性

利用拼合原理,以不同碳数的烷烃链为连接臂,将具有活血化瘀作用的大黄酸与降血脂药烟酸偶联,得到相应的新型大黄酸烟酸偶联物(3a~3e),其结构经¹H NMR和HR-MS(ESI)表征。采用比浊法测试了3a~3e的体外抗血小板聚集活性。结果表明：目标化合物均具有一定的体外抗血小板聚集活性。      

Monte Carlo simulation of exposure factor

In this paper, we simulate the exposure factor by a simple model of a free-air ionization chamber with the Monte Carlo programme Geant4. Special emphasis is placed on the discussion of the exposure factor related to parameters of the chamber model. The reason for the variation in exposure factor with incident ray energy is also analysed in terms of reaction cross section for different types of reactions. The obtained results indicate that our simulation is accurate in the calculation of the exposure factor and can serve as a reference in designing air ionization chambers.