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以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备的氢化非晶硅氧(a-Si:O:H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究。结果表明a-Si:O:H薄膜具有明显的相分离结构,富Si相镶嵌于富O相之中,其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅(a-Si),富O相为Si,O,H三种原子随机键合形成的SiOx:H(x≈1.35)。经1150℃高温退火,薄膜中的H全部释出;SiOx:H(x≈1.35)介质在析出部分Si原子的同时发生结构相变,形成稳定的SiO2和SiOx(x≈0.64);在析出的Si原子参与下,薄膜中a-Si颗粒固相晶化的成核和生长过程得以进行,形成纳米晶硅(nc-Si),研究发现此时的薄膜具有典型的壳层结构,在nc-Si颗粒表面和外围SiO2介质之间存在着纳米厚度的SiOx(x≈0.64)中间相。 相似文献
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以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备的氢化非晶硅氧(a-Si∶O∶H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究.结果表明a-Si∶O∶H薄膜具有明显的相分离结构,富Si相镶嵌于富O相之中,其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅(a-Si),富O相为Si,O,H三种原子随机键合形成的SiOx∶H(x≈1.35).经1150℃高温退火,薄膜中的H全部释出;SiOx∶H(x≈1.35)介质在析出部分Si原子的同 相似文献
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利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了 电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0.270eV处有一个深能级;GaN注 入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级,能级位置位于导带下0.300 eV,0.188 eV,0.600 eV 和0.410 eV;GaN注入Pr经1050℃,30min退火后的样品同样出现了四个深能级 ,能级位置位于导带下0.280 eV,0.190 eV,0.610 eV 和0.390 eV;对每一个深能级的来源 进行了讨论.光谱研究表明,掺Er的GaN样品经900℃,30min退火后,可以观察到Er的1538nm 处的发光,而且对能量输运和发光过程进行了讨论.
关键词:
GaN
Er
Pr
深能级 相似文献
14.
采用背散射(RBS)/沟道(channeling)分析和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒G aN薄膜的晶体结构和光致发光(PL)特性.背散射/沟道分析结果表明:随退火温度的升高, 薄膜中辐照损伤减少;但当退火温度达到1000℃,薄膜中的缺陷又明显增加.Er浓度随注入 深度呈现高斯分布.通过沿GaN的<0001>轴方向的沟道分析,对于900℃,30min退火的GaN:Er 样品,Er在晶格中的替位率约76%.光谱研究表明:随退火温度的升高,室温下样品的红外P L峰强度增加;但是当退火温度达到100
关键词:
GaN
Er
离子束分析
光致发光 相似文献
15.
金属/半导体的应用与基础研究近况 总被引:3,自引:0,他引:3
文章从应用与基础研究两个方面对金属/半导体接触这一领域的近况作一简要评述,同时对这领域的前景提出一些看法. 相似文献
16.
对nc-Si/SiO2薄膜中纳米硅(nc-Si)、Er3+和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究.在514.5 nm光激发下,nc-Si/SiO2薄膜在750nm和1.54μm处存在较强的发光,前者与薄膜中的nc-Si有关,后者对应于Er3+从第一激发态4I13/2到基态4I15/2的辐射跃迁.随薄膜中Er3+含量的提高,1.54μm处的发光强度明显增强,750 nm处的发光强度却降低.H处理可以明显增强薄膜的发光强度,但是对不同退火温度样品,处理效果却有所不同.根据以上实验结果,可得如下结
关键词:
Er3+
nc-Si
H处理 相似文献
17.
掺铒GaN薄膜光致发光的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
采用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒GaN薄膜光致发光特性,光致发光谱(PL)的测量结果表明:选用退火时间长的电阻加热退火护退火,有利于薄膜中晶格损伤的恢复,MOCVD,MBF两种方法制备的GaN薄膜,注入铒,退火后的PL谱形状基本一样,薄膜中O,C的含量越大,可能导致1539nm处的PL强度越强,不同衬底对掺铒GaN薄膜的红外光致发光影响很大,在Si衬底上外延生长的GaN样品峰值在1539nm处的PL积分强度只有Al2O3(0001)衬底上外延生长GaN样品的30%,MBE生长的GaN/Al2O3样品,注入铒,退火后,当测量温度从15K变化到300K时,样品发光的温度猝灭是30%。 相似文献
18.
在6—300K下,利用红外傅里叶光谱仪研究了400—4000cm-1间的硅、锗中氧的红外吸收。采用高分辨条件时,分辨率可达0.5cm-1。研究了在低温下利用硅的1106cm-1吸收峰和锗的855cm-1吸收峰探测硅和锗氧含量的探测限和误差。若样品厚度为2cm,估计在20K下,硅中氧含量探测限~9.6×1014氧原子·cm-3,锗中氧含量探测限~3.0×1014氧原子·cm-3。同时,对不同生长条件下直拉锗单晶的氧含量进行了研究,并与用锂沉淀法所求得的锗中氧含量加以比较。对不同氧含量的硅样品的1106cm-1吸收峰在6—300K的变化进行了观察和讨论。
关键词: 相似文献
19.
利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半
关键词: 相似文献
20.
Role of amorphous silicon domains of Er^3+ emission in the Er—doped hydrogenated amorphous silicon suboxide film 下载免费PDF全文
An investigation on the correlation between amorphous Si (a-Si) domains and Er^{3+} emission in the Er-doped hydrogenated amorphous silicon suboxide (a-Si:O:H) film is presented. On one hand, a-Si domains provide sufficient carriers for Er^{3+} carrier-mediated excitation which has been proved to be the highest excitation path for Er^{3+} ion; on the other hand, hydrogen diffusion from a-Si domains to amorphous silicon oxide (a-SiO_x) matrix during annealing has been found and this possibly decreases the number of nonradiative centres around Er^{3+} ions. This study provides a better understanding of the role of a-Si domains on Er^{3+} emission in a-Si:O:H films. 相似文献