| 掺铒GaN薄膜光致发光的研究 |
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| 引用本文： | 宋淑芳,陈维德,陈长勇,许振嘉.掺铒GaN薄膜光致发光的研究[J].中国稀土学报,2002,20(6):535-539. |
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| 作者姓名： | 宋淑芳 陈维德 陈长勇 许振嘉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家实验室,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助课题(60176025) |
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| 摘 要： | 采用傅立叶变换红外光谱（FT－IR）研究了掺铒GaN薄膜光致发光特性，光致发光谱（PL）的测量结果表明：选用退火时间长的电阻加热退火护退火，有利于薄膜中晶格损伤的恢复，MOCVD，MBF两种方法制备的GaN薄膜，注入铒，退火后的PL谱形状基本一样，薄膜中O，C的含量越大，可能导致1539nm处的PL强度越强，不同衬底对掺铒GaN薄膜的红外光致发光影响很大，在Si衬底上外延生长的GaN样品峰值在1539nm处的PL积分强度只有Al2O3(0001)衬底上外延生长GaN样品的30％，MBE生长的GaN/Al2O3样品，注入铒，退火后，当测量温度从15K变化到300K时，样品发光的温度猝灭是30％。
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| 关 键 词： | GaN薄膜 稀土 GaN 铒 光致发光 氮化镓 半导体 |
| 文章编号： | 1000-4343(2002)06-0535-05 |
| 修稿时间： | 2002年9月18日 |
Photoluminscence Properties of Er-Implanted GaN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | rare earths erbium GaN photoluminescence |
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