奥美拉唑在碳糊电极上的吸附伏安测定法研究

研究了奥美拉唑在碳糊电极上的电化学行为及检测方法 ;在1.2mol·L -1H2SO4 底液中 ,通过富集用碳糊电极吸附伏安法测定奥美拉唑 ;阴极峰电位为0.403V(vsSCE) ,峰电流与奥美拉唑的浓度在7.8×10-8～3.7×10-5 mol·L-1 范围内呈良好的线性关系 ;该法的检出限为1.43×10-8 mol·L-1;用标准加入法测得回收率范围为94 %～102 % ;对奥美拉唑胶囊用该法进行了测定 ,获得了满意的结果 ;该法的优点是成本低 ,操作方便 ,重复性好及检出限较低 ;对电极响应机理进行了探讨 ,奥美拉唑的电极过程是一个两电子两质子的准可逆过程     

自组装方法制备有序微孔薄膜

本文对近年来自组装方法制备有序微孔薄膜的研究进行了综述,总结了固体基板展开法制备有序微孔薄膜的形成机理,对成膜材料,成膜的影响因素和微孔阵列排列的形成条件等方面进行了详细的介绍和分析,并对自组装方法制备微孔薄膜的应用前景作了探讨。     

应用锑膜修饰电极示差脉冲伏安法同时测定多巴胺和抗坏血酸

应用电化学还原法自制的锑膜修饰玻碳电极(GCE)研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在此修饰电极上的电化学性质.DA和AA在此修饰电极上的氧化电位依次为0.676 V和0.360 V,两者相差316 mV.此电位差值远大于两者在裸GCE电极上的差值(136 mV).据此,可用锑膜修饰的GCE,用示差脉冲伏安法同时测定DA和AA.测定DA和AA的线性范围分别为6.80×10-7～1.33×10-2,2.60×10-6～1.20×10-3mol·L-1,方法的检出限依次为1.50×10-7,6.70×10-7mol·L-1.应用所提出的方法分析了DA的针剂和AA的片剂样品,所得结果与标示值相符,并测得方法的回收率在97.9%～99.3%之间.     

盐酸氨溴索在碳糊电极上阳极伏安法的研究

在０．５ ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４底液中，用碳糊电极阳极伏安法测定盐酸氨溴索，被测的阳极峰电位为１．１０Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），另外，在０．４６Ｖ处还产生一对可逆的氧化还原峰。１．１０ Ｖ处的峰电流与盐酸氨溴索的浓度在３．９８×１０~（－７）～６．３４ × １０~（－５）ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系，该方法的检出下限为３．０ × １０~（－８）ｍｏｌ／Ｌ。用标准加入法测得回收率范围为９２．８％～１０２％，ＲＳＤ为２．９％（ｎ＝１０）。对电极响应机理进行了初步探讨，氨溴索在１．１０ Ｖ处的氧化为不可逆过程，其氧化产物在０．４６０Ｖ处产生一对２电子２质子受扩散控制的可逆波，用该波也可进行定量测定并且干扰较少，但灵敏度略低。     

新型紫外衍生试剂用于D-氨基酸的毛细管电泳分离

采用一种新型紫外衍生试剂对乙酰氨基苯磺酰氟(PAABS-F)作为柱前衍生试剂,成功地对19种标准D-氨基酸和甘氨酸进行了衍生和毛细管电泳分离。详细研究了各种分离条件对毛细管电泳分离的影响。实验结果表明:采用20 mmol/L硼砂(pH 9.3),126 mmol/L十二烷基硫酸钠,8 mmol/Lβ-环糊精和20mmol/L NaC l时分离结果最佳,16 m in内实现了20种氨基酸的基线分离。     

二吡啶四硝基酞菁钴的合成及光谱—电化学性质研究

本文报道了以钼酸铵为催化剂,将4—硝基邻苯二甲酸酐、脲和氯化铵混合,于220℃加热合成四硝基酞菁钴,将此配合物溶于吡啶,于115℃加热反应6天合成了二吡啶四硝基酞菁钻配合物。并对二吡啶四硝基酞菁钴的氧化还原半波电势、电解氧化还原产物的电子吸收光谱进行了研究。     

柱前衍生法在氨基酸分析测定中的应用

介绍了目前柱前衍生法分析氨基酸常用的几类衍生试剂及相应的衍生方法，并且比较了各类柱前衍生试剂的优缺点,对近期氨基酸分离分析中的色谱检测方法做了系统综述。     

酪氨酸酶电流传感器测定低浓度氰化物抑制剂的研究

用预活化聚酰胺膜固定酪氨酸酶,制得性能良好的酪氨酸酶生物传感器,以此测定CN^-抑制剂的含量。在磷酸盐缓冲溶液中,以苯酚作底物,浓度范围为5×10^-6～4×10^-5mol/L,当苯酚浓度一定时,还原电流(-0.200V,vs,SCE)的下降值与CN^-浓度的平方根成线性关系,检测范围为5×10^-7～2×10^-4mol/L,有良好的选择性和重现性。     

聚苯胺修饰电极酸碱示波电位滴定法——Ⅰ.水溶液中的酸碱滴定

示波电位滴定具有终点直观、仪器便宜、操作简便、快速、准确等特点。本文将对氢离子响应敏锐、使用寿命长、制备简单的聚苯胺修饰电极(PAME)^[4,5]应用于酸碱示波电位滴定中,使电位突跃更加明显,化学计量点更易判断(与双铂电极体系比较),可滴定多元弱酸、弱碱、混合酸和混合碱.与pH玻璃电极比较,具有阻抗低,响应灵敏、迅速,终点电位突跃大,不易损坏,不需预处理,制备简单等特点.