| 应用锑膜修饰电极示差脉冲伏安法同时测定多巴胺和抗坏血酸 |
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| 引用本文： | 金根娣,胡效亚.应用锑膜修饰电极示差脉冲伏安法同时测定多巴胺和抗坏血酸[J].理化检验(化学分册),2008,44(11):1042-1046. |
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| 作者姓名： | 金根娣 胡效亚 |
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| 作者单位： | 扬州大学化学化工学院,扬州225002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 应用电化学还原法自制的锑膜修饰玻碳电极(GCE)研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在此修饰电极上的电化学性质.DA和AA在此修饰电极上的氧化电位依次为0.676 V和0.360 V,两者相差316 mV.此电位差值远大于两者在裸GCE电极上的差值(136 mV).据此,可用锑膜修饰的GCE,用示差脉冲伏安法同时测定DA和AA.测定DA和AA的线性范围分别为6.80×10-7～1.33×10-2,2.60×10-6～1.20×10-3mol·L-1,方法的检出限依次为1.50×10-7,6.70×10-7mol·L-1.应用所提出的方法分析了DA的针剂和AA的片剂样品,所得结果与标示值相符,并测得方法的回收率在97.9%～99.3%之间.
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| 关 键 词： | 示差脉冲伏安法 锑膜修饰玻碳电极 多巴胺 抗坏血酸 |
Simultaneous Differential Pulse Voltammetric Determination of Dopamine and Ascorbic Acid with Antimony Film Modified Electrode |
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