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间接驱动内爆靶丸由外层CH涂层,内层玻璃球壳和内部充入的气体组成。当玻璃球外涂CH后,球内的气体只能抽检而没有无损测量方法。在大量实验和数据基础上,研究了液滴法制备空心玻璃微球气体渗透系数的差异和分布,利用数理统计方法对实验数据进行了分析和处理,计算了空心玻璃微球对氘气渗透系数的误差,微球预充气挑选方案产生的误差及分布。最后根据现在的抽样测量方案计算了误判的概率。 相似文献
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类锂等电子系列离子LiⅠ-SII能量的半经验计算值与量子数亏损的规律性 总被引:4,自引:0,他引:4
根据B.Edlen提出的类锂等电子系列离子的半经验能量计算公式,设计了一个Fortran计算机程序,得到了类俚离子LiI-SiXII的ns~2Snp~2P、nd~2D和nf~2F态(直至n=12)的能级值及量子数亏损。算得的能级值,除个别外,在实验误差范围内与观察值一致。对类锂离子量子数亏损的规律性进行了详细的讨论,阐明了其规律性的物理本质。本文提供的类锂离子高激发态的能级数据,可供从事天体物理和实验室等离子体研究的光谱学工作者参考和进行检验。 相似文献
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近年来,石墨型氮化碳(g-C_3N_4)作为一种n型半导体光催化剂材料,由于具有较好的热稳定性和化学稳定性,同时具有可调的带隙结构和优异的表面性质而备受人们关注.然而,传统的g-C_3N_4块体材料存在比表面积小、光响应范围窄和光生载流子易复合等缺陷,制约着其光催化活性的进一步提高.因此,人们开发了多种技术对块体状g-C_3N_4材料进行改性,其中构建基于g-C_3N_4纳米薄片的异质结复合光催化材料被认为是强化g-C_3N_4载流子分离效率,进而提高其可见光催化活性的重要手段.BiOI作为一种窄带隙的p型半导体光催化剂,具有强的可见光吸收能力和较高的光催化活性,同时它与g-C_3N_4纳米薄片具有能级匹配的带隙结构.因此,基于以上两种半导体材料的特性,构建新型的BiOI/g-C_3N_4纳米片复合光催化剂材料不仅能够有效提高g-C_3N_4的可见光利用率,而且还可以在n型g-C_3N_4和p型BiOI界面间形成内建电场,极大促进光生电子-空穴对的分离与迁移效率.为此,本文通过简单的一步溶剂热法在g-C_3N_4纳米薄片表面原位生长BiOI纳米片材料,成功制备了新型的BiOI/g-C_3N_4纳米片复合光催化剂.利用X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见漫反射光谱和瞬态光电流响应谱对所合成复合光催化剂的晶体结构、微观形貌、光吸收性能和电荷分离性能进行了表征测试.XRD,SEM和TEM结果显示,结晶完好的BiOI呈小片状均匀分散在g-C_3N_4纳米薄片表面;紫外漫反射光谱表明,纳米片复合材料的吸光性能较g-C_3N_4薄片有显著提升;瞬态光电流测试证明,复合材料较单一材料有更好的电荷分离与迁移性能.在可见光催化降解RhB的测试中,BiOI/g-C_3N_4纳米片复合光催化剂显示出了优异的催化活性和稳定性,其光降解活性分别为纯BiOI和g-C_3N_4的34.89和1.72倍;自由基捕获实验发现,反应过程中的主要活性物种为超氧自由基(·O_2~-),即光生电子主导整个降解反应的发生.由此可见,强的可见光吸收能力和g-C_3N_4与BiOI界面处形成的内建电场协同促进了g-C_3N_4纳米薄片的电荷分离,进而显著提高了该复合材料的可见光催化降解活性.此外,本文初步验证了在BiOI/g-C_3N_4纳米片复合光催化体系内光生电荷是依据"双向转移"机制进行分离和迁移的,而非"Z型转移"机制. 相似文献
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在ICF研究中,空心玻璃微球(HGM)因其具有耐压强度高、气体渗透率低、光学透明和相对较低的原子序数等优点,是一种重要的氘氚燃料容器。相对于液滴法,干凝胶法需要较少的传质传热量,并且溶胶一凝胶过程有利于Ca,Al,Zn,Mg等增强组分的均匀掺入,因此,干凝胶法更适于制备大直径厚壁空心玻璃微球。 相似文献
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2003年,多层空心塑料微球的研制取得了实质性进展。具有聚苯乙烯-聚乙烯醇-CH烧蚀层结构的3层塑料微球首次用于“神光”Ⅲ物理实验,取得了较为满意的结果:获得了靶丸燃料区空间分辨的Ar线谱——得到Heα等线谱发射区的尺寸;利用针孔(分幅相机)、环孔诊断获得了靶丸芯部发光区图像。 相似文献
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首次报道了由金原子发出的波长627.8nm的放大自发辐射脉冲具有弛豫振荡.得出其在时间域和频率域的规律.这种振荡可能是高增益脉冲辐射系统的一种普遍现象. 相似文献
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在直接数字式频率合成器(DDS)单粒子效应失效现象的基础上,研制了具备寄存器读写、功耗电流测试和输出效应波形捕获功能的DDS辐射效应在线测试系统,开展了DDS单粒子效应实验研究。结果表明,单粒子效应会导致DDS输出波形扰动,波形功能中断,功耗电流陡然增大。分析认为:DDS内部PLL模块发生单粒子瞬态和单粒子翻转,是引发波形扰动的主要原因;内置DAC的主要功能寄存器翻转引发了输出波形功能中断;电流增大是单粒子闭锁引起的。本项研究为国产DDS器件的加固和考核提供了一定的参考。 相似文献
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为了获得高质量的高Al组分AlGaN外延材料,一般是在蓝宝石基片与外延层之间引入缓冲层或模板层(GaN、AlN或两者的交替周期超晶格)来提高AlGaN的外延质量,不同的缓冲层及结构对AlGaN的外延质量产生不同的影响.利用三轴晶高分辨X射线衍射(TAXRD)表征手段对2种生长结构下的AlGaN进行表征分析. 相似文献
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