浮栅ROM器件辐射效应机理分析

分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理，合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和⁶⁰Co γ辐射效应都是总剂量效应 . 关键词： FLASH ROM EEPROM 中子 质子 60Co γ')" href="#">⁶⁰Co γ 总剂量效应     

功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法

根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型,建立了功率MOS器件单粒手栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析,模拟结果与文献中的实验数据相符合,表明所建立的等效电路模拟方法是可靠的。     

直接数字式频率合成器单粒子效应实验研究

在直接数字式频率合成器(DDS)单粒子效应失效现象的基础上,研制了具备寄存器读写、功耗电流测试和输出效应波形捕获功能的DDS辐射效应在线测试系统,开展了DDS单粒子效应实验研究。结果表明,单粒子效应会导致DDS输出波形扰动,波形功能中断,功耗电流陡然增大。分析认为:DDS内部PLL模块发生单粒子瞬态和单粒子翻转,是引发波形扰动的主要原因;内置DAC的主要功能寄存器翻转引发了输出波形功能中断;电流增大是单粒子闭锁引起的。本项研究为国产DDS器件的加固和考核提供了一定的参考。     

微波消解样品-电感耦合等离子体质谱法测定大气颗粒物中的痕量金属元素

随着工业迅速发展,大量污染物进入环境中,尤其是金属元素的污染,十分严重;大气颗粒物中金属元素的监测分析也越来越为人们所关注。目前,大气颗粒物中镉、钴、镍、铷、锑、锶、铍、铊及钼等元素的测定方法主要有原子吸收光谱法(AAS)[1]、电感     

求解奇异摄动转向点问题的高精度方法

1.引言 本文考察以下奇异摄动转向点问题: Lu≡ε~2u″+xa(x)u′-b(x)u=f(x),x∈I=[-1,1], u(-1)=A,u(1)=B, (1.1)其中参数ε是(0,1]中的常数,函数a(x)∈C~3[I],b(x),f(x)∈C~4[I]且满足a(x)≥a_*>0,b(x)≥b_*>0.在以上假设下,由[1]知,方程(1.1)存在唯一解u_8∈C~5[I]且     

中药烧烫伤凝胶质量标准的色谱研究

建立烧烫伤凝胶的色谱(TLC和HPLC)质量标准.采用薄层色谱法(TLC)对烧烫伤凝胶中黄连、黄柏、大黄、黄芩进行了定性鉴别,并用高效液相色谱法(HPLC)对烧烫伤凝胶中有效成分盐酸小檗碱进行含量测定.盐酸小檗碱含量测定的线性范围为26.64~133.20μg/mL,r=0.9997,平均回收率为96.77%,RSD为1.6%.定性鉴别和含量测定方法简便可靠,重复性好,可有效的控制烧烫伤凝胶的质量.     

问题驱动和思维引导下的《正态分布》教学设计

为了充分调动学生学习概率的积极性并培养学生分析、解决问题的能力,在《正态分布》教学设计中,运用问题驱动和思维引导的教学理念,从高尔顿钉板实验出发,借助二项分布的极限分布——正态分布建立模型,学习正态分布的概率特性,引入中心极限定理,拓展正态分布的性质及应用.     

如何利用教案在课堂上实现“多学少教”

新改革的不断发展给教学工作带来了新的生机,也使得教学工作在不断的完善和创新中谋取了更加广阔的发展空间.我们知道,传统的教学存在着诸多问题,教学理念陈旧,教学方式落后,不能调动学生学习的主动积极性和热情,教师的教学水平在很长一段时间都停滞不前.传统意义上的课堂教学多以教师为主导,教师"教什么",学生就"学什么",教师"教多少",学生就     

60Co gamma radiation effect on AlGaN/AlN/GaN HEMT devices

The testing techniques and experimental methods of the ⁶⁰Co gamma irradiation effect on AlGaN/AlN/ GaN high electron mobility transistors （HEMTs） are established. The degradation of the electrical properties of the device under the actual radiation environment are analyzed theoretically, and studies of the total dose effects of gamma radiation on AlGaN/AlN/GaN HEMTs at three different radiation bias conditions are carried out. The degradation patterns of the main parameters of the AlGaN/AlN/GaN HEMTs at different doses are then investigated, and the device parameters that were sensitive to the gamma radiation induced damage and the total dose level induced device damage are obtained.     

CdTe@TiO2复合纳米微粒的制备与表征

利用溶胶-凝胶法合成了CdTe@TiO2复合纳米微粒. 采用扫描和透射电镜对复合微粒的形貌和结构进行了表征, 并探讨了其形成机理. 通过对复合微粒的光谱性质研究发现, 与TiO2复合后, CdTe纳米微粒的荧光有减弱的趋势, 但却具有相似的荧光寿命, 其荧光寿命都短于原CdTe纳米微粒水溶液中的荧光寿命, 说明该材料作为新一代太阳能电池具有非常大的潜力.