首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   14篇
  免费   3篇
  国内免费   12篇
化学   19篇
力学   1篇
综合类   2篇
物理学   7篇
  2023年   2篇
  2022年   2篇
  2021年   2篇
  2020年   1篇
  2019年   1篇
  2017年   1篇
  2016年   1篇
  2015年   1篇
  2011年   2篇
  2010年   5篇
  2009年   1篇
  2008年   4篇
  2007年   1篇
  2006年   1篇
  2003年   2篇
  1986年   2篇
排序方式: 共有29条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
This paper studies the possibility of using the scattering of cosmic muons to identify threatening high-Z materials. Various scenarios of threat material detection are simulated with the Geant4 toolkit. PoCA (Point of Closest Approach) algorithm reconstructing muon track gives 3D radiography images of the target material. Z-discrimination capability, effects of the placement of high-Z materials, shielding materials inside the cargo, and spatial resolution of position sensitive detector for muon radiography are carefully studied. Our results show that a detector position resolution of 50 μm is good enough for shielded materials detection.  相似文献   
12.
V2.1TiNi0.4Zr0.06Cux(x=0-0.12)储氢合金的微结构及电化学性能   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用磁悬浮感应熔炼方法制备了V2.1TiNi0.4Zr0.06Cux (x=0-0.12)储氢合金, 经XRD、SEM、EDS和电化学测试等系统研究了Cu添加量对合金微结构及电化学性能的影响. 结果表明, 所有合金均由V基固溶体主相和C14型Laves第二相组成, 且第二相沿主相晶界形成三维网状分布; 合金主相和第二相的晶胞体积均随着Cu含量x的增加而增大. 电化学性能测试表明, 添加适量(x=0.03-0.06)的Cu可以提高合金的最大放电容量, 并对活化性能基本没有影响; 而过高的Cu添加量(x≥0.09)会降低合金的放电容量. 此外, 添加Cu可使合金的高倍率放电性能得到明显改善, 充放电循环稳定性有所提高. 在所研究的合金样品中, V2.1TiNi0.4Zr0.06Cu0.03合金具有最佳的综合性能.  相似文献   
13.
建立了同时检测苹果中多菌灵、噻菌灵和甲基托布津残留量的高效液相色谱(HPLC)分析方法.样品经乙酸乙酯提取,旋转蒸发仪浓缩,氮气吹干甲醇定容后,采用配有二极管阵列检测器(DAD)的HPLC测定,外标法定量.在添加不同浓度的标准品时,多菌灵、噻菌灵和甲基托布津的添加回收率分别为87.7%~118.7%、72.8%~80.3%、64.0%~66.8%.方法对多菌灵、噻菌灵和甲基托布津3种农药的检出限较低,分别为0.134、0.230和0.250mg/L,可以满足苹果汁中多菌灵、噻菌灵和甲基托布津的残留限量检测要求.检测果皮样品中的农药残留量,多菌灵的残留量为7.24×10-2mg/kg,噻菌灵和甲基托布津未检出,低于国标中规定的残留限量标准.  相似文献   
14.
本文报道以M(CO)_6和CH_nX_(4-n)(M=Mo,W;n=1,0;X=Cl,Br)这类体系在光照下对环烯的开环聚合催化作用.发现该体系能有效地对2,3-二氢吡喃、环戊烯和环己烯开环聚合,对α-蒎烯也具有一定的开环聚合催化作用.研究了光照条件、催化剂用量、聚合温度和时间、以及其它条件对聚合反应的影响.并对此催化体系开环聚合的催化机理进行了初步讨论.  相似文献   
15.
采用液相色谱-串联质谱(LC-MS/MS)建立了食品接触材料及制品中新戊二醇的测定方法。样品采 用水、4%(体积分数,下同)乙酸、10%乙醇、20%乙醇、50%乙醇、95%乙醇和橄榄油作为食品模拟物进行 迁移试验后,水、4%乙酸、10%乙醇浸泡液直接过滤进样,其他乙醇类模拟物浸泡液采用氮吹方式去除大部 分乙醇后重新用水定容,橄榄油浸泡液采用 10% 乙醇萃取。经处理后的试液采用 ACQUITY UPLC? BEH C18 (50 mm × 2. 1 mm,1. 7 μm)色谱柱,以0. 01%甲酸溶液-乙腈为流动相进行梯度洗脱,在电喷雾离子源正离 子(ESI+ )多反应监测(MRM)模式下进行检测,外标法定量。在优化条件下,新戊二醇在10~100 μg/L(μg/kg) 范围内线性关系良好,相关系数大于 0. 999。在 10、20、100 μg/L(μg/kg)3 个加标水平下,方法回收率为 92. 8%~117%,相对标准偏差(RSD)为0. 90%~8. 6%,检出限(LOD,S/N ≥ 3)为5 μg/L(μg/kg),定量下限(LOQ, S/N ≥ 10)为10 μg/L(μg/kg)。该方法具有前处理简单易行、灵敏度高、稳定可靠的优点,涉及的食品模拟物 基本包括相关法规和标准中规定的类型,方法LOD和LOQ均低于相关法规和标准中的限量要求,能够满足食 品接触材料及制品中新戊二醇迁移量的检测需求,为相关产品监管和质量控制提供了可靠的技术手段。  相似文献   
16.
金刚石以其优异的性能广泛应用于国防工程、机械加工、电子科技等领域,其需求量也日益增大。有限元法适用于复杂几何结构和物理问题的模拟分析,由此开辟了有限元法应用于金刚石合成和相应设备优化的新途径。阐述了有限元方法在六面顶压机及金刚石合成腔体工艺方面的应用进展。首先,考虑静力、应力强度、应力分布和形变等影响因素,对铰链梁和工作缸进行模拟分析,运用有限元法对顶锤的作用、破坏机理及新型顶锤设计进行探讨;其次,总结有限元法在金刚石腔体内的温度场、压力场、电学场等研究中的应用进展;最后,对有限元法在金刚石合成中的应用前景进行展望。  相似文献   
17.
刘德海  李露  闵利  刘道玉 《化学学报》1986,44(12):1224-1228
本文报道以M(CO)6和CHnX4-n(M-Mo,W;n=1,0;X=Cl,Br)这类体系在光照下对环烯的开环聚合催化作用. 发现该体系能有效地对2,3-二氢吡喃, 环戊烯和环己烯开环聚合, 对α-蒎烯也具有一定的开环聚合催化作用. 研究了光照条件, 催化剂用量,聚合温度和时间, 以及其它条件对聚合反应的影响. 并对此催化体系开环聚合的催化机理进行了初步讨论.  相似文献   
18.
功能性酸奶作为一种保健食品逐渐被人们熟知,其特别之处在于添加了具有独特功效的物质。本文利用植物乳杆菌R6、德氏乳杆菌保加利亚亚种、嗜热链球菌3株益生菌发酵添加了亚油酸的脱脂乳。其中植物乳杆菌R6能合成共轭亚油酸(CLA),从而制备出富含CLA的酸奶。进一步优化发酵条件,探寻最佳的发酵工艺。最后利用PCR-DGGE分析酸奶菌群变化与CLA合成关系,得出酸奶中混合菌株生长良好,相互之间没有抑制作用,因此,既能保证酸奶的品质,也保证了CLA的合成。 更多还原  相似文献   
19.
采用氧化石墨烯(GO)作为表面增强拉曼散射的基底,水溶性酞菁铜(TSCuPc)作为探针分子,实验探究了氧化石墨烯薄膜的层数和TSCuPc薄膜的厚度对拉曼散射增强的影响。首先配制了不同浓度的GO溶液,利用旋涂法在玻璃基底上制备了不同层数的GO膜,然后通过调节TSCuPc薄膜的旋涂转速,制备了GO和TSCuPc的复合薄膜。实验结果表明,当增加GO薄膜层数时,由GO和TSCuPc产生的π-π共轭所感应的分子极化率和由GO含氧官能团感应的局域电场均增大,因此TSCuPc分子的拉曼强度增大,且随着层数的增加,增强呈现饱和趋势;而随着TSCuPc薄膜厚度的增加,由于其自身分子间也存在π-π共轭,TSCuPc分子的拉曼光谱强度呈近似线性增加,且由TSCuPc薄膜厚度引起的首层效应并不是很明显。选用的可以溶液法成膜的TSCuPc分子,通常被用作有机光电子器件的空穴注入材料,研究GO与TSCuPc的表面增强拉曼光谱特性,为优化器件参数以提高有机光电子器件的电荷转移效率等性能具有重要的意义。  相似文献   
20.
制备和表征了具有温控相转移特性的酸功能化离子液体1-(3-磺酸)-丙基-3-聚乙二醇咪唑磷酸二氢盐[PEOIM-SO3H]H2PO4,并用于催化α-蒎烯水合反应.结果表明,该离子液体具有较好的温控相转移和酸催化性能,在n(α-蒎烯)∶n(氯乙酸)∶n(水)=1∶1∶5、α-蒎烯0.06mol、离子液体3.0mmol、8...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号