空间L_p(μ,X)(O

李冲  王祖樾 《数学年刊A辑(中文版)》1991,(2)

有理同时Chebyshev逼近的一致强唯一性

本文研究了广义有理同时 Chebyshev 逼近的一致强唯一性.首先,我们举例说明经典的 Chebyshev 逼近的结果不能直接推广到同时 Chebyshev 逼近情形,其次给出了使 inf_(F∈Γ)γ(F)>0的充分条件.其中γ(F)是 F 的广义有理同时 Chebyshev 逼近的强唯一常数.最后,我们研究了所给条件的必要性.     

On a Problem on Chebyshev Centers

Let X be a normed linear space, A, G be subsets of X. Define r_A(G) = inf sup ||α - g||then r_A(G) is called the relative Chebyshev radius of A with respect to G. If     

石墨烯碳纳米管复合结构渗透特性的分子动力学研究

采用经典分子动力学方法研究了压力驱动作用下水在石墨烯碳纳米管复合结构中的渗透特性.研究结果表明,水分子渗透通过石墨烯碳纳米管复合结构的渗透率明显高于石墨烯碳纳米管组合结构.水在石墨烯碳纳米管复合结构中的渗透率随着压强的升高而增大,随着电场强度的增大而减小.考虑了温度和复合结构中双碳管轴心距对水渗透性的影响规律.系统温度越高,水的渗透率越高;随着双碳管轴心距的增加,水的渗透率逐渐降低.通过计算分析水流沿渗透方向的能障分布,解释了各参数变化对水在石墨烯碳管复合结构中渗透特性的影响机理.研究结果将为基于石墨烯碳管复合结构的新型纳米水泵设计提供一定的理论依据.     

Scalability of dark current in silicon PIN photodiode

The mechanism for electrical conduction is investigated by the dark temperature-dependent current–voltage characteristics of Si PIN photodiodes with different photosensitive areas.The characteristic tunneling energy E_(00) can be obtained to be 1.40 me V,1.53 me V,1.74 me V,1.87 me V,and 2.01 me V,respectively,for the photodiodes with L = 0.25 mm,0.5 mm,1 mm,1.5 mm,and 2 mm by fitting the ideality factor n versus temperature curves according to the tunneling-enhanced recombination mechanism.The trap-assisted tunneling-enhanced recombination in the i-layer plays an important role in our device,which is consistent with the experimental result that area-dependent leakage current is dominant with the side length larger than 1 mm of the photosensitive area.Our results reveal that the quality of the bulk material plays an important role in the electrical conduction mechanism of the devices with the side length larger than 1 mm of the photosensitive area.     

采用BCB平整技术的高速850 nm垂直面发射激光器

垂直腔面发射激光器因其具有低阈值、低功耗、可实现高速调制等优势,广泛地应用于光通信和光互连等领域。寄生电容是影响激光器的调制带宽的主要因素之一。本文通过采用低k值的苯并环丁烯（BCB）平整技术有效地降低了垂直腔面发射激光器的寄生电容。详细研究了BCB平整技术的最优工艺参数,为未来高速垂直腔面发射激光器的制造技术提供参考。低k值BCB平整垂直腔面发射激光器在7 μm氧化孔径下3 dB小信号调制带宽可达15.2 GHz。     

采用BCB平整技术的高速850nm垂直面发射激光器（英文）

垂直腔面发射激光器因其具有低阈值、低功耗、可实现高速调制等优势,广泛地应用于光通信和光互连等领域。寄生电容是影响激光器的调制带宽的主要因素之一。本文通过采用低k值的苯并环丁烯(BCB)平整技术有效地降低了垂直腔面发射激光器的寄生电容。详细研究了BCB平整技术的最优工艺参数,为未来高速垂直腔面发射激光器的制造技术提供参考。低k值BCB平整垂直腔面发射激光器在7μm氧化孔径下3 d B小信号调制带宽可达15.2 GHz。     

利用离子膜电解法改进过硫酸铵生产研究

国内工厂生产过硫酸铵大多采用工艺简单且产品纯度高的电解法,但是电解法在生产过程中存在能耗过高的问题。这一问题限制了过硫酸铵在许多领域的进一步发展。针对这一现象,对硫酸铵电解生成过硫酸铵的设备及工艺进行设计和研究,以期达到降低能耗的目的。实验基于零极距和离子交换膜电解槽的设计,研究了加酸量、抑制剂用量、出入口温度和电解液浓度等因素对电解效率的影响。结果表明,在电解液中加酸并且在阳极液中添加抑制剂对提高电流效率和降低槽电压具有很大的影响,在最优条件下电流效率可达到98%,生产过程能耗显著降低。另外,电解槽还具有连续性生产、占地面积小的优势,进一步解决了厂家所面临的生产成本过高的问题。     

Bnach 空间中远达和同时远达问题的适定性

本文研究Bn ach空间X中远达和同时远达问题的适定性,在集合的Husdorff距离下,对X中的闭凸子集D和相对弱紧的有界闭子集K,证明了下述结果:若D关于K严格凸和有Kdec性质,则D中所有使远达问题mxx,K是适定的点x全体在D中是Gδ型集.作为应用,得到了同时远达问题适定性的类似结果.     

不同热裂解温度下ZSM-5对玉米秸秆催化热裂解烃类选择性影响

为探讨不同热裂解温度下ZSM-5对玉米秸秆催化热裂解特性及烃类选择性的影响,本研究利用TGA对比有无ZSM-5时玉米秸秆的热裂解失重曲线,利用Py-GC/MS对比玉米秸秆在450、500、550和600℃下的热裂解和催化热裂解产物分布。结果表明,ZSM-5的使用可以降低玉米秸秆最高分解速率时对应的热裂解温度,降低温度为23℃。未使用ZSM-5时,热裂解产物种类以及烃类选择性均随热裂解温度的升高不断增加,在600℃时,烃类选择性达到最高,为11.33%;使用ZSM-5后,烃类产率随热裂解温度的升高先增加后减少,在550℃时,烃类选择性达到最高,为29.24%。使用ZSM-5后,玉米秸秆催化热裂解主要产物中出现了甲苯、茚、萘、二甲基萘等烃类,甲苯的最高产率为4.76%,萘的最高产率为3.96%。