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| 采用BCB平整技术的高速850nm垂直面发射激光器（英文） | |
| 引用本文： | 何晓颖,董建,胡帅,何艳,吕本顺,栾信信,李冲,胡安琪,胡宗海,郭霞.采用BCB平整技术的高速850nm垂直面发射激光器（英文）[J].中国光学,2018(2). |
| 作者姓名： | 何晓颖 董建 胡帅 何艳 吕本顺 栾信信 李冲 胡安琪 胡宗海 郭霞 |
| 作者单位： | 北京邮电大学电子工程学院信息光子学与光通信国家重点实验室;北京工业大学信息学部 |
| 摘 要： | 垂直腔面发射激光器因其具有低阈值、低功耗、可实现高速调制等优势,广泛地应用于光通信和光互连等领域。寄生电容是影响激光器的调制带宽的主要因素之一。本文通过采用低k值的苯并环丁烯(BCB)平整技术有效地降低了垂直腔面发射激光器的寄生电容。详细研究了BCB平整技术的最优工艺参数,为未来高速垂直腔面发射激光器的制造技术提供参考。低k值BCB平整垂直腔面发射激光器在7μm氧化孔径下3 d B小信号调制带宽可达15.2 GHz。 |
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