射频磁控溅射低温制备ITO薄膜

利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响.在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25、溅射功率210W、溅射压强0.2 Pa、靶基距2.0 cm和衬底为100℃的低温下制备的ITO薄膜电阻率为7.3×10-4Ω·cm、可见光范围内平均透光率为89.4;.在氩气气氛中200℃低温退火60 min后,ITO薄膜的电阻率降为3.8 ×10-4Ω·cm,透光率不变.     

Detailed electronic structure of three-dimensional Fermi surface and its sensitivity to charge density wave transition in ZrTe_3 revealed by high resolution laser-based angle-resolved photoemission spectroscopy

The detailed information of the electronic structure is the key to understanding the nature of charge density wave(CDW) order and its relationship with superconducting order in the microscopic level. In this paper, we present a high resolution laser-based angle-resolved photoemission spectroscopy(ARPES) study on the three-dimensional(3 D) hole-like Fermi surface around the Brillouin zone center in a prototypical quasi-one-dimensional CDW and superconducting system ZrTe_3. Double Fermi surface sheets are clearly resolved for the 3 D hole-like Fermi surface around the zone center. The3 D Fermi surface shows a pronounced shrinking with increasing temperature. In particular, the quasiparticle scattering rate along the 3 D Fermi surface experiences an anomaly near the charge density wave transition temperature of ZrTe_3(～ 63 K). The signature of electron–phonon coupling is observed with a dispersion kink at ～ 20 me V; the strength of the electron–phonon coupling around the 3 D Fermi surface is rather weak. These results indicate that the 3 D Fermi surface is also closely connected to the charge-density-wave transition and suggest a more global impact on the entire electronic structure induced by the CDW phase transition in ZrTe_3.     

线性代数教学中若干“可视化”教学案例

本文从几何角度出发,介绍了低维情况下的线性空间、线性变换、矩阵、行列式这些线性代数基本概念的几何含义,旨在帮助初学线性代数的同学并为后续掌握高维空间的内容打基础．     

135MeV/u 12C和铁相互作用中靶余核的质量分布

用核化学技术测定了135MeV/u ¹²C和铁相互作用中的靶余核的生成截面,通过高斯电荷分布函数得到了靶余核的质量分布.与46MeV/u ¹²C+Cu相比,发现A<30质量区的产额明显增加,且产物有偏向丰中子一侧的趋势.实验测定的质量分布与熔合碎裂模型和级联两体模型的计算结果进行了比较,结果似乎表明在很高入射能情况下多重碎裂衰变是A<30靶余核生成的主要反应机制.     

变色尖晶石的光谱学特征及变色机理研究

尖晶石作为一种珍贵的宝石材料，因其瑰丽的颜色外观和悠久的历史而广受称赞。变色效应作为宝石学中一种常见的光学现象，在变石，蓝宝石，尖晶石，石榴石等宝石中都可以出现。通常将宝石的变色效应归结为Cr离子和V离子所致，但是目前有关变色尖晶石的报道较少，缺乏致色元素和变色机理的研究。本次研究对象是一颗具有变色效应的尖晶石(在D65光源下呈蓝色，在A光源下呈蓝紫色)，和两颗不具有变色效应的蓝色尖晶石(两种光源下色调无明显变化)。运用电感耦合等离子体质谱仪(LA-ICP-MS)、紫外可见光谱仪、拉曼光谱仪、光致发光光谱仪获取样品的成分和光谱信息。LA-ICP-MS化学成分测试结果表明，三颗尖晶石均为镁铝尖晶石，主要化学成分为MgO和Al₂O₃，并含有Fe，V，Cr，Co和Zn等微量元素，在变色尖晶石中含有较多的Fe离子和微量的Co离子，不含有Cr离子，并且变色尖晶石与无变色效应的蓝色尖晶石中V离子含量相近。变色尖晶石紫外可见吸收光谱具有位于387, 461, 478, 527, 559, 590, 627和668 nm处的吸收峰，其中387, 461, 478和668 nm吸收峰与Fe离子有关。559，590和627 nm处的吸收峰是由Co离子d轨道电子自旋允许跃迁4A₂→4T₁(4P)并经自旋-轨道耦合作用分裂所致。此外，四面体配位中的Fe2+ d—d自旋禁阻跃迁5E(D)→3T₁(H)同样在559 nm处产生吸收峰。由Co离子和Fe离子共同作用，在559 nm附近产生的吸收宽带是尖晶石产生变色效应的主要原因。拉曼光谱测试结果显示变色尖晶石与其他两颗蓝色尖晶石无差异，可见311，405，663和765 cm-1四个特征拉曼位移峰，依次对应F_2g(1), E_g, F_2g(3)和A_1g振动。光致发光光谱(PL)测试发现变色尖晶石中处于T_d对称位置的Co2+的4T₁(P)能级会分裂成为三个子能级，电子由三个4T₁(P)激发态的子能级回落到4A₂(F)基态而产生位于686，650和645 nm处的发光峰。变色尖晶石中Co离子含量很低，并且Fe离子含量较高，受到Fe离子荧光猝灭作用，样品无红色发光现象。     

作大运动弹性薄板中的几何非线性 与耦合变形1)

导出作大范围刚体运动弹性薄板包括了几何非线性和中面变形之间的相互耦合(耦合变形)的动力学控制方程.分析了几何非线性和耦合变形各自对系统动力学性质的影响,得到了在传统方法上只考虑几何非线性,系统将通过同宿轨分岔过渡到混沌运动;若在传统方法上考虑耦合变形,系统稳定且数值解收敛,与实际情形相符.     

带惩罚的相同容量k-均值问题的局部搜索算法

经典$k$-均值问题是一类应用广泛的聚类问题,它是指给定$\mathbb{R}^d$中观测点集合$D$和整数$k$,目的是在空间中寻找$k$个点作为中心集合$S$,使得集合$D$中的每个观测点到$S$中离它最近的中心的距离平方求和最小。这是个NP-难问题。经典$k$-均值问题有很多推广,本文研究的带惩罚的相同容量$k$-均值问题就是其中之一。与经典$k$-均值问题相比,惩罚性质是指每个观测点都给定惩罚费用,当某个观测点到最近中心的距离大于惩罚费用时,其对目标函数的贡献就用该观测点的惩罚费用来代替最近的距离的平方,相同容量约束要求每个中心至多连接$U$个观测点。针对这种问题,我们设计了局部搜索算法,该算法在至多选取$（3+\alpha）k$个中心的情况下,可以达到$\beta$-近似,其中,参数$\alpha>34$,$\beta>\frac{\alpha+34}{\alpha-34}$。     

飞秒脉冲探测半导体

在半导体微电子学中,小尺度的高速电子器件始终是人们关注的焦点.要发展更高速的器件,就必须详细了解皮秒(ps)和飞秒(fs)时标上半导体中电子的动力学性质,这就向实验工作者提出了挑战.利用高速电子仪器的传统方法对飞秒测量已不再有效,因为即使是最好的电子仪器也被其中半导体元件的某些物理效应所限制,而这些物理效应恰好是我们希望观察的.解决这个矛盾的办法是选择其他具有超高级时间分辨率的测量工具──短脉冲激光器.在速度方面,光学几乎超过电子学两个量级,而且用光学技术测量半导体器件及线路的电学性质还有其他一些优点,例如微扰最小…