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11.
Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy单晶的结构与超导电性   总被引:1,自引:0,他引:1  
用自助熔剂法制备了Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy(x=0.01,0.05,0.08,0.10)单晶。单晶的c轴长度随Mn含量的增加而减小。R-T曲线测量表明,零电阻温度Tc随x的增大面逐渐下降。对Mn掺杂量较高的一些单晶,发现其R-T曲线在105K左右有一陡降,表明Mn掺杂量较高的单晶中可能有微量的Bi2223相成分存在。  相似文献   
12.
本文利用脉冲激光沉积方法制备了NiFe2O4磁性绝缘薄膜.X-射线衍射线性扫描测量表明,在MgO(110)单晶衬底上可以生长出高质量的NiFe2O4外延薄膜,原子力显微镜显示其具有平整的表面形貌.我们还研究了后退火处理对样品结构、表面形貌和磁性的影响.结果表明,后退火后薄膜的结构和表面形貌都发生了明显的改变,样品的磁性得到增强.这些效应可归结为在氧气氛下退火处理导致的氧含量的变化以及退火过程中阳离子分布和价态发生改变.  相似文献   
13.
从正格子与倒格子的关系出发,详细地讨论了正交空间的布拉格反射与倒易空间劳厄方程的等价关系,并清晰地给出了两个空间中它们相互统一的物理图象,分析了用粉末衍射仪观察高温超导单晶结构的多级衍射、摇摆曲线、β扫描所反应的结构信息,并着重讨论了用来观察超导结构单昌调制结构的摇摆曲线在倒易空间的反映,指出调制峰的形状、强弱、反映的倒易空间中倒格点的拉长效应。  相似文献   
14.
用X射线转靶衍射仪,详细地观察和分析了Bi2Sr2CaCu2Oy单晶的调制结构.指出布喇格反射的卫星峰是沿c*拉长的,与B心正交对称结构不相符的宽化峰正是由于这种拉长的结果,且导致卫星峰强度的不对称性.Bi-O层和钙钛矿层晶格失配形成的超晶格为非正交而是单斜的,并可能存在超晶格孪晶  相似文献   
15.
用电子自旋共振(ESR)方法对非晶Ag ̄+离子导体0.85AgI~0.15Ag_4P_2O_7的热处理晶化过程进行研究,在样品中掺入微量(约1×10 ̄(-3)g/g)的Mn ̄(2+)或V ̄(4+)离子作为自旋探针离子,它们的ESR谱强度随升温线性减弱,当样品完全晶化时ESR谱消失。这样测定的样品完全晶化的温度分别为98℃(掺Mn的)和108℃(掺V的).本文还对Mn ̄(2+)和V ̄(4+)的ESR谱进行了分析。  相似文献   
16.
铜氧化合物高温超导体正常态的电子输运一直是人们关注的焦点问题之一,根据最近研究的Bi2Sr2CuOy单晶a-b平面内电阻率随温度的变化关系,发现许多直接生长的晶体在高温呈金属性而低温下出现电子局域化现象,对低温呈强局域化行为的样品进行了磁阻测量,发现在较低温区的低场,样品具有正磁阻效应,而高场下,样品具有负磁阻效应,最大正磁阻对应的磁场则随着温度的升高向低场漂移,在高温区,无论是低场和高场,样品不再具有正磁阻效应而只存在负磁阻效应,同时还发现样品的磁阻效应随着温度的增加而变得不明显,通过对横向磁阻与纵向磁阻的比较,发现这种磁阻主要是轨道效应的贡献。把实验结果与强局域化区域轨道磁阻的理论工作进行了比较,对正、负磁阻的起源进行了讨论。  相似文献   
17.
本文采用脉冲激光沉积法于不同沉积温度与衬底制备了一系列的La0.05 Sr0.95 TiO3(LSTO)单晶透明导电薄膜.实验主要研究了高温高氧压条件下沉积的LSTO薄膜的结构及电、光学性质.它们具有良好的外延结构,表现出很好的透明、导电性质.对电阻率拟合发现其导电机制符合电子.电子散射机制.由于制备条件与其它多种钙钛矿型氧化物薄膜一致,可广泛集成应用.用其作为电极所制备的PbZr0.52 Ti0.48O3(PZT)外延铁电电容器,具有很好的电滞回线和透光性.  相似文献   
18.
本文利用脉冲激光沉积技术在SrTiO_3单晶衬底上生长了Sb掺杂BaSnO_3(BSSO)外延薄膜.结构和输运性质测量结果显示BSSO薄膜是一种具有立方钙钛矿结构导电性很好的薄膜材料,80K时呈现金属绝缘体转变,室温下薄膜的电阻率、载流子浓度和迁移率分别为ρ=2.43 mΩcm,n=1.65×1021 cm~(-3)和μ=1.75 cm~2/Vs.以BSSO薄膜为底电极制备了具有比较好电滞回线的Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3和Bi(Mn_(0.05)Fe_(0.95))O_3铁电电容器,表明BSSO薄膜是一种具有应用前景的新型电极材料.  相似文献   
19.
厚度为6~100 nm的(La0.6Nd0.4)0.7,Sr0.3MnO3(LNSMO)薄膜是由脉冲激光沉积生长在SrTiO3[STO(001)]衬底上.X-射线衍射(XRD)线扫描、ω-摇摆曲线和倒空间衍射显示,随着膜厚(t)的变化,薄膜的结构经历了由完全应变到部分弛豫的变化.电阻测量显示存在两个不同的厚度依赖的金属-绝缘体转变温度(Tp),对于应变的薄膜(t≤17 nm),Tp敏感地依赖于双轴应变和膜厚;而对较厚的薄膜(t≥35nm),Tp对于膜厚是较小敏感的.这个厚度依 赖的输运性的变化可被解释为菱形LNSMO的角度畸变诱导的应变和弛豫.我们的结果表明金属-绝缘体转变温度和相分离都受薄膜的应变态控制.  相似文献   
20.
用单能慢正电子束,测量了不同氧分压下生长的La0.7Sr0.3MnO3外延膜的S参数与入射正电子能量E的关系.结果发现La0.7Sr0.3MnO3外延膜中S参数与氧分压是非单调变化的;这与沉积氧分压的两种作用相关联的.在氧分压较高的LSMO薄膜中, 空位浓度的增加主要是由沉积原子(离子)与氧原子碰撞几率增大,使其缺乏足够的动能去填补空位引起的;在低氧分压的LSMO薄膜中, 空位浓度的增大则主要是提供成膜所需要的氧原子缺乏,从而导致氧空位及其相关缺陷增加.  相似文献   
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