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在中国科学技术大学建校50周年之际,回顾其物理学教学和科研发展的风雨历程是一件有意义的事情.中国科学技术大学物理学50年来的发展变迁跌宕起伏,难于全面叙述, 我们编写了<中国科大物理50年>一书,本文根据该书压缩而成.下面仅以现在的中国科学技术大学理学院物理系及与其有历史渊源的院系单位作为介绍对象进行介绍. 相似文献
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Based on the atomic superposition approximation (ATSUP) and first-principles pseudopotential plane-wave methods, the bulk and Mg mono-vacancy positron lifetime of magnesium oxide were calculated using Arponen-Pajamme and Borofiski-Nieminen positron-annihilation-rate interpolation formula respectively. The calculated values are in good agreement with experimental values and the first-principles method gives more convincing results. The positron annihilation density spectra analysis reveals that positrons mainly annihilate with valence electrons of oxygen atoms when the magnesium-vacancy appears within magnesium oxide. 相似文献
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The charge-state-dependent lattice relaxation of mono-vacancy in silicon is studied using the first-principles pseu- dopotential plane-wave method. We observe that the structural relaxation for the first-neighbor atoms of the mono-vacancy is strongly dependent on its charge state. The difference in total electron density between with and without charge states in mono-vacancy and its relevant change due to the localized positron are also examined by means of first-principles simu- lation, demonstrating the strong interplay between positron and electron. Our calculations reveal that the positron lifetime decreases with absolute charge value increasing. 相似文献
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在中国科学技术大学建校50周年之际,回顾其物理学教学和科研发展的风雨历程是一件有意义的事情.中国科学技术大学物理学50年来的发展变迁跌宕起伏,难于全面叙述, 我们编写了《中国科大物理50年》一书,本文根据该书压缩而成.下面仅以现在的中国科学技术大学理学院物理系及与其有历史渊源的院系单位作为介绍对象进行介绍. 相似文献
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采用传统降温法从不同程度氘化(x=0, 0.51, 0.85)的生长溶液中生长氘化KH2PO4(KDP) 晶体, 利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD) 结构分析, 对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究, 讨论了氘化程度对晶体内部微观结构特性、缺陷类型和浓度的影响. XRD结果显示晶胞参数a, b值随氘含量的增加而增加, c值无明显变化; 正电子寿命谱结果发现随着氘化浓度的提高, KDP晶体内部中性填隙缺陷以及氧缺陷不断增加, 引起晶体晶格畸变; 氢空位、K空位、杂质替位缺陷不断发生缔合反应形成复合缺陷, 缺陷浓度不断减少; 团簇、微空洞等大尺寸缺陷也在不断发生聚合反应, 缺陷浓度表现为不断减少. 多普勒实验结果表明随着氘化程度的提升, 晶体内部各类缺陷表现为同步变化. 实验结果表明, KDP晶体在低浓度氘化生长(50%以内)下缺陷反应较弱, 而在高浓度氘化(50%以上)下的缺陷反应显著增强. 相似文献
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