一个用于(中子,带电粒子)核反应测量的多路望远镜系统

设计了一个用于快中子引起的(中子,带电粒子)核反应双微分截面测量的多路望远镜系统.该系统由内外两个ΔE多路正比室和一个中心能量探测器CsI(Tl)闪烁体组成.系统采用快慢三重符合,对所有信号进行筛选.建立了一套用于研究(中子、带电粒子)核反应电子学五参数获取系统.利用该系统,可以测量从30°—160°的16个反应角,并可同时测量反应产物谱和本底谱.     

碳纳米管束中的正电子理论

采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了大范围内不同管径的单壁碳纳米管束中的正电子情况，发现对于单壁碳纳米管束，正电子的主要湮没区域，湮没对象和正电子寿命随碳纳米管管径的不同而发生规律性变化.计算得到管径范围在0.8—1.6nm的碳纳米管束的正电子寿命范围为332—470ps，与实验测得的394ps符合较好.     

中国科学技术大学物理50年

在中国科学技术大学建校50周年之际,回顾其物理学教学和科研发展的风雨历程是一件有意义的事情.中国科学技术大学物理学50年来的发展变迁跌宕起伏,难于全面叙述, 我们编写了<中国科大物理50年>一书,本文根据该书压缩而成.下面仅以现在的中国科学技术大学理学院物理系及与其有历史渊源的院系单位作为介绍对象进行介绍.     

Theoretical study on the Rocksalt structured positron annihilation in magnesium oxide

Based on the atomic superposition approximation （ATSUP） and first-principles pseudopotential plane-wave methods, the bulk and Mg mono-vacancy positron lifetime of magnesium oxide were calculated using Arponen-Pajamme and Borofiski-Nieminen positron-annihilation-rate interpolation formula respectively. The calculated values are in good agreement with experimental values and the first-principles method gives more convincing results. The positron annihilation density spectra analysis reveals that positrons mainly annihilate with valence electrons of oxygen atoms when the magnesium-vacancy appears within magnesium oxide.     

纳米Fe3 O4 颗粒的正电子湮没谱学研究

测量了磁性纳米Fe₃O₄颗粒的X射线衍射谱(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDBS),研究了不同压力和退火温度对磁性纳米Fe₃O₄颗粒物相、电子结构、缺陷及电子动量分布等的影响. XRD,PALS,CDBS测量结果表明:纳米Fe₃O₄颗粒的缺陷浓度随压力的增加而增大,但物相和缺陷类型并未发生变化;磁性纳米Fe₃O_{4< 关键词： 正电子 3}O₄')" href="#">Fe₃O₄ 寿命谱 多普勒展宽谱     

氘化对KH2PO4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究

采用传统降温法从不同程度氘化(x=0, 0.51, 0.85)的生长溶液中生长氘化KH₂PO₄(KDP) 晶体, 利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD) 结构分析, 对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究, 讨论了氘化程度对晶体内部微观结构特性、缺陷类型和浓度的影响. XRD结果显示晶胞参数a, b值随氘含量的增加而增加, c值无明显变化; 正电子寿命谱结果发现随着氘化浓度的提高, KDP晶体内部中性填隙缺陷以及氧缺陷不断增加, 引起晶体晶格畸变; 氢空位、K空位、杂质替位缺陷不断发生缔合反应形成复合缺陷, 缺陷浓度不断减少; 团簇、微空洞等大尺寸缺陷也在不断发生聚合反应, 缺陷浓度表现为不断减少. 多普勒实验结果表明随着氘化程度的提升, 晶体内部各类缺陷表现为同步变化. 实验结果表明, KDP晶体在低浓度氘化生长(50%以内)下缺陷反应较弱, 而在高浓度氘化(50%以上)下的缺陷反应显著增强.     

不锈钢在14.6MeV中子轰击下质子发射的能谱和角分布

描述了用多路望远镜系统测量不锈钢在快中子辐照下质子发射的双微分截面,所测量的16个反应角的范围为25°—165°,平均分辨约为12°.并由此得到了出射质子的能谱、角分布和总发射截面.     

Effect of vacancy charge state on positron annihilation in silicon

The charge-state-dependent lattice relaxation of mono-vacancy in silicon is studied using the first-principles pseu- dopotential plane-wave method. We observe that the structural relaxation for the first-neighbor atoms of the mono-vacancy is strongly dependent on its charge state. The difference in total electron density between with and without charge states in mono-vacancy and its relevant change due to the localized positron are also examined by means of first-principles simu- lation, demonstrating the strong interplay between positron and electron. Our calculations reveal that the positron lifetime decreases with absolute charge value increasing.     

元素周期表中元素单晶基于局域密度理论的正电子寿命计算

在局域密度近似理论（LDA）的基础上用中性原子叠加模型和有限插分方法（SNA-FD）计算了元素周期表中各种元素单晶的正电子体寿命和单空位寿命.分析了不同结构的单晶中自由正电子的分布信息和湮没信息.元素单晶的正电子寿命计算值与文献中的实验测量值相符合,表明LDA基础上的SNA-FD方法可以作为单晶中正电子湮没理论计算的有效研究手段. 关键词： 局域密度近似理论 正电子寿命