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碳纤维三向织物/环氧树脂复合材料的制备与力学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
选择不同纱线间距[即二经(纬)纱之间的中心距]尺寸的碳纤维三向织物, 采用热压成型技术制备了碳纤维三向织物/环氧树脂复合材料. 研究了纱线间距及样品裁剪角度等对力学性能的影响, 并与碳纤维二向织物/环氧树脂复合材料的力学性能进行对比. 结果表明, 随着纱线间距尺寸从2 mm增加到6 mm, 0°方向断裂强度从221.7 MPa下降到148.1 MPa, 撕裂强力从1000 N下降到600 N; 90°方向断裂强度从50.0 MPa下降到22.1 MPa, 撕裂强力从330 N下降到100 N; 顶破强力从424 N下降到216 N. 这些力学性能的逐渐降低是单位面积的碳纤维增强体含量减少和织物的孔洞增大共同作用的结果. 纱线间距为2 mm的碳纤维三向织物复合材料在0°(以纬纱为基准), 30°, 45°, 60°和90°方向的断裂强度分别为221.7, 48.5, 44.3, 227.7和50.0 MPa, 即断裂强度在0°和60°方向大于在30°, 45°及90°方向. 由三向织物的编织原理可知, 0°与60°方向完全相同, 因此其断裂强度相似, 且样品中有一组纱线与外加载荷平行, 对形变破坏具有一定的约束作用, 而30°, 45°和90°方向样品中三组纱线所在的方向均和外加载荷存在一定的夹角, 有效分散外加载荷的能力减弱. 对比碳纤维三向织物/环氧树脂复合材料与碳纤维二向织物/环氧树脂复合材料的断裂强度、 撕裂强力和顶破强力发现, 前者的综合性能明显优于后者, 碳纤维三向织物/环氧树脂复合材料的断裂强度、 撕裂强力、 顶破强力分别为221.7 MPa, 1000 N和424 N, 三向织物的优势得到凸显, 为后续制备多种类型的碳纤维三向织物复合材料及应用奠定了基础. 相似文献
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为了更好地发挥中巴地球资源卫星的社会效益,同时为中巴地球资源卫星的使用和管理部门提供决策参考依据,应用条件价值法(CVM),采用支付意愿问卷调查的方式,通过数据统计和回归分析,对中巴地球资源卫星的社会效益进行定量评价,得到了影响中巴地球资源卫星社会效益支付意愿的主要因素.共发放问卷2330份,收回有效问卷2285份,通过对问卷数据的描述性统计,得到支付意愿的分布情况和在各单一因素影响下的变化规律.用主成分分析简化影响因素,运用二元Logit回归模型和Tobit模型,得到在所有的影响因素中,对中巴地球资源卫星的重视性、个人平均年收入是影响被调查者对中巴地球资源卫星社会效益的支付意愿的主要因素.研究结论使得中巴地球资源卫星的收益和成本的比较成为可能,为政府制定相关政策提供理论基础. 相似文献
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孪生对靶直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜及其特性研究 总被引:3,自引:1,他引:3
本文以ZnO:A l(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性。采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。制备的薄膜具有结晶程度高、电阻率低、迁移率高等优点。ZAO薄膜的最低电阻率达到了4.47×10-4Ω.cm,在可见光区的平均透过率达到85%以上,非常适合做为铜铟硒(C IS)薄膜太阳电池窗口层。 相似文献
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分别在苏打石灰玻璃、Mo箔、无择优取向的Mo薄膜以及(110)择优取向的Mo薄膜四种不同衬底上,采用共蒸发工艺沉积约2μm厚的Cu(In,Ga)Se2薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响.在以上四种衬底上沉积的Cu(In,Ga)Se2薄膜的(112)衍射峰强度依次逐渐减弱,(220/204)衍射峰从无到有且强度逐渐增强.在苏打石灰玻璃和Mo箔衬底上的Cu(In,Ga)Se2薄膜具有明显的(112)择优生长,而在(110)取向的Mo薄膜衬底上,Cu(In,Ga)Se2薄膜的织构为(220/204)取向.研究结果表明,只有(110)择优取向的Mo薄膜衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜(220/204)织构的形成有重要影响. 相似文献
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传统制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)手段之一是共蒸发三步法,工艺中通过Cu,In,Ga,Se 4种元素相互扩散、作用形成抛物线形的Ga梯度分布.本文通过调整Ga源温度制备了Ga梯度分布不同的CIGS薄膜及电池.利用多种测试方法,研究了Ga梯度分布不同对CIGS薄膜表面及背面结构性质及电性质的影响,计算分析了表面导带失调值及背面电场对电池性能的影响,从而获得了合适的Ga梯度分布,提高了电池光谱相应,获得了较好的电池性能参数. 相似文献
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研究了110~180 ℃(2 min)下的快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜特性及CIGS太阳电池性能的影响.结果表明:对于不同成分比例的CIGS(正常、富Cu、高Ga)电池来说,150 ℃,2 min的快速退火最利于电池性能及二极管特性的增加.其中,退火对富Cu电池的开路电压Voc改善最大,这是因为快速热退火对消除部分CIGS薄膜中的CuSex有积极作用,从薄膜的电阻率有少量提高,器件的短路电流Jsc有少量下降可以得到验证|而对于高Ga电池来说,填充因子FF的改善最大,这是因为高Ga样品的缺陷较多,退火会消除薄膜内部的部分缺陷,从而薄膜的迁移率及Jsc都有所提高,使得FF有较大的增加. 相似文献