Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se2太阳电池的影响

利用共蒸发三步法制备了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并通过调整制备工艺中的一、三步的金属镓(Ga)的温度,改变Ga含量的梯度分布,研究不同梯度分布对CIGS薄膜及电池性能的影响.从而优化了电池带隙梯度分布,使电池的开路电压Voc在提高的同时,最大程度的减小了Jsc的损失.优化后薄膜表面的结晶情况得到改善,电池的结界面和二极管特性也得到相应的提高.量子效率测试发现,优化后的CIGS太阳电池在较长波段中(520～1100nm)的光子吸收损失大大减小.     

溅射制备Zn(O,S)薄膜及其在CIGS电池中的应用

通过射频磁控溅射(MS)工艺,在不同溅射功率下制备Zn(O,S)薄膜,并将其应用于CIGS异质结器件结构中.采用XRD、XRF、台阶仪、透反射光谱仪、SEM以及wxAMPS仿真软件对Zn(O,S)薄膜以及MS-Zn(O,S)/CIGS异质结器件进行研究.结果表明,低功率条件下(<80 W),Zn(O,S)薄膜内S/Zn明显降低,带隙减小,所制备的微晶或非晶结构Zn(O,S)薄膜材料中生成闪锌矿结构ZnS (α-ZnS);高溅射功率下(>100 W),薄膜内S/Zn增加并趋于稳定,Zn(O,S)材料结晶性能改善,α-ZnS消失,带隙增加.器件仿真结果表明,低功率条件下,缓冲层与吸收层(AB)界面导带失调值(CBO)增大,空间电荷区(SCR)复合加剧;高功率条件下,器件品质因子升高明显,主要是由于高功率引起的异质结界面类受主缺陷浓度增加.     

温度对CIGS太阳电池输出特性的影响

温度特性是太阳电池的一个重要特征,本文研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的输出特性随温度变化(120~260K))的规律.发现,随着温度升高,开路电压Voc明显降低,温度系数为-1.08mV/K,短路电流Isc小幅升高,温度系数为0.01401mA/K.这是因为:随着温度上升,禁带宽度下降,暗电流增加,造成开路电压的降低;更多的光生载流子被激发,串联电阻有所下降,使得短路电流增加.两者共同作用,电池效率有所下降.     

顶空-气相色谱法测定枳实总黄酮提取物中的树脂残留和溶剂残留

<正>枳实总黄酮提取物是临床上用于治疗功能性消化不良的中药在研1类新药奥兰替胃康片的原料^[1-4]，其制备过程中用乙醇提取，并使用了D101大孔吸附树脂纯化黄酮提取物。提取物及相关制剂的质量标准研究主要包括含量测定、特征图谱、溶出度等^[5-8]，尚无残留溶剂研究的相关报道；另从药品安全性角度考虑，根据《中药新药质量研究技术指导原则(试行)》和《中华人民共和国药典》2020年版(简称ChP 2020)四部通则0861残留溶剂测定法的要求，应对提取加工过程中引入的树脂残留、有机溶剂等进行控制。参考ChP 2020一部三七总皂苷等的树脂残留方法进行优化，本工作采用顶空-气相色谱法对枳实总黄酮提取物中树脂残留(正己烷、苯、甲苯、乙苯、对二甲苯、间二甲苯、邻二甲苯、苯乙烯、二乙烯苯等9种成分)以及溶剂残留(乙醇)进行测定。     

Y6TeO12:Eu3+红色荧光粉的制备与发光特性研究

利用高温固相法在1 200℃制备了一系列红色荧光粉(Y_1-x)₆TeO₁₂:x Eu³⁺(x=0.1～0.5)材料。对样品进行了X射线衍射、形貌特征、激发和发射光谱、浓度猝灭、热稳定性、荧光衰减曲线以及发光二极管封装与光色电性能等方面的分析与探究。结果表明：该红色荧光粉样品能被近紫外光(393 nm处)和蓝光(464 nm处)有效激发，在632 nm处表现出较强的红光发射。根据荧光强度与掺杂浓度的变化趋势，确定出最佳Eu³⁺掺杂量为x=0.3，更多的掺杂量引起浓度猝灭。进一步分析激活剂Eu³⁺间能量传递类型，得出电偶极-电偶极作用导致了浓度猝灭。(Y_0.7)₆TeO₁₂:0.3Eu³⁺在150℃时积分发光强度是室温的76.5%，热激活能为0.196 9 eV。该样品的荧光寿命为813μs，色坐标值为(0.637 6,0.343 1)，并基于板上芯片工艺进行了发光二极管封...