溶剂热合成制备纳米In_1-_xAl_xP固溶体(英)

在１６０ ℃下,以１ ,２二甲氧乙烷为溶剂和配合剂用溶剂热合成法成功地制得１０ ～１２ ｎｍ 的 Ｉｎ１ － ｘ Ａｌｘ Ｐ固溶体,固溶度ｘ 在０ ～０ ．５５ 之间。 Ｘ Ｒ Ｄ 和 Ｔ Ｅ Ｍ 用以鉴定产物的结构和形貌, Ｘ Ｐ Ｓ 给出产物的固溶度和纯度。     

PHOTOELECTRON SPECTROSCOPIC STUDY OF THE EFFECT OF Cs INTRALAYER ON THE BAND LINEUP OF Ge/InP(100) HETEROJUNCTION

The formation and band lineup of the Ge/InP(100) interface with or without alkali metal Cs intralayer (IL) are studied by means of X-ray photoemission spectroscopy (XPS) and ultraviolet photoemission spectroscopy (UPS). It is found that the Cs atoms do not react with or diffuse into the subatrate and the Ge overlayer. The thin Cs IL will induce an increase of the valence band offset (ΔE_v) for the Ge/InP(100) heterojunction. The changes of ΔE_v are proportional to the IL thickness and them saturate for IL thickness of about one half of a monolayer of Cs IL. Without the IL, ΔE_v of the Ge/InP(100) heterojunction is equal to 0.70eV, and ΔE_v with one half of monolayer IL is up to 0.90eV. These results show that the interface dipole plays a major role in the band lineup at the heterojunction interface.     

尼龙1010—聚四氢呋喃多嵌段共聚物的ESCA研究

尼龙１０１０－聚四氢呋喃多嵌段共聚物（ＰＡ－ＰＴＭＧ）是一种性能良好的聚合物。本文用Ｘ射线光电子能谱（ＥＳＣＡ）和计算机分峰技术研究了不同软硬段分子量的ＰＡ－ＰＴＭＧ的表面化学组成，进行了试样ＥＳＣＡ谱峰归属的确定。结果表明，本体嵌段效果较好，但在样品表面上Ｏ／Ｎ原子比大于体相Ｏ／Ｎ原子比，即软段富集于表面，并且分相程度高的试样较分相程度低的试样其软段在表面富集得更多。     

“绿漆古”铜镜表层结构成分分析

“绿漆古”铜镜表层结构成分分析左健，邢锦云，刘先明，毛振伟，许存义（中国科学技术大学结构成分分析开放实验室安徽合肥２３００２６）ＳｔｒｕｄｕｒｅａｎｄＥｌｅｍｅｎｔａｌＡｎａｌｙｓｉｓｏｎＴｈｅＳｕｒｆａｃｅｉｎＡｎｃｉｅｎｔＣｈｉｎｅｓｅＧｒｅｅｎ...     

Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y的晶体结构、电子结构和超导电性

本文研究了Y替代Ca对Bi₂Sr₂Ca_1-xY_xCu₂O_8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO₂层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d⁹态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO₂层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d⁹L态)对应于超导体.     

古代黑镜表层SnO2结构成分研究

中国古代黑镜表面层主要由纳米晶体SnO₂组成,其厚约100μm,如此厚纳米晶体膜的形成机理以及它优异的耐腐蚀性能,与纳米晶体SnO₂结构成分密切相关。利用Raman光谱等测试手段对这一纳米晶体进行分析研究,证明其晶格中有原子掺杂,它的分子式应为Sn_1-x(CuFePbSi)_xO₂。研究表明,Raman光谱分析是探索纳米固体晶格内有无原子掺杂的有效方法。     

添加元素Ti、In对Nb管富Sn法Nb_3Sn生长特性和超导性能的影响

采用Nb管和高Sn含量的Cu-Sn,Cu-Sn-Ti,Cu-Sn-In合金之间的内扩散法制备了Nb_3Sn多芯超导复合线,研究了Nb_3Sn反应扩散热处理条件和添加元素Ti、In对Nb_3Sn反应层生长动力学、组织结构和超导性能的影响。结果表明:母材中添加适量的第三元素Ti或In均提高Nb_3Sn反应层生长速率,与In相比,Ti的效果更为显著.添Ti样品的T_c值在母材添Ti量为0.4w/o处出现峰值,比末添Ti样品的T_c值升高0.3K.添Ti样品的H_(c2)(o)值随母材添Ti量增加单调提高,当母材添Ti量为0.76w/o时,其H_(c2)(o)值由未添Ti样品的21T提高到大约29T.在4.2K和15T脉冲背景磁场(脉冲上升时间t_m=10ms)下,添Ti和添In样品的J_c(non Cu)值分别可达6×10~4Acm~(-2)和2.5×10~4Acm~(-2).